La^3＋掺杂Pb（Zr,Ti,Sn）O3反铁电陶瓷的研究

从反铁电材料的储能特性出发，着重介绍了一类适合制作储能电容器的Ｌａ＾３＋掺杂Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ，Ｓｎ）Ｏ３反铁电陶瓷材料。通过电滞回线和直流偏压特性的测试，研究了反铁电陶瓷的电场强迫反铁电－铁电相变。结果表明：Ｌａ＾３＋掺杂Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ，Ｓｎ）Ｏ３反铁电瓷料可用于制作高压、高储能密度、长工作寿命的储能电容器。     

用于MFIS的铁电薄膜刻蚀技术研究

制备ＭＦＩＳ存储器的铁电薄膜一般选用抗疲劳特性好的ＳＢＴ铁电薄膜,介质层一般选用ＺｒＯ２作为阻挡层,以克服电荷注入效应,改进器件的性能。在ＭＦＩＳ研制中,ＳＢＴ薄膜和ＺｒＯ２薄膜的刻蚀是关键工艺之一。研究了用ＳＦ６和Ａｒ作为反应气体刻蚀ＳＨＢＴ及ＺｒＯ２薄膜的方法,对不同条件下ＳＢＴ和ＺｒＯ２的刻蚀速率进行了实验研究和讨论、分析,得到了刻蚀ＳＢＴ及ＺｒＯ２的优化工艺条件。     

一种全新的高性能n－JFET和n－p－n兼容工艺

本文提出了一种全新的ｎ－ＪＦＥＴ和ｎ－ｐ－ｎ兼容工艺，采用二次外延实现了ＪＦＥＴ和ｎ－ｐ－ｎ的隔离。介绍了工艺流程，并对工艺上第一外延的厚度和浓度、二次硼埋浓度以及隔离的温度和时间对ｎ－ＪＦＥＴ的Ｖ＿ｐ和ｎ－ｐ－ｎ管的性能的影响进行了讨论。采用这种工艺研制出了Ｖ＿ｐ达３．５～４．５Ｖ，Ｉ＿（ＤＳＳ）＝１５ｍＡ的ＪＦＥＴ和ｆ＿Ｔ＝８００ＭＨｚ，β＝１００，ＢＶ＿（ｃｅｏ）≥２５Ｖ的ｎ－ｐ－ｎ管，并成功运用于调制解调开关侧音放大器中。     

薄膜n沟SOIFET断路期间异常电压的过冲

薄膜ｎ沟ＳＯＩＦＥＴ断路期间异常电压的过冲＝Ａｎｏｍａｌｏｕｓｖｏｌｔａｇｅｏｖｅｒｓｈｏｏｔｄｕｒｉｎｇｔｕｒｎ－ｏｆｆｏｆｔｈｉｎ－ｆｉｌｍｎ－ｃｈａｎｎｅｌＳＯＩＭＯＳＦＥＴ’ｓ［刊，英］／Ｓｈａｈｉｄｉ，Ｇ．Ｇ．…／／ＩＥＥＥＥｌｅｃｔｒｏｎ...     

P埋层技术研究

介绍了在Ｓｉ￣＋注入的ｎ－ＧａＡｓ沟道层下面用Ｂｅ￣＋或Ｍｇ￣＋注入以形成ｐ埋层。采用此方法做出了阈值电压０～０．２Ｖ，跨导大于１００ｍＳ／ｍｍ的Ｅ型ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ，也做出了夹断电压－０．４～－０．６Ｖ、跨导大于１００ｍＳ／ｍｍ的低阈值Ｄ型ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ。     

Al／n—GaAs肖特基接触正向脉冲退化对GaAsIC的影响

本文描述了Ａｌ／ｎ－ＧａＡｓ肖特基接触的正向脉冲退化效应，探讨了当肖特基二极管承受正向电流冲击时，势垒高度ΦＢ升高，直接影响Ａｌ栅ＭＥＳＦＥＴｓ的特性，导致Ａｌ／ｎ－ＧａＡｓ ＩＣ失效的机理。     

