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用SEM研究高聚物的微观形态结构 总被引:5,自引:1,他引:4
用扫描电子显微镜(SEM),对HDPE/CaCO3填充高聚物、PP/EPDM高聚物共混物和PA/CF增强复合材料的微观结构形态进行了研究,并分析了各材料的改性机理,证明了SEM技术在高分子多相体系的形态结构、界面状况、损伤机制及材料性能预测等研究中发挥着重要作用。 相似文献
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对CMOS电路中的ESD损伤进行了研究,建立了ESD灵敏度分类的测试,并通过实验研究了“电阻、二极管、电弧隙”输入保护网络各参数对ESD灵敏度的影响,提出了一种NPN防ESD结构,得到了ESD失效阈值电压达2000V以上的抗ESD结构。 相似文献
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锂掺杂NiMn系NTC热敏电阻的制备与性能研究 总被引:1,自引:0,他引:1
介绍对NixMn3-xO4NTC热敏电阻材料进行锂掺杂的两种方法,并对掺杂后的电阻性能进行了研究。结果表明:掺杂后仍可获得尖晶石结构的半导瓷,但阳离子分布改变;在晶粒间界处发生偏析;掺Li后电阻率、材料常数B基本不变,但电学稳定性提高。 相似文献
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电铸材料由于具有独特的显微组织结构和晶粒生长方向的可控性而广泛地应用于工业及军事等领域。本文应用电铸法制备超细晶粒金属Cu ,对电铸工艺参数与形成的材料的微观组织的关系进行了探讨。运用扫描电子显微镜 (SEM )、透射电子显微镜(TEM)和EPSD等实验手段 ,对电铸Cu的显微组织及晶粒的生长方向进行了系统的研究 ,对超高速塑性变形机理进行了初步探讨。实验方法电铸法加工是在芯模上电沉积一定厚度的连续金属后再与之分离得到金属薄壳零件的成形技术 ,它是利用电解原理的相反过程来进行的[1] 。本研究采用不锈钢芯模作为阴… 相似文献
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本文利用TEM研究了新型复相陶瓷刀具材料Jx-2-Ⅰ的界面结构,结果表明,在Jx-2-Ⅰ中Al_2O_3/SiCw(氧化铝/碳化硅晶须)界面和Al_2O_3/SiCp(碳化硅颗粒)界面结合良好,形成了具有较高强度的微观结构;发现在SiCw、SiCp和Al_2O_3晶粒上均有位错产生,在SiCp和Al_2O_3上有孪晶产生;分析表明,位错和孪晶的产生均吸收大量的断裂能,提高材料的断裂韧性,改善JX-2-Ⅰ材料的整体性能。 相似文献
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研究了半导化元素Y和第二相添加剂SiO2对PTCR型(Sr,Pb)TiO3陶瓷材料电学性能的影响。结果表明,Y和SiO2的含量对材料的半导化性能影响显著,它们的较佳的含量(摩尔分数)分别在0.1%~0.6%和0.2%~0.5%之间,最低电阻率可达10Ω·cm。借助复平面阻抗分析发现,无论是SiO2添加剂还是半导化元素Y都主要是通过影响材料的晶界行为而控制材料的宏观电学性能的。 相似文献
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对BaTiO3基PTC陶瓷进行替代掺杂 ,合适的掺杂量会改善PTC效应、室温电阻、耐压性能。当掺杂合适的Ca ,可使晶粒尺寸变小 ,均匀性提高 ,从而大大改善其PTC材料耐压性能[1] 。对需改善耐压性能的产品 ,可采用此方法。本研究利用TN5 40 0能谱仪和DX -3扫描电镜对掺杂Ca的BaTiO3基PTC陶瓷进行观察分析 ,研究掺杂Ca与PTC陶瓷微观结构关系 ,Ca在晶粒、晶界分布情况及其分布与耐压性能 ,瓷体表面状况的关系。此研究有助于改善PTC耐压性能和调控PTC生产工艺。使用TN5 40 0能谱仪及DX -3电镜在工作电… 相似文献
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钌系厚膜电阻器阻值受烧结温度影响机理的探讨 总被引:1,自引:0,他引:1
本文介绍了钌系厚膜电阻器阻值受烧结温度影响机理的研究。用AFM、SEM和AES分析了经不同峰值温度烧成的厚膜电阻体、电阻体与陶瓷衬底和电阻体与电极界面的结构和成份。研究表明,不同峰值温度烧成的厚膜电阻器,由于微观结构的不同,其阻值存在着较大的差异。 相似文献
