辐照剂量率对明胶自由基和性能的影响

为探讨剂量率对明胶分子辐照分解的影响机理,采用电子自旋共振(ESR)、凝胶渗透色谱(GPC)等检测技术分析明胶经剂量率为60、480Gy/min 60 Co以及剂量率为12 000Gy/min加速器辐照0~32kGy剂量后,自由基特征、明胶性能与剂量率的关系。结果表明,未辐照明胶ESR信号微弱,三种辐照方式处理后的明胶均呈现相似的ESR双峰特征;相同吸收剂量下,明胶自由基信号强度由大到小依次为60Gy/min 60 Co辐照明胶、480Gy/min 60 Co辐照明胶和12 000Gy/min加速器辐照明胶;60 Co辐照后自由基信号强度(y)与剂量(x)的线性关系为y=26.983x2+1 641.8x-205.69;辐照明胶特性黏度、平均相对分子质量、凝胶强度和断裂伸长率由高到低依次为480Gy/min 60 Co辐照明胶、12 000Gy/min加速器辐照明胶和60Gy/min 60 Co辐照明胶。可见,高剂量率辐照可能减少明胶中有效长寿命自由基的含量,从而抑制明胶辐照灭菌中性能的劣变。     

双极晶体管的高温变剂量率辐照效应

研究了双极晶体管的变剂量率电离辐射损伤,发现从高到低的变剂量率辐照更有利于低剂量率辐射损伤增强效应的加速评估.     

JFET输入运算放大器不同剂量率的辐照和退火特性

本文对几种不同型号的JFET输入双极运算放大器在不同剂量率(1、0.1、0.01及10-4、6.4×10-5Gy(Si)/s)辐照下的响应规律及随时间变化的退火特性进行了研究。结果显示,由于制作工艺相异,不同型号JFET输入双极运放对不同的剂量率辐照也表现出响应差异,但总的来说可分为三大类:第一类明显具有低剂量率辐照损伤增强效应,但同时又有时间效应的关系;第二类虽有不同剂量率的辐照损伤的差异,但这种差异可通过相同时间的室温退火来消除;第三类无剂量率效应,但有明显的“后损伤”现象。文中对引起电路辐照损伤差异的机理进行了探讨。     

高速CMOS电路电离辐照损伤的剂量率效应

对国产加固５４ＨＣ０４高速ＣＭＯＳ电路进行了不同剂量率的辐照响应和室温退火特性研究。探讨了５４ＨＣ０４电路在不同剂量率辐照下的损伤机理和失效模式的差异及其对高速ＣＭＯＳ电路在辐射环境中应用可靠性的影响。     

重离子辐照诱导DNA双链断裂的剂量率效应

利用不同剂量率的50MeV/u^12C^6 辐照B16黑色素瘤细胞的脱蛋白DNA,采用脉冲场凝胶电泳技术对DNA双链断裂（DSB）的诱导和片段的分布进行了研究。结果发现,在剂量率分别为3Gy/min和30Gy/min的情况下,DNA片段释放百分比（PR）都随着剂量的增加而增加,并在超过一定剂量之后趋于相似的准阈值;3Gy/min辐照诱导DSB的产额为0.40DSBs(100Mbp.Gy）,30Gy/min辐照诱导的DSB产额准确值无法得到;30Gy/min辐照诱导DSB的截面为2.14μm^2,是3Gy/min的3.1掊。所有结果都表明剂量率越高,诱导DSB越有效。另外,3Gy／min辐照诱导DSB片段在－860kbp处有一个片段峰,而30Gy/min没有,说明剂量率可以影响DSB片段的分布。     

低剂量率辐照损伤增强效应的高温辐照加速试验机理研究

本文建立了包含温度场的低剂量率辐照损伤增强效应(ELDRS)的物理模型,利用有限元方法仿真了辐照温度、剂量率、总剂量和辐射感生产物浓度的相互关系,分析了工艺参数,如氧化物陷阱浓度、能级,含H缺陷浓度及界面陷阱钝化能对最佳辐照温度的影响。结果表明,最佳辐照温度是辐射感生产物产生与退火相互竞争的结果,且辐射感生产物的退火行为是决定最佳辐照温度的主要因素,因此氧化物陷阱的热激发能及界面陷阱的钝化能对最佳辐照温度的影响最为明显,是不同器件最佳辐照温度差异性的主要原因。     