SiC器件──物理与数值模拟

从文献中摘出了６Ｈ碳化硅（６Ｈ～ＳｉＣ）的重要材料参数并应用到２－Ｄ器件模拟程序ＰＩＳＣＥＳ和ＢＲＥＡＫＤＯＷＮ及１－Ｄ程序ＯＳＳＩ中。６Ｈ－ＳｉＣｐ－ｎ结的模拟揭示了由于反向电流密度较低的缘故相应器件在高达１０００Ｋ温度下应用的可能性。６Ｈ－ＳｉＣ１２００Ｖｐ－ｎ￣（－）－ｎ￣（＋）二极管与相应硅（Ｓｉ）二极管的比较说明６Ｈ－ＳｉＣ二极管开关性能较高，同时由于６Ｈ－ＳｉＣ　ｐ－ｎ结内建电压较高，其正向功率损耗比Ｓｉ略高。这种缺点可用６Ｈ－ＳｉＣ肖特基二极管克服。Ｓｉ、３Ｃ－ＳｉＣ和６Ｈ－ＳｉＣ垂直功率ＭＯＳＦＥＴ的开态电阻通过解析计算进行了比较。在室温下，这种ＳｉＣＭＯＳＦＥＴ的开态电阻低于０．１Ωｃｍ￣２，可在高达５０００Ｖ阻塞能力下工作，而ＳｉＭＯＳＦＥＴ则限于５００Ｖ以下。这一点通过用ＰＩＳＣＥＳ计算６Ｈ－ＳｉＣ１２００ＶＭＯＳ－ＦＥＴ的特性得以验证。在低于２００Ｖ的电压区，由于硅的迁移率较高且阈值电压较低，故性能更优良。在上述的６Ｈ－ＳｉＣＭＯＳＦＥＴ的栅氧化层和用于钝化平面结的场板氧化层中存在着大约４×１０￣６Ｖ／ｃｍ的电场。为了研究ＳｉＣ器件的高频性能，提出了６Ｈ－ＳｉＣ发射极的异质双极晶体管?     

(Ba1-xSrx)TiO3系铁电陶瓷的制备及其介电性能研究

本文研究了（Ｂａ１－ｘＳｒｘ）ＴｉＯ３系铁电陶瓷的制备工艺。讨论了配方组分，烧结工艺，工作频率等因素对材料的显微结构，介电损耗Ｄ，温度系数α等性能的影响。研究表明，ＳｎＯ２掺杂较ＺｒＯ２掺杂的ＢＳＴ系材料的移动叠加效应要好；适当提高烧结温度；延长高温保温时间，有利于晶粒长大，进而有利于克服晶界缓冲型展宽效应，两者均可 有效提高材料的温度系数α，而工作频率的改变使材料测得的介电常数有所不同。另外，随     

VMOS场效应管开关电源

本文介绍用新型功率器件ＶＭＯＳＦＥＴ研制的输出直流２４Ｖ、１０Ａ开关电源。该电源与双极型功率管开关电源相比，效率进一步提高，体积、重量进一步减小，电路大为简化，可靠性大大提高。与双极型功率管相比，ＶＭＯＳＦＥＴ具有两大突出优点：１）开关速度极快，可以在几ｎｓ到几十ｎｓ的时间内开关几Ａ到几十Ａ的电流，比同功率双极型开关管快１～２个数量级；２）ＶＭＯＳＦＥＴ为电压控制器件，几乎不需要驱动电流。因此，用ＶＭＯＳＦＥＴ代替双极型功率管可使管耗进一步下降、效率进一步提高；集成块可直接驱动，使驱功电路非常简单而可靠，功耗、体积也相应减小。有效地克服了双极型开关电源的缺点。     

InP衬底上的p—沟和n—沟异质结绝缘栅场效应晶体管

在ＩｎＰ衬底上用通常用晶格匹配（ｙ＝０．５３）和晶格失配（ｙ〉０．５３）Ｉｎ０．５３Ａｌ０．４６Ａｓ／ＩｎｙＧａ（１－ｙ）Ａｓ层结构同时制作ｐ－沟和ｎ－沟增强型异质结绝缘栅场效应晶体管（ＨＩＧＦＥＴ）。获得１μｍ栅长ｅ型ｐ－沟ＨＩＧＦＥＴ，其阈值电压约０．６６Ｖ，夹断尖锐，栅二极管开启电压０．９Ｖ，室温时非本征跨导〉２０ｍＳ／ｍｍ。相邻的（互补的）ｎ－沟ＨＩＧＦＥＴ也显示ｅ型工作（阈值Ｖｔｈ＝０．     

InP衬底上的p－沟和n－沟异质结绝缘栅场效应晶体管

在ＩｎＰ衬底上用通常的晶格匹配（ｙ＝０．５３）和晶格失配（ｙ＞０．５３）Ｉｎ＿（０．５３）Ａｌ＿０．４８Ａｓ／Ｉｎ＿ｙＧａ＿（１－ｙ）Ａｓ层结构同时制作ｐ－沟和ｎ－沟曾强型异质结绝缘栅场效应晶体管（ＨＩＧＦＥＴ）。获得１μｍ栅长ｅ型ｐ－沟ＨＩＧＦＥＴ，其阈值电压约０．６６Ｖ，夹断尖锐，栅二极管开启电压０．９Ｖ，室温时非本征跨导＞２０ｍＳ／ｍｍ。相邻的（互补的）ｎ－小沟ＨＩＧＦＥＴ也显示ｅ型工作（阈值Ｖ＿ｔｈ＝０．１６Ｖ），低的漏电，０．９Ｖ栅开启电压和高跨导（ｇｍ＞３２０ｍＳ／ｍｍ）。这是首次报道在ＩｎＰ衬底上同时制作具有适合作互补电路特性的ｐ＿和ｎ－沟ＨＩＧＦＥＴ。     

