不同形成液对低压铝阳极电容量的影响

研究了磷酸－氨水，已二酸铵－－水系和加入ＮＨ４Ｈ２ＰＯ４等形成液对形成后低压铝阳极电容量的影响。结果表明，加入ＮＨ４Ｈ２ＰＯ４后的已二酸铵－水系形成液在２０－３０伏形成电压时为最佳。     

Al0.85Ga0.15As/GaAs太阳能电池器件工艺优化研究

报道了优化的ｐ－ｎ型Ａｌ０．８５Ｇａ０．１５Ａｓ／ＧａＡｓ太阳能电池器件工艺。分别采用真空蒸发Ｃｒ／Ａｕ和ＡｕＧｅＮｉ／Ａｕ制作下面栅线和背面电极,并分别在４５０℃和３５０℃下快速合金化形成欧姆接触。采用ＮＨ４ＯＨ：Ｈ２Ｏ２：Ｈ３ＰＯ４：Ｈ２Ｏ体系的选择性腐蚀液去除高掺杂的ＧａＡｓ接触层。采用真空蒸发技术制备ＺｎＳ／ＭｇＦ２双层复合减反射层。测试结果表明,采用优化工艺制备的器件的光电转换效率得到了     

低温PECVD法制备半导体的复合钝化膜

本文主要是以ＳｉＨ４、Ｎ２Ｏ和Ｓｉ３Ｈ４、ＮＨ３、Ｎ２作为气体源，在平行板电容耦合式淀积设备上，采用等离子增强化学气相淀积（ＰＥＣＶＤ）法制备ＳｉＯ２－Ｓｉ３Ｎ４复合钝化膜。     

一种简便有效的多孔硅后处理新方法

本文报道了一种简便有效的多孔硅（ＰＳ）后处理新方法，即在（ＮＨ４）２Ｓ／Ｃ２Ｈ５ＯＨ溶液中浸泡ＰＳ，并用紫外光辐照激发．后处理ＰＳ的光致发光（ＰＬ）强度约为未经处理的５倍；样品处理后的ＰＬ峰值９０ｍｉｎ内随激光连续激发时，在大气中呈现先指数衰减后线性增长，在真空（约１Ｐａ）中却呈现一直衰减到一个稳定值的新特点．通过样品的傅里叶变换红外吸收（ＦＴＩＲ）谱的测试与分析，表明后处理在样品表面产生了ＳｉＨ（Ｏ３）、Ｓｉ－Ｏ－Ｓｉ和Ｓｉ３Ｎ４三种提高ＰＳ的ＰＬ强度和稳定性的优质钝化膜     

GaAs、GaP、InP、InGaAsP、AlGaAs、InAlGaAs的化学腐蚀研究

为研制全集成光开关、微片式激光器等，对ＧａＡｓ、ＧａＰ、ＩｎＧａＡｓＰ、ＩｎＡＩＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ等材料的化学腐蚀进行了实验研究。为了研制ＩｎＡｌＧａＡｓ／ＩｎＡｌＡｓ／ＩｎＡｌＧａＡｓ微片式激光器，开发了Ｈ３ＰＯ４／Ｈ２Ｏ２／Ｈ２Ｏ薄层腐蚀液和ＨＣｌ／Ｈ２Ｏ选择性腐蚀液；为了研制ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓＰＴｂａｒ型光波导，开发了ＨＣｌ／Ｈ３ＰＯ４／Ｈ２Ｏ２薄层腐蚀液和ＨＣｌ／Ｈ２Ｏ２选择性腐蚀液；为了研制ＧａＰ、ＩｎＧａＰ光波导，开发了ＨＣｌ／ＨＮＯ３／Ｈ２Ｏ薄层腐蚀液。它们都具有稳定、重复性好、速率可控、腐蚀后表面形貌好等特点。除此之外，蚀刻成的ＧａＰ光波导侧壁平滑无波纹起伏。此种结果尚未见报导。     

