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研究了串联2-2型复合材料的介电击穿特性。串联2-2型压电复合材料结构较为简单,它是研究具有复杂连通性压电复合材料的基础。根据能量守恒定律,推导出串联2-2复合材料中压电陶瓷PZT层上和聚合物PVDF层上的电场强度Ec、Ep。由于压电陶瓷的介电常数εc(≈1600ε0)远远大于聚合物的介电常数εp(≈12εo),因此Ep远远大于Ec。尽管PVDF的介电强度高于PZT的介电强度,但由于Ep远远大于Ec,所以串联2-2型压电复合材料的介电击穿往往是从聚合物层开始的,最后导致复合材料整体被击穿。对理论计算进行了实验验证,结果表明:在PZT含量较低时,计算值与试验值比较接近,但随着复合材料中PZT含量的提高,二者的偏差越来越大。文章最后定性讨论了在高PZT含量时复合材料的计算值与试验值偏差较大的原因。 相似文献
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用热轧辊机制备了压电复合材料PT-P(VDF/TeTE),并利用LCR电桥和Berlincourt电路分别测量了其介电常数和压电常数,实验结果表明它具有良好的静水压压电特性。最后了该复合材料在水听器的应用。 相似文献
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PZT—PVDF复合材料的制备及其压电性 总被引:5,自引:1,他引:5
采用陶瓷PZT微粉和高聚物PVDF制备复合材料,并形成一整套成熟的工艺,对复合材料的压电常数d33和介电常数进行了测量,结果显示PZT-PVDF复合材料具有良好的压电性能。 相似文献
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模压工艺制备PZT/PVDF压电复合材料及性能研究 总被引:2,自引:0,他引:2
采用氧化物烧结法制备了 P Z T 粉末, X 射线衍射测试表明,它是 V( Zr)∶ V( Ti)=52∶48的纯四方钙钛矿型结晶相;用模压工艺制备了 6 种含 P Z T 不同体积分数的 P Z T/ P V D F 复合材料;对其介电性和压电性的测试表明,随着 P Z T 体积分数的增加,电性能参数呈非线性增大,当 P Z T 的体积分数超过 70% 时,介电常数和压电常数值迅速增加, P Z T 体积分数达到 90% 时已接近纯 P Z T 值。 相似文献
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Bao—Tio2—Sio2玻璃陶瓷的介电压电和热电性 总被引:2,自引:0,他引:2
用在温度梯度场中析晶的方法制备了BaO—TiO_2—SiO_2系统的极性玻璃陶瓷。研究了它们的介电常数,热电系数,厚度伸缩振动机电耦合系数及其温度依赖性。研究表明,这些陶瓷可望成为一类重要的压电和热电材料。 相似文献
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NBT-Ba(NbO3)2无铅压电陶瓷的压电介电性能 总被引:1,自引:1,他引:1
采用传统陶瓷制备方法,制备了一种新的(Na1/2Bi1/2)TiO3基无铅压电陶瓷(1-x)(Na1/2Bi1/2)TiO3-xBa(NbO3)2(摩尔分数x=0~1.4%)。X-射线衍射分析表明,所研究的组成均能够形成纯钙钛矿(ABO3)型固溶体。SEM观察结果表明,掺入Ba(NbO3)2促进了长条状晶粒的析出。不同频率下陶瓷材料的介电常数-温度曲线显示该体系材料具有明显的弛豫铁电体特征,且随着Ba(NbO3)2的增加,其弛豫性特征愈明显。检测了不同组成陶瓷的压电性能,发现材料的压电常数d33和平面机电耦合系数kp随着x值的增加先增加后降低,在x=0.6%时,陶瓷的d33=94 pC/N,kp=0.171,为所研究组成中的最大值,介电损耗tanδ则随x值的增加而增加。 相似文献
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采用Fenton试剂结合超声分散和紫外线照射对CNT进行表面修饰,采用溶胶-凝胶法制备纳米级压电陶瓷(PZT),以CNT作为增强相,结合手动压片与直流极化工艺,制备出CNT改性水泥基压电复合材料。通过红外光谱和分光光度测试,当超声温度60℃、紫外线照射1h时,CNT分散液分散均匀,分散性最好。通过显微测试,CNT和PZT在水泥基压电复合材料中分散均匀,但结构致密度下降。压电常数和相对介电常数分别达到50.6pC/N、412.0,与相同条件下制备的PZT水泥基压电材料相比,分别提高18.5%、4.1%。同时,分散的CNT能发挥宏观量子隧穿效应,使复合材料在几乎不降低材料介电性能情况下更易极化。 相似文献
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压电马达用压电陶瓷的研究 总被引:3,自引:0,他引:3
采用传统的电子陶瓷工艺制备了高性能四元系压电陶瓷 (PZN- PMS- PZT- r Mn O2 )。考察了不同剂量的锰掺杂对压电陶瓷的介电性能和压电性能的影响 ,即室温介电常数 ε、介电损耗 tanδ、居里温度 Tc、机电耦合系数 kp、压电常数 d33和机械品质因数 Qm。随着 Mn含量的增加 ,ε和 tanδ均减小 ;由于内偏置场的影响 ,居里温度 Tc随锰含量的增加而增加。kp 和 d33随 Mn含量的增加而减小 ;而 Qm 表现出较复杂的变化规律 ,随 Mn含量的增加 Qm先增加 ,当 r=0 .2 %时 ,达到最大值 10 0 0 ,当 r>0 .2 %时 ,Qm 下降。实验结果表明 :当 r=0 .2 %的锰掺杂压电陶瓷比较适合制作压电马达 ,其压电性能为 ε=12 0 0、tanδ=0 .0 0 4、Tc=349°C、kp=0 .6 0、d33=380 p C/ N和 Qm=10 0 0 相似文献
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为了解决变容管电调窄带滤波器的插入损耗大和承受功率小的问题,研究了用压电换能器作电调元件的电调介质滤波器.分析了压电换能器调谐介质谐振器的机理,讨论了耦合系数和外部Q值的控制方法,仿真结果表明耦合系数和外部Q值随调谐频率的变化较小.采用HFSS软件设计和优化了两级电调介质滤波器的结构,并用高Q值的介质谐振器制作了两级电调介质滤波器.根据ANSYS软件的分析结果,提出了提高电调率的有效措施.当控制电压为0~50V时,滤波器的中心频率调谐范围为4.155~4.205GHz,3dB带宽为37~40MHz. 相似文献