水热合成PZT纳米晶粉末烧结性及机理的研究

研究水热合成ＰＺＴ压电体纳米晶粉末的烧结性能及其机理。采用ＤＴＡ－ＴＧＡ对这种纳米晶粉末进行了热分析，结果表明，这种结晶粉末的ＰｂＯ挥发温度为９２４．７１°Ｃ，而颗粒之间的反应温度为８１１．２６°Ｃ。与此相反，固相合成ＰＺＴ粉末颗粒之间的反应温度为１２４３．４７°Ｃ，ＰｂＯ的挥发温度为１２１３．２９°Ｃ。水热合成纳米晶结晶粉末的烧结温度比固相法合成低１００°Ｃ左右     

用激光将廉价有机硅烷合成SiC纳米粉的研究

采用激光诱导二甲基二乙氧基硅烷气相合成了ＳｉＣ纳米陶瓷粉,对其合成工艺进行了研究,用多种分析手段对粉体进行了测试表征,同时对合成的非晶纳米ＳｉＣ粉和初期晶化进行了探讨。实验结果表明：通过控制反应物蒸气流量,可对反应温度进行控制,从而实现对粉体组成、结构进行控制。在其他条件不变时,当反应物蒸气流量为７００～８２０ｓｃｃｍ时,可制得较为理想的平均粒径为１０～１５ｎｍ的非晶ＳｉＣ纳米粉;非晶ＳｉＣ纳米粉在１１６０℃氩气氛下晶化处理,开始晶化,由非晶ＳｉＣ经固相反应得到β－ＳｉＣ。     

金属有机物热分解法制备铁电Bi4Ti3O12薄膜

由硝酸铋和钛酸丁酯原料出发，采用金属有机物热分解法在较低温度下（５００～６００°Ｃ）合成了赝正交晶系的铁电Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２多晶薄膜。对其结构进行了ＸＲＤ分析，对其介电、铁电和伏－安特性进行了测试分析。结果表明，晶格常数ａ和ｂ随烧结温度增高而减小，ｃ则不变；晶粒尺寸随烧结温度增高而增大。介电常数随频率增高而减小，损耗角正切随频率增高呈锅底形，在１０３～１０４Ｈｚ范围最低；介电常数随烧结温度增高而增大，是由于晶粒长大、晶界减薄引起的。介电常数和损耗角正切的典型值为１２４和０．０２。５５０°Ｃ以上烧结样品有较好的电滞回线；矫顽电场、自发极化、剩余极化均随烧结温度增加而增大；５５０°Ｃ烧结样品的典型参数值为Ｅｃ＝１２７ｋＶ／ｃｍ、Ｐｓ＝１１．１μＣ／ｃｍ２和Ｐｒ＝８．３３μＣ／ｃｍ２。薄膜样品的直流电阻率约为１０１０～１０１２Ω·ｃｍ，击穿电压约１５～２５Ｖ。     

MOCVD自动控制电路的设计及其应用

本文设计了ＭＯＣＶＤ自动控制电路,该电路既能手动控制又能采用计算机进行自动控制,将该电路应用于ＭＯＣＶＤ系统,成功制备了ＴｉＯ２纳米级超细粉,在５００℃－１０００℃范围内,超细粉的平均晶粒尺寸为７．４～１５．２ｎｍ。     

无团聚,纳米ZrO2增韧Al2O3基陶瓷材料

本文通过微波加热ＺｒＯＣｌ２·８Ｈ２Ｏ的醇水深液．用ＨＰＣ作分散剂．制备出无团聚、单分散的纳米水合二氧化锆。然后采用胶体工艺制备出Ａｌ２Ｏ３－ＺｒＯ２先躯体均混合的粉体。用ＸＲＤ分析ＺＴＡ的相结构。用ＳＥＭ观察断口形貌。结果发现，ＺｒＯ２均匀地分布在ＺＴＡ陶瓷中。粒径小于５００ｎｍ，并且主要以ｔ－ＺｒＯ２形式稳定存在。最后探讨了ＺＴＡ的增韧机制。     

PC—E500与MCS—51单片机的串行通信

介绍了ＰＣ－Ｅ５００袖珍计算机与ＭＣＳ－５１单片机串行通信的硬件连接和通信程序的设计，列举了该系统在测温中ＰＣ－Ｅ５００的软件编程的特点。     

纳米晶Pd─Si薄膜析出相的TEM研究

本文利用ＴＥＭ原位加热手段和选区电子衍射分析方法，对纳米晶Ｐｄ－Ｓｉ薄膜在加热过程中析出的相进行了研究。真空蒸发Ｐｄ＿（８０）Ｓｉ＿（２０）合金而得到的纳米晶Ｐｄ－Ｓｉ薄膜，其晶粒尺寸为１０ｎｍ，结构属ｆｃｃ。随着温度的升高，薄膜中晶粒长大，在局部区域有其它相析出。利用选区电子衍射图确定了这些析出相的结构。     