C2H2／H2／SiH4等离子体聚合及其沉积物的结构与性能的研究

利用Ｃ２Ｈ２／Ｈ２／ＳｉＨ４混合单体等离子体聚合沉积在ＨＤＰＥ板表面制备薄膜，发现薄膜与ＨＤＰＥ粘接良好，Ｈ２使薄膜与基体附着性能提高但其沉积速率下降，而引入ＳｉＨ４则使薄膜的耐磨性能有较大的提高。ＩＲ和ＸＰＳ光谱表明：薄膜中含有较多的－ＯＨ，Ｏ－Ｃ，Ｃ－Ｓｉ和Ｓｉ－Ｏ基团，随着ＳｉＨ４／Ｈ２的增加薄膜中的Ｃ／Ｓｉ比可达１．２２２，说明产物的结构介于无机材料和有机物之间。     

NH3／H2O2溶液腐蚀下多孔硅光致荧光

用光致荧光谱、傅里叶变换红外光谱（ＦＴＩＲ）和扫描电子显微镜（ＳＥＭ）对用阳极氧化法制成的多孔硅层在１％ＮＨ３／Ｈ２Ｏ２溶液中的腐蚀现象进行了研究。红外分析表明，Ｓｉ－Ｏ键和Ｈ－Ｏ键的强度随ＮＨ３／Ｈ２Ｏ２溶液的腐蚀时间的增加而增加，Ｓｉ－Ｈ键强主匠随腐蚀时间增加而减少。光致荧光谱的峰值在腐蚀开始时先下降后上升，半高宽变窄，谱峰的以边明显蓝移。分析研究表明，１％ＮＨ３／Ｈ２Ｏ２溶液对多孔硅层有腐蚀     

硅表面清洗对热氧化13nm SiO_2可靠性的影响

实验研究表明热生长１３ｎｍ薄ＳｉＯ２的可靠性同氧化前硅表面清洗处理方法有很大关系．氧化前稀ＨＦ酸及ＨＦ／乙醇漂洗不会提高热氧化薄ＳｉＯ２的可靠性;氧化前用ＮＨ４ＯＨ／Ｈ２Ｏ２／Ｈ２Ｏ（０．０５∶２∶５）溶液清洗形成化学预氧化层对提高薄ＳｉＯ２可靠性很有效;用Ｈ２ＳＯ４／Ｈ２Ｏ２（３∶１）溶液清洗形成预氧化层的改善作用也较明显,在之前增加比例为０．０５∶２∶５或１∶２∶５的ＮＨ４ＯＨ／Ｈ２Ｏ２／Ｈ２Ｏ溶液清洗和稀ＨＦ酸漂洗效果更好．另外,薄栅介质抗电离辐射性能和抗热电子损伤能力同氧化前形成化学预氧化层的清洗     

GaAs衬底层选择性腐蚀技术

本文在ＧａＡｓＧａＡｌＡｓ选择性腐蚀的基础上进行了腐蚀ＧａＡｓ衬底层获得ＧａＡ／ＧａＡｌＡｓ外延层薄膜的二次腐蚀技术。最终选用了Ｃ３Ｈ４（ＯＨ）（ＣＯＯＨ）３．Ｈ２Ｏ－Ｈ２Ｏ２系选择性腐蚀液和Ｈ２ＳＯ４－Ｈ２Ｏ２系腐蚀液，获得了快速，可控制，重复性好的可全部可局部去除衬底的腐蚀方法。     

化学沉淀法制备SnO2纳米级粉体

用液相沉淀法，在分析纯的ＳｎＣｌ４·５Ｈ２Ｏ水溶液中滴加分析纯ＮＨ３含量２５％￣２８％的ＮＨ４ＯＨ水溶液，得到粒度为几个纳米至二十几个内米的ＳｎＯ２超细粉末；系统研究了ＳｎＣｌ４的浓度、滴加ＮＨ４ＯＨ水溶液的速度、干燥方法、煅烧温度及粉末中氯离子的含量对最终粉末颗粒度的影响规律，并探讨了影响机理。     

反应条件对液相沉淀法制备FePO4·2H2O的影响

以FeSO4·7H2O,NH4H2PO4,H2O2和NH3·H2O为原料,通过液相沉淀法制备得到FePO4·2H2O,研究了反应温度、搅拌速度、H2O2加入量和pH值等反应条件对合成FePO4·2H2O的影响.采用TG-DTA,XRD和SEM及ICP等测试方法对FePO4·2H2O的物相、结构及形貌进行表征.结果表明:...     