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Ta2O5对TiO2基压敏陶瓷半导化的影响 总被引:3,自引:0,他引:3
研究Ta2O5对(Sr,Bt,St,Ta)掺杂的TiO2基压敏陶瓷半导化的影响,发现随着Ta2O5增加,晶粒电阻呈现“U”字型变化规律,按照配方TiO2+0.3%(SrCO3+Bt2O3+SiO2)+0.1%Ta2O5(摩尔分数)配制的样品的晶粒电阻最小,这表明适当增加施主Ta2O5的含量有助于材料晶粒的半导化。 相似文献
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降低表面电场原理可大大提高LDMOST的器件性能。本文详细研究了用RESURF原理设计的LDMOST的开态电阻与击穿电压的理论分析模型,并根据这一模型对RESURF LDMOST的优化设计深入的讨论。最后评价了高压RESURF LDMOST在保持器件耐压不变时降低其开态电阻的几种方法。 相似文献
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纳米晶软磁合金(Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B9)的典型结构为两相:即大小为15nm的FeSi小晶粒相弥散分布于剩余非晶基体相中。在离子减薄制备的电镜样品中,孔的边缘往往有一些无颗粒区。我们用EDS研究了其化学成分,发现这些无颗粒区的成分不同于理论估计的非晶基体相的化学成分,也不同于材料原来的平均成分。其电子选区衍射(SAD)花样既和两相区的衍射花样不同,表现为d=0.27nm附近的一个非晶衍射环,也和制备态的非晶衍射环不同,说明这些非晶区可能是在样品的离子减薄过程中二次非晶化引起的。 相似文献
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本文利用TEM研究了新型复相陶瓷刀具材料JX-2-I的界面结构,结果表明,在JX-2-I中Al2O3/SiCw(氧化铝/碳化硅晶须)界面和Al2O3/SiCp(碳化硅颗粒)界面结合良好,形成了具有较高强度的微观结构,发现在SiCw,SiCp和Al2O3晶粒上均有位错产生,在SiCp和Al2O3上有孪晶产生,分析表明,位错和孪晶的产生均吸收大量的断裂能,提高材料的断裂韧性,改善JX-2-I材料的整体 相似文献
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采用深能级瞬态谱仪(DLTS)测试多晶硅n+p二极管势垒区深能级谱。利用DLTS实验结果,对G.Baccarina等提出的均匀陷阱模型进行修正,提出多晶硅晶粒间界的线性陷阱模型。运用该修正模型,可采用迭代法求得多晶硅电学参数──势垒高度Eb、电导率激活能Ea与多晶硅掺杂浓度Nc间关系。计算结果表明,多晶硅晶粒间界的线性陷阱模型具有理论合理性。 相似文献
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采用深能级瞬态谱仪(DLTS)测试多晶硅n^+p二极管势垒区深能级谱。利用DLTS实验结果,对G.Baccarina等提出的均匀陷阱模型进行修正,提出多晶硅晶粒间界的线性陷阱模型,运用该修正模型,可采用迭代法求得多晶硅电学参数-势垒高度Eb、电导率激活能Ea与多晶硅掺杂浓度Nc间关系。计算结果表明,多晶硅晶粒间界的线性陷阱模型具有理论合理性。 相似文献
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电化学制备CuxS薄膜特性的研究 总被引:2,自引:0,他引:2
采用电化学方法在铜衬底上制备CuxS薄膜,在一定反应温度、电压、时间条件下,作为电极的铜片衬底可生成一层深蓝色的质量 地均匀的CuxS薄膜。实验发现,生成的CuxS薄膜主要居为Cu2S,具有良好的半导体性质,且其电导率与东膜退火温度有很大关系。通过XRD、SED等方法对样品的组织结构、光电性能进行了研究。 相似文献
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对Pt/Si快速热退火固相反应形成超薄PtSi薄膜进行研究。溅射Pt薄膜的厚度在5~20nm之间,用AES,XRD,RBS,SEM等分析测试手段对固相反应Ptsi薄膜的结构特性进行观测,并对PtSi/n-Si肖特基结电学性能进行了测试。实验结果表明,550~600℃快速返火有利于Pt/Si反应形成性能优良的PtSi/Si肖特基势垒接触。 相似文献