15W二极管激光器

１５Ｗ二极管激光器由美国加州ＯＰｏｗｅｒＣｏｒｐ公司设计的１５ＷＯＰＣ－ＢＯ１５－ＰＣＴＳ微芯片控制的二极管激光器能用于小面积材料加工，包括加热、焊接和钎焊。光纤传输８３０ｎｍ的光，同时有可见光指示。光纤直径从４００～１．１６ｎｍ，１２×１２×５ｉｎ...     

利用同步晶化法制备的镍纳米晶的电荷存储特性

快速退火纳米晶化法是目前常用的金属纳米晶制备方法,但其后续600~900℃高温退火会降低器件的电学特性和可靠性。本文提出了热预算低的金属纳米晶制备的新方法—沉积过程中的同步金属薄膜原位纳米晶化法,可以省掉后续单独的退火处理工艺,使金属薄膜同步产生纳米晶化,降低工艺热功耗及简化工艺,从而有效地改善上述薄膜沉积后退火纳米晶化法的不足。在不同衬底温度（250~325 ?C）下,利用同步纳米晶化法制备镍纳米晶存储器。随着生长温度的增加,其存储窗口先增加到最大值再降低。衬底温度为300 ?C时,其存储窗口（2.78 V）最大。与快速热退火法镍纳米晶存储器相比较,同步纳米晶化法制备镍纳米晶存储器具有更强的电荷存储能力。另外,研究了不同操作电压和脉冲时间下器件的平带电压偏移量,当操作电压增加到±10 V时出现了较大的平带电压偏移量,这表明器件发生了大量的载流子（电子和空穴）注入现象。最后,模拟了金属纳米晶存储器的载流子（电子和空穴）注入和释放过程。     

(Sr,Pb)TiO3的自燃烧合成及性质

用自燃烧法合成了／单相（Ｓｒ,Ｐｂ）ＴｉＯ３,用ＴＧ、ＤＴＡ、ＸＲＤ、ＴＥＭ等手段分析了干凝胶自燃烧的反应过程,测量了粉末的晶粒尺寸,测试了（Ｓｒ,Ｐｂ）ＴｉＯ３的居里温度。结果表明,自燃烧法合成的（Ｓｒ,Ｐｂ）ＴｉＯ３陶瓷粉末的晶化温度为４１８℃。在５００～７００℃分别煅烧燃烧灰烬１ｈ,得到晶化的微细均匀的陶瓷粉末。５００℃的煅烧产物为主相,一次颗粒约为３０ｎｍ,其他温度煅烧的产物均为中方相,一     

PTCR纳米晶粉体的一步法制备及表征

采用一步溶胶－凝胶法制得了含钡、锶、钙、钛、锂、锰、硅和钇等八种元素的无定形干凝胶粉，经７００℃，１ｈ煅烧得ＰＴＣＲ纳米晶粉体，经ＸＲＤ分析测得粉体平均晶粒尺寸范围为１７～３０ｎｍ，且平均粒径随稀土掺杂量（摩尔分数为０．０８％～２．００％）增加呈现先减小后增大的趋势。常温下粉体以立方相存在。粉体经造粒、压片、烧结成瓷具有ＰＴＣＲ特性     

La掺杂PZST反铁电陶瓷电场诱导热释电现象

研究了Ｌａ掺杂ＰＺＳＴ反铁电陶瓷在不同偏置电场下的场诱热释电特性。在０～１２０°Ｃ温度范围内，热释电的峰值和峰位可以用电场的大小来控制，热释电系数达到１０－７Ｃ／ｃｍ２·Ｋ。     

激光合成纳米硅的可见发光

研究了激光ＣＶＤ合成纳米硅（平均粒径为１４ｎｍ）的可见发光特性。用３００－４５０ｎｍ波长激发时，在４００－６５０ｎｍ区间观测到了发射宽峰。首次发现粒径大于１０ｎｍ的纳米硅在室温下具有可见发光，该现象可用量子限制／发光中心模型来作定性解释。     

铌锌酸铅基铁电陶瓷的热膨胀行为

通过对铌锌酸铅基铁电陶瓷（０．９－ｘ）ＰＺＮ－０．１ＢＴ－ｘＰＴ，（ｘ＝０．０５，０．１５）在０～４５０°Ｃ热膨胀行为的详细测量，结合其相应温度范围内的介电温谱，发现一个弱的一级相变过程，进而探讨了复合钙钛矿结构弛豫型铁电体中局域极化的转变特征。     

