液相还原-步法制备超细铜纳米流体的研究

采用硼氢化钾液相一步法还原硫酸铜水溶液,加入了络合剂EDTA-2Na和阳离子型分散剂CTAB(C19H42NBr),获得了铜纳米流体。由动态光散射粒度分析仪测得加入0.05mol/LCTAB的纳米流体的平均粒度仅为1.02nm,经X射线衍射分析离心分离所得粉末绝大部分为纯净的纳米铜粉,还存在极少量的Cu2O,这受到络合剂EDTA-2Na化学反应的影响。     

针状纳米铜的制备及其改性环氧树脂导电性能的研究

采用液相化学还原法,在水体系中,以醋酸铜为前驱体,坏抗血酸(Vc)为还原剂,引入微波辐照,加入适量自制表面活性剂为修饰剂,合成了长约90nm、直径为3nm的针形纳米铜.通过X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)和热重-差热分析(TG-DSC)对纳米铜进行了表征.将所制备的纳米铜添加到环氧树脂中并制成涂层,经数字导电仪检测,与添加球形纳米Cu的涂层相比,该涂层获得了优异的导电能力.前者pV=3.41×10-5Ω·m,后者ρV=8.9×10-5Ω·m.     

液相法合成纳米氧化锌的研究进展

综述了近年来合成纳米氧化锌的液相方法,包括沉淀法、水热法、溶剂热法、溶胶-凝胶法、微乳液法等.分析了这几种方法的优缺点和最新的研究进展.同时指出,微波、超声等新技术也引入到液相法纳米氧化锌的制备工艺中,纳米氧化锌合成的未来发展方向是合成技术综合化.     

多元醇还原制备纳米Co粉及其磁性的研究

采用二价钴盐为前驱物,1,2-丙二醇为还原剂,用液相还原法制备了晶粒尺寸约为10～13nm、具有面心立方(β相)结构的纯度高、粒度均匀的纳米钴粉,运用XRD、TEM等分析方法对制备的纳米钴粉进行物相和结构形貌的表征,初步研究了多元醇法还原Co纳米粉的反应机理.采用VSM对纳米钴粉进行磁学性能的表征.结果表明,所制备的纳米Co粉在室温下具有铁磁性,并且矫顽力不高(6.282×103A/m).     

液相化学还原法制备分散稳定的纳米铜溶胶

以硫酸铜为铜源,水合肼为还原剂,聚乙烯吡咯烷酮(PVP)为保护剂,十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)为分散剂,采用液相化学还原法制备纳米铜溶胶。通过单因素法考察了体系的反应温度、PVP用量、CTAB用量和水合肼浓度等对纳米铜溶胶合成的影响,获得制备高分散稳定纳米铜溶胶的适宜条件。纳米铜溶胶通过紫外-可见吸收光谱(UV-Vis)和透射电镜(TEM)表征,而铜纳米粒子(CuNPs)则通过红外光谱(FTIR)、X射线衍射(XRD)和热分析(TG)检测。研究结果表明:纳米铜溶胶具有较高的稳定性;CuNPs的粒径分布为10～30nm,其表面吸附有少量的保护剂PVP,有利于防止CuNPs的团聚及氧化,使其具有良好的分散性。     

液相还原法制备纳米镍粉

为优化纳米镍粉的液相还原法制备工艺,本文以硫酸镍为主盐,水合肼为还原剂,水浴75 ℃条件下,选取产物纯度、产物粒径、反应速率等关键指标开展工艺优化试验,分别研究了NaOH加入量、溶剂种类、有无分散剂,反应物摩尔比,加料顺序五个变量对于镍粉制备的影响.采用XRD和TEM对产物镍粉进行了表征.结果表明,NaOH的加入量影响产物组成,溶剂种类影响产物粒径大小,分散剂对产物的团聚状态有影响,反应物摩尔比以及加料顺序影响体系的反应速率.最终获得如下的优化工艺：NaOH的加入量在0.015~0.02 mol,乙醇和乙二醇做反应溶剂,加入分散剂PVP,反应物摩尔比为4: 1以及采用氢氧化钠与水合肼混合后再向混合溶液中加入硫酸镍溶液的顺序可以获得较为纯净、粒径较小、分散性好的球形纳米镍粉,并且有较快的反应速率.     

纳米铜粉的制备及其分散性研究

采用液相还原法制备纳米铜粉和纳米铜胶体,选用十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)或聚乙烯吡咯烷酮(PVP)为分散剂,通过X射线衍射仪、扫描电镜对纳米铜粉进行表征,通过重力沉降法测试纳米铜胶体的稳定性。结果表明:液相还原法能够制备纯度较高的纳米铜粉;CTAB浓度为0.12 mol/L时,铜粉平均粒径最小,为20 nm,CTAB浓度为0.14 mol/L且超声粉碎20 min时,纳米铜胶体最稳定;PVP浓度为6×10^-4 mol/L时,铜粉平均粒径最小,为20 nm,PVP浓度为7×10^-4 mol/L且超声粉碎20 min时,纳米铜胶体最稳定。     

1,2丙二醇液相还原法制备纳米镍粉的研究

采用有机醇液相还原工艺,用1,2丙二醇作还原剂,制备了晶粒尺寸小于50nm,具有面心立方晶体结构的纳米镍粉,运用XRD,TEM和SAED微观分析手段,研究了还原体系,中间相和NaOH浓度等因素对制备纳米粉的影响,结果表明：与乙醇相比,采用丙二醇作还原剂可获得粒径更小的纳米粉,且可明显缩短反应时间,对醇－水体系和醇溶液两种反应条件下的还原反应的分析表明,反应历程不同,纳米镍粉的纯度和粒度也不同。     

液相还原法制备铜纳米线及其在透明电极方面的应用

综述了液相还原法制备铜纳米线及包覆有其他物质的铜纳米线制备技术的最新进展;通过与其他透明电极的比较,探讨了铜纳米线在透明电极方面的潜在应用优势,总结了铜纳米线在透明电极方面的研究进展;最后展望了铜纳米线的应用前景。     

液相法合成纳米金属氧化物晶体

采用液相法(溶胶-凝胶法)在阴离子交换树脂和乙醇溶剂的辅助作用下直接合成纳米级的金属氧化物晶体和掺杂的金属氧化物晶体,经乙酸异戊酯为溶剂共沸干燥后得到高分散性的纳米微粉.电子显微镜和X衍射光谱的分析,证实了这些高分散性纳米微粉具有明确的晶体结构,并且表现出很高的光催化活性和抗菌灭菌的性能.     

