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本文从声表面波滤波器的基本原理出发,介绍了我们研制的低损耗声表面波滤波器,给出了实验结果,经实验证实有较好的频率特性。 相似文献
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本文论述了叉指换能器(IDT)模型对声表面波滤波器(SAWF)综合设计的影响;指出了现有综合设计方法共同存在的问题;并提出了一种新的设计思想和方法。该方法能将IDT的物理模型直接纳入SAWF综合设计之中,并能消除现有方法不可避免存在的器件实际响应与设计目标响应之间的偏离,提高SAWF的设计精度。 相似文献
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一、前言 声表面波(SAW)器件以它的独特优点已广泛用于军事、民品电子设备中,由于常规的叉指换能器(IDT)结构,SAW是双向传播的,存在6db的固有传播损耗。如果IDT与外部负载匹配以实现最小的插入损耗,则三次渡越回波抑制只有12db,使幅度和相位波动大到不能使用,通常解决的办法是使IDT失配增大插入损耗来降低三次渡越信号。不用任何办法设计出的常规SAW滤波器插入损耗在20db左右,在中频范围内,在电路中加一级 相似文献
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镜像阻抗连接叉指换能器制作低损耗声表面波滤波器浅探 总被引:1,自引:1,他引:0
介绍了镜像阻抗连接叉指换能器制作低损耗声表面波滤波器的基本原理,给出了研制的在同一种基片上采用不同的镜像阻抗连接叉指换能器制作的不同带宽的低损耗声表面波滤波器,并且可从结果中看到带内波动≤0.3dB。 相似文献
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本文介绍了设计声表面(SAW)低损耗滤波器的叉指换能器(IDT)结构的发展历程,分析了IDT的原理及利弊关系,给出了设计低损耗SAW滤波器用的压电基片参数。 相似文献
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声表面波(SAW)滤波器以及其独特的优点广泛应用于许多电子设备中,尤其在移动通信的主要领域中,更体现了它的优势,但低插入损耗的SAW滤波器是扩大其应用领域的关键,其中主要是叉指换能器(IDT)的结构。本主要介绍SAW滤波器及实现低插入损耗的几种IDT结构。 相似文献
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王玉林 《固体电子学研究与进展》2006,26(4):481-484
介绍声表面波锥形叉指换能器的基本原理,采用折线电极锥形叉指换能器制作的TD-SCDMA制式用96MHz宽带滤波器,1dB带宽4.8MHz,15dB抑制小于6.4MHz,插入衰耗约12dB,封装为SMD(13.3mm×6.5mm)。 相似文献
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根据我们以前的理论,本文提出了一些常用晶体的各种可能的单指无内反射叉指换能器结构,并分析了影响它们性能的几种因素。其中YZ—LiNbO_3,ST—X石英及X,112°YLiTaO_3上的金或金加铬单指结构存在某些缺点,用途受到较大限制,仅适用于带宽较宽及对中心频率准确度要求不太严格的场合。而上述三种基片上的沟槽填铝结构及Y128°LiNbO_3的铝和铝加铬单指结构是比较好的结构,具有比较广泛的用途。最后给出了我们在ST—X石英上用沟槽填铝单指结构研制的一种高带外抑制窄带滤波器的实验结果。 相似文献
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低损耗声表面波滤波器用自然单向换能器 总被引:2,自引:2,他引:0
报道了采用自然单向换能器制作的低损耗声表面波滤波器,介绍了自然单向换能器的基本原理和自然单向换能器用水晶基片的特性参数。最后给出了制作的中心频率为136MHz的声表面波滤波器的频率响应图。 相似文献
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本文对声表面波滤波器生产中出现的初测无信号现象进行了分析,阐明了导致初测无信号的原因有两类,一类是工艺原因引起的工艺性无信号,另一类是材料原因,即材料无压电效应引起的材料性无信号。 相似文献
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本文从分析获得声表面波低损耗的途径出发,概述声表面波低损耗滤波器的最新进展,介绍几种单层工艺制作的实用型声表面波低损耗滤波器结构。并报道我们研究的650MHz高频低损耗滤波器以及10%宽带低损耗滤波器的结果。 相似文献
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提出用REMEZ交换算法①设计声表面波滤波器,以获得最佳的的设计结果,该方法可以设计高性能声表面波滤波器.给出了理论分析,设计过程及设计公式.作为举例,设计了中心频率70 MHz,1 dB带宽为10.2 MHz,矩形系数小于1.14,波动小于±0.4 dB的高性能残余边带滤波器,其性能完全满足使用要求,证明这种设计方法是正确可靠的,是设计高性能声表面波滤波器的一种有效方法. 相似文献
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