热转化温度对PPV的光致发光光谱的影响

在１４０－２７０℃下热转化２ｈ得到了ＰＰＶ，发现随着热转化温度的升高，ＰＰＶ的紫外－可见吸收峰和光致发光峰发生红移，发光强度降低，发光峰数由２个变为１个。通过与ＰＰＶ齐聚物的光致发光光谱的对比，提出５００－５３０ｎｍ峰是短共轭链段的一个光致发光峰的假设。     

底电极对PYZT铁电薄膜电容器的影响

ＰＹＺＴ铁电薄膜电容器的制备采用ｓｏｌ－ｇｅｌ方法,将约５００ｎｍ厚的ＰＹＺＴ薄膜沉积在Ｐｔ／Ｔｉ、Ｐｔ／ＳｉＯ２及Ｐｔ／ＲｕＯ２底电极上,基片为Ｓｉ（１１１）。详细分析研究了ＰＹＺＴ薄膜在不同底电极,不同快速热处理温度下的晶相结构及ＰＹＺＴ铁电薄膜电容器的小信号特性。研究发现,沉积在Ｐｔ／ＲｕＯ２底电极上的ＰＹＺＴ薄膜经８００℃快速热处理具有较接近理想外延ＰＹＺＴ薄膜结构,而且εｒ随着快速热处理温度升高而减小,在８００℃快速热处理条件下其εｒ约为１５０。     

纳米晶Ti中的反常结构

纳米晶Ｔｉ中的反常结构秦勇（中国科学院固体物理研究所，合肥２３００３１）Ｔｉ金属有两种结构：一种是α－Ｔｉ（ｈｃｐ，ａ＝０．２９５０８ｎｍ，ｃ＝０．４６８６ｎｍ）；另一种是高温相β－Ｔｉ（ｂｃｃ，ａ＝０．３３０６５ｎｍ，８８２℃以上）。然而，对于纳米...     

聚合物膜中CdS超微粒的制备及光物理性质研究

本文采用化学合成法在全氟羧酸阳离子交换膜中制备出了性能稳定，具有晶体结构的纳米尺寸的半导体ＣｄＳ超微粒．分析结果表明制得的ＣｄＳ超微粒在吸收和荧光光谱中均显示出显著的量子尺寸效应．随制备条件的不同，其吸收起始波长可从近５００ｎｍ蓝移至４００ｎｍ左右，荧光最大发射峰位也蓝移了１００ｎｍ（７００→６００ｎｍ）．单光子计数测得在膜中ＣｄＳ超微粒子的荧光寿命（约１μｓ）明显长于胶体溶液中的ＣｄＳ超微粒子寿命．     

纳米级β-Ni(OH)2电极材料的制备

采用均相沉淀法使ＮｉＣｌ_2溶液与沉淀剂ＮａＯＨ反应,制备出纳米级Ｎｉ（ＯＨ）_2超微粉末。用ＸＲＤ检测,证实其为电极用β－Ｎｉ（ＯＨ）_2,用ＴＥＭ对样品进行形貌分析,结果表明,所得产物为不规则的颗粒状的纳米晶,粒径为 ２０～４０ ｎｍ。研究还初步探讨了沉淀剂浓度、反应温度、配合剂用量等实验参数对纳米粉组成和结构的影响。并应用正交实验法,对工艺条件进行了优化。将制备出的纳米级Ｎｉ（ＯＨ）_２按一定比例掺入普通的球型微米级Ｎｉ（ＯＨ）_２中,充放电测试结果表明,比容量可增加约１０％。     

电气和电子工程用材料科学

TG113.22,TG132.22005060019非晶Co-Nb-Zr薄膜的纳米晶化及磁性/蒋向东,张怀武,文歧业,石玉(电子科技大学微电子与固体电子学院)//真空科学与技术学报.―2005,25(1).―37～40.采用扫描式差热(DSC)分析、X射线衍射(XRD)、透射电镜(TEM)、梯度样品磁强计(AGM)和磁力显微镜(MFM),研究磁控溅射制备的Co80.8Nb14Zr5.2磁性薄膜,在485℃～550℃间的等温晶化行为以及快速纳米晶化30s后的薄膜结构和磁性。结果表明,非晶薄膜的晶化温度在420℃～450℃,Avrami指数在1.17～1.39,晶化行为以一维形核长大为主。纳米晶Co-Nb-Zr薄膜的磁性能受晶…