微波辅助液相还原法制备超细铜粉

以硫酸铜为原料,水合肼为还原剂,采用微波辅助液相还原法制备了超细铜粉,研究了微波的引入对超细粉体制备的影响,通过XRD、激光粒度分析和TEM表征了粉体的结晶性能、粒度度以及粉体的形貌,研究表明,微波的引入可以明显加速晶化反应的进行,在较短时间内制得的铜纳米晶发育好于传统热处理方式制得的铜纳米晶。     

葡萄糖预还原-水合肼液相法制备纳米铜粉

通过单因素条件试验,找出了用葡萄糖预还原-水合肼液相还原法制备纳米铜粉的条件,再通过正交法得到最佳还原条件。试验表明：还原法得到的铜粉纯度高,结构成分更好控制,原料成本低廉,制备出的产品粒度分布窄且粒径小,还原彻底,不易产生CuO和Cu2O等杂质。     

液相高分子保护纳米粒子形状可控制备研究进展

由于纳米材料具有极小的粒径,因而其性质与大粒径本体材料的有很大的区别,近年来发现纳米粒子的形状也是影响其材料性能的重要因素.各种具有特殊形状纳米粒子的合成及其形状控制机理的研究正受到越来越多学者的关注.就这方面的研究进展作一综述.     

聚合物包覆纳米Fe的液相法制备与磁性能分析

采用NaBH4液相化学还原工艺在溶剂中以PVP-VAc嵌段共聚物形成的微反应器中制备表面包覆有嵌段共聚物的金属铁纳米颗粒,通过XRD、TEM、紫外和红外光谱对其结构和形貌进行分析,用振动样品磁强计分析其磁性能,XRD表明所制备的纳米铁粉为体型立方晶;TEM显示样品为球形,且分散良好,颗粒尺寸在12-35nm之间;紫外和红外光谱分析表明,纳米铁颗粒表面包覆了PVP-VAc嵌段共聚物;磁滞回线显示,纳米铁粉的矫顽力为190Oe,饱和磁化强度为18.6emu.g-1。     

液相沉积法制备氧化物薄膜

本文介绍了一种新的湿化学成膜法－液机沉积法,对液相沉积法制备氧化物薄膜的原理、工艺流程及成的种类和性能进行了详细阐述,并概述了其发展和应用前景。     

微波辐照液相法合成石墨烯

以天然鳞片石墨为原料, 采用Hummers法先制备出石墨氧化物, 再采用微波辐照法在N-甲基吡咯烷酮(NMP)溶剂中合成出石墨烯. 微波辐照选择性地加热NMP溶剂, 同时石墨氧化物因其含氧官能团分解成CO、CO₂、H₂O气体而得以剥离和还原. 通过XRD、SEM、EDS、TEM、HRTEM、SAED、XPS和Raman测试手段对所合成的石墨烯进行了表征. 结果表明, 所合成的石墨烯尺寸为几微米, 呈透明绢丝状结构, 每个石墨烯片含有2~5层石墨层; 所合成的石墨烯可以均匀地分散在NMP溶剂中.     

化学还原法制备纳米铜粉的研究

本文采用KBH4在液相中化学还原CuSO4,并加入KOH和络合剂EDTA ,制得了纳米级的纯净的铜粉 ,通过调整反应物的浓度 ,可以消除Cu2 O等杂质。制备的纳米铜粉还存在一定程度的团聚 ,需试验加入分散剂来改善。     

湿化学还原法合成Co纳米粒子的研究

对水合联氨溶液直接还原法制备金属钴粉作了热力学分析并进行了实验研究,采用EDTA容量滴定分析法、X射线衍射分析(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)对钴粉的纯度、形貌、粒度及晶型进行分析表征,结果表明:在氯化钴溶液体系中,以水合联氨为还原剂,硼氢化钾为晶核引发剂,柠檬酸钠为络合剂,可制备纯度为99.5%、粒径为5～15nm的纳米金属钴粉.钴粉为混晶型产物,分别为密排六方晶型(HCP)和面心立方晶型(FCC).     

Determination of Vapor Pressure of Liquid Copper by Carrier Gas Method

The relationship between the vapor pressure of liquid copper and the flow rate of carrier gas argon was discussed, when the carrier gas method was used to determine the vapor pressure of liquid copper at 1892 K. The proper argon flow rate range obtained was 150-500 mL/min and enough evidence was provided to verify the vapor pressure-flow rate of carrier gas relationship at the target temperature. Based on the proper flow rate range, the vapor pressure of liquid copper was measured at 1609-1892 K. The relationship of vapor pressure-temperature obtained by the method of regression analysis can be expressed as： In（p/Pa） = （25.470 -I- 0.903） - （39099.8 -4- 1574.5）/T, Further, the thermodynamic properties including the heat of vaporization and the Gibbs free energy of the Cu （I） = Cu （g） reaction were calculated by the vapor pressiJre obtained over the temperature range covered.