ESR测年研究中水成沉积物对不同人工辐照剂量率响应初探

本文以水成沉积物为研究对象,在实验室常用辐照剂量率1×10-1-1×102Gy/min范围内,选择不同的剂量率对同种样品进行辐照,观察不同剂量率辐照下Al心ESR信号的剂量响应曲线特征.实验结果表明,不同人工辐照剂量率对水成沉积物样品的剂量响应特征没有影响,现有的人工辐照技术能够满足我们的实验要求.     

双极晶体管不同剂量率的辐射效应和退火特性

不同类型和型号的国产及进口双极晶体管的不同剂量率的辐照效应及退火特性进行了研究。结果表明：在辐照的剂量率范围内,无论是国产还是进口的双极晶体管,都有明显的低剂量率辐照损伤增强现象,且NPN管比PNP管的明显。文中对引起双极器件辐照损伤差异的机理进行了探讨。     

剂量和剂量率对辐射随机性效应的影响—剂量和剂量率效能因子

本文主要依据联合国原子辐射效应科学委员会１９９３年报告附件Ｆ，对剂量往日旧率效能因子的定义、取值、影响因素及应用时的剂量范围进行了讨论。     

不同偏置对NPN双极晶体管的低剂量率电离辐照损伤的影响

对NPN双极晶体管进行了低剂量率下不同偏置条件的电离辐射实验。结果表明,不同偏置条件下的低剂量率辐射损伤具有明显差异。基-射结反向偏置时,其过剩基极电流最大,电流增益衰减最为显著。而基-射结正向偏置时,过剩基极电流和电流增益衰减都最小。讨论了出现这种结果的内在机制。     

剂量率对γ射线制备农用吸水树脂性能的影响

本研究主要确定吸收剂量率对两类吸水树脂性能(吸水性能、接枝率)的影响,为工业上大量辐照吸水树脂的辐照工艺提供理论依据。使用60 Coγ辐射引发农用吸水树脂接枝交联。实验结果表明:总剂量为4~10kGy的情况下,剂量率较低时(0.8~1.2kGy/h)合成类的吸水树脂聚合不完全,不能形成最终的达标产品;淀粉类吸水树脂在设定的剂量率范围内,可完成反应。剂量率对合成类和淀粉类吸水树脂的吸水倍数、凝胶强度都有一定影响。在此剂量率范围的试验样品接枝率都在95%以上;由于实验使用的交联剂较少,因此剂量率对交联度的影响不大。合成类树脂的保墒效果较好,试验15d后土壤含水量最高为17%,延长灌溉周期15~20d;两类吸水树脂的催芽效果显著,均在93%以上。     

变温恒剂量率辐照加速评估方法在双极线性稳压器LM317上的应用

对3个公司生产的同一型号双极线性稳压器LM317进行了工作和零偏偏置下高、低剂量率辐照,变温恒剂量率辐照及美军标恒高温恒剂量率辐照的对比实验。结果表明,与恒高温恒剂量率辐照相比,变温恒剂量率辐照不仅能非常准确、快速地评估出在不同偏置条件下3款双极线性稳压器的剂量率效应,还可较好地模拟双极线性稳压器在低剂量率辐照下的损伤。实验结果验证了变温恒剂量率辐照加速评估方法在双极线性稳压器上应用的可行性。     

小剂量照射的抑癌增强作用及其对皮肤组织的影响

本文采用H22肝癌小鼠肿瘤模型探讨小剂量照射的抑癌增强作用的优化剂量和作用机制。实验结果剂量辐射具有抑癌增强作用，与化疗组相比联合治疗组种瘤生长速度显著降低（P＜0．01），腹水癌细胞死亡率显著增加（P＜0．01）。小剂量照射与环磷酰胺协同杀伤癌细胞可能是其机制之一。^60Coγ线照射对荷瘤小鼠皮肤Zn含量有一定程度的影响。本实验条件下既有抑癌增强作用又地皮肤Zn含量影响较小的优化剂量为14cGy。     