铁电液晶的表面双稳的研究

本文研究了在不同的实验条件下铁电液晶的排列状态，实验中得到了表面双稳铁电液晶（ＳＳＦＬＣ）．分析了它的记忆机理，并测量了它的电光特性、响应时间及其锥角（ＣＯＮＥＡＮＧＬＥ）。最后我们讨论了双稳区的蜕变机理。     

用于全彩色场致发光显示的氧化物荧光体

已经证明，用过渡族金属激活的氧化物荧光体作为场致发光器件的发光层以获得三角色，是有前途的。例如，发红光用Ｃｒ，发绿光用Ｍｎ与发蓝光用Ｔｉ。也已证明了ＺｎＡｌ２Ｏ４：Ｍｎ或Ｚｎ２ＳｉＯ４：Ｍｎ ＴＦＥＬ器件发出的绿光，Ｚｎ－Ｃａ２Ｏ４：ＣｒＴＦＥＬ器件发出的红光与Ｚｎ２ＳｉＯ４：Ｔｉ发出的蓝光均具有高亮度，适于用作全彩色ＴＦＥＬ显示器的三基色。     

WSi_2栅和Si栅CMOS／BESOI的高温特性分析

用厚膜ＢＥＳＯＩ（ＢｏｎｄｉｎｇａｎｄＥｔｃｈ－ｂａｃｋＳｉｌｉｃｏｎ－Ｏｎ－Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）制备了ＷＳｉ２栅和Ｓｉ栅４００７ＣＭＯＳ电路，在室温～２００℃的不同温度下测量了其Ｐ沟、Ｎ沟ＭＯＳＦＥＴ的亚阈特性曲线，分析了阈值电压和泄漏电流随温度的变化关系。     

GaAs MESFET栅极漏电流退化机理分析

高温存储试验后某种ＧａＡｓ　ＭＥＳＦＥＴ的栅－漏极正向和反向漏电流增大。为分析失效机理,测定了试验前后栅－漏极低压正向电流随温度的变化,定性估计了试验前后复合－产生中心浓度的变化,确定肖特基势垒接触有源层的复合－产生中心浓度增加是两种漏电流增大的原因,为高温下ＧａＡｓ　ＭＥＳＦＥＴ的肖特基势垒接触存在栅金属下沉和扩散提供了证据。     

GaAs MESFET欧姆接触可靠性研究进展

报道了ｎ型ＧａＡｓ上欧姆接触的制备及其可靠性，以及基于欧姆接触退经的ＧａＡｓＭＥＳＰＥＴ的失效分析，结果表明，ｎ型ＧａＡｓ上欧姆接触的制备已日趋成熟，接触电阻有所减小，表面形貌及热稳定性方面都得到了很大程度的提高，接触材料也日趋丰富ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ的失效分析方法也有明显改进。     

一种自外差－相干光纤系统与PIN－FET混频检测

一种自外差－相干光纤系统与ＰＩＮ－ＦＥＴ混频检测汪开源，徐伟弘，唐洁影（东南大学电子工程系，２１００１８）ＡＳｅｌｆ－Ｈｅｔｅｒｏｄｙｎｅ／ＣｏｈｅｒｅｎｔＦｉｂｅｒＳｙｓｔｅｍａｎｄＰＩＮ－ＦＥＴＭｉｘｉｎｇＦｒｅｑｕｅｎｃｙＭｅａｓｕｒｅｍｅｎｔ...     

砷化镓SJFET四端器件

本文提出一种由Ｍ－ＳＳｃｈｏｔｔｋｙ结和ｐｎ结组成的ＧａＡｓＳＪＰＥＴ四端器件，对该器件原理进行了分析与讨论，并在实验室研制出了ＧａＡｓＳＪＦＥＴ四端器件．实验结果表明，该器件可通过上、下两个栅分别调控，实现器件阈值电压连续可调．该器件极易获得稳定、重复的Ｅ－和Ｄ－ＭＥＳＦＥＴ，可望在ＧａＡｓ集成电路中得到应用．     

铁电薄膜和铁电场效应存储器研究

简述了铁电场效应管ＦＦＥＴ工作原理；说明了器件对薄膜和结构的要求；指出了铁电薄膜的电滞回线及金属铁电半导体结构的Ｃ－Ｖ特性。     

La掺杂PZST反铁电陶瓷电场诱导热释电现象

研究了Ｌａ掺杂ＰＺＳＴ反铁电陶瓷在不同偏置电场下的场诱热释电特性。在０～１２０°Ｃ温度范围内，热释电的峰值和峰位可以用电场的大小来控制，热释电系数达到１０－７Ｃ／ｃｍ２·Ｋ。