国产工艺的部分耗尽SOI MOSFET总剂量辐照效应及可靠性

对国产工艺的部分耗尽SOIMOSFET60Coγ射线的总剂量辐照效应及其可靠性进行了研究。结果表明:辐照引入的氧化物陷阱电荷是阈值电压漂移的主要因素;背栅对总剂量辐照更为敏感,但在背栅特性漂移未超出一定范围的情况下,依然是正栅氧化层质量决定了器件的抗辐照性能;界面态陷阱电荷的散射作用降低了器件的源漏饱和电流;总剂量辐照后器件的常规可靠性可能会降低。     

TLD佩戴位置对估算外照射事故个人剂量的影响

本文报道了~(69)Co γ射线外照射个人剂量估算的体模实验结果,给出了不同照射几何条件下的器官剂量,有效剂量当量与个人剂量计吸收剂量的比值(DROP),并对剂量计的几种佩戴位置进行了比较。     

电子束辐射对铜绿微囊藻蛋白质及抗氧化体系酶活性的影响

铜绿微囊藻以其毒素和产生的嗅味威胁人类健康和安全,且因大量生长和难去除性给水处理带来困难。本文以电子加速器产生的电子束对铜绿微囊藻培养液（对数生长期）分别进行1、2、3、4和5 kGy剂量的辐射,通过考察藻细胞蛋白质、抗氧化体系酶活性及光合速率的变化,研究辐射对铜绿微囊藻生命特征及机能产生的影响。结果表明：1 kGy的辐射对藻细胞可溶性蛋白质及POD、SOD活性的影响较小;而2～5 kGy的辐射明显降低了蛋白质含量,并破坏了藻细胞的抗氧化系统,光合速率也因辐射明显降低,使铜绿微囊藻短时间内失活。表明一定剂量的电子束辐射能有效控制藻细胞生长,并影响其重要生命特征。     

非医疗用品辐照加工剂量设定方法研究

针对非医疗用品杀菌的辐照加工剂量设定缺少标准方法的问题,根据理论分析,结合辐照加工实践,总结一种实用的辐照加工剂量设定方法。该方法基于产品初始污染菌落总数和目标菌落总数,产品经梯次剂量辐照实验,分别检测辐照后菌落总数,检验其菌落总体辐照抗性,然后通过多项式拟合得到辐照剂量与微生物减少量级（DM）之间的关系式。结果表明,对于食品杀菌等辐照加工,由于非医疗用品辐照剂量低,在辐照精度范围内取梯次剂量点较少,辐照剂量与微生物减少量级之间的函数关系采用3次或者4次多项式拟合较好,5次及以上多项式拟合会出现错误。该方法初步应用于辐照加工,取得了较好的效果,表明该方法可用于指导非医疗用品杀菌辐照加工的剂量设定,对于准确设定辐照剂量,合理降低产品受照剂量有重要意义。     

EEPROM瞬时剂量率效应实验研究

对3种不同容量的EEPROM开展了"强光一号"瞬时剂量率效应实验研究,测量电路的剂量率闩锁特性、高剂量率辐照下的数据保持能力及电路功能。辐照前,利用编程器在EEPROM中全地址写入55H,加电辐照,测量辐照后的电源电流;辐照后,再利用编程器对EEPROM的存储数据及读写功能进行测量。研究结果表明:EEPROM在瞬时辐照下,主要表现为外围电路的剂量率闩锁效应;在1.0×109 Gy(Si)/s的高剂量率辐照下,3种电路存储的数据保持完好,未发生变化,存储器的擦除、编程及读出功能正常。给出了3种EEPROM电路的剂量率闩锁阈值,并对EEPROM的瞬时剂量率效应特点进行了分析。