纯钛表面纳米多孔TiO2膜的孔径分布研究

本文采用微弧氧化法在纯钛表面制备多孔钛氧化膜层.室温条件下,分别采用200 V、230 V、260 V、290 V、320 V和350 V恒压模式以0.5 mol/L磷酸溶液作为电解液进行微弧氧化实验.FESEM形貌分析表明不同电压下,微弧氧化法制备出的氧化膜层均能观察到多孔结构,孔径尺寸分布随施加电压的升高而增大.随...     

有机添加剂对己二酸铵/乙二醇加水体系工作电解液性能的改善

在传统磷酸盐添加剂工艺的基础上，采用聚乙烯吡咯烷酮等有机添加剂改善工作电解液的高温稳定性，提高闪火电压。通过电解液组分的优化，降低电阻率，使传统的己二酸铵／乙二醇加水体系的适用范围从－２５～＋８５℃拓宽到＋１０５℃，工作电压从４～１００Ｖ拓宽到２５０Ｖ。由于中压电解液的电阻率ρ３０℃降至２００～２５０Ω·ｃｍ，低压电解液的电阻率ρ３０℃降至５０～７０Ω·ｃｍ，也可用于高频低阻抗品。     

High-quality dielectric suitable for use with amorphous semiconductors

Very-high-quality Al/SUB 2/O/SUB 3/ films have been grown by anodizing aluminum films in a bath of tartaric acid, buffered with NH/SUB 4/OH and diluted with propylene glycol. Several thousand films were evaluated to demonstrate high resistivities and breakdown voltages, as well as dielectric properties stable with respect to film thickness, frequency, and applied voltage. It is shown that an optimum solution, an optimum buffer, an optimum pH, and an optimum anodization time exist.     

五硼酸铵在高压铝阳极箔化成液中的作用机理

采用恒流恒压法化成制备高压铝阳极箔,研究了硼酸溶液中添加五硼酸铵对化成液的表面张力、电导率及化成铝箔耐电压和比电容的影响,探讨了五硼酸铵在铝箔高压化成液中的作用机理。结果表明:在硼酸化成液中添加的微量五硼酸铵提高了化成液的表面张力和电导率,改变了化成液的电离平衡,使化成铝箔的耐电压提高了约5%。     

Dependence of Threshold Voltage of a-Si:H TFT on a-SiNx:H Film^①

The relation between threshold voltage for hydrogenated amorphous silicon thin film transistors(a-Si:HTFTs)and deposition conditions for hydrogenated amorphous silicon nitride(a-SiNx:H)films is investigated.It is observed that the threshold voltage,Vth,of a-Si:HTFT increases with the increase of the thickness of a-SiNx:H film,and the threshold voltage is reduced apparently with the increase of NH3/SiH4 gas flow rate ratio.     

Dependence of Threshold Voltage of a-Si:H TFT on a-SiN_x:H Film

ＤｅｐｅｎｄｅｎｃｅｏｆＴｈｒｅｓｈｏｌｄＶｏｌｔａｇｅｏｆａ－Ｓｉ：ＨＴＦＴｏｎａ－ＳｉＮｘ：ＨＦｉｌｍ①ＸＩＯＮＧＺｈｉｂｉｎ，ＷＡＮＧＣｈａｎｇ’ａｎ，ＸＵＺｈｏｎｇｙａｎｇ，ＺＯＵＸｕｅｍｅｉ，ＺＨＡＯＢｏｆａｎｇ，ＤＡＩＹｏｎｇｂｉｎｇ，Ｗ...     

R12TAB/正丁醇/正癸烷/水体系的液晶研究

绘制了3-十二烷氧基-2-羟丙基三甲基溴化铵(R12TAB)／正丁醇／正癸烷／水体系的拟三元相图。用电导法测定了微乳液区域内微乳液结构的变化过程。用^2H NMR和差示扫描量热法进行了测量并与液晶纹理对照．探讨了该体系的液晶结构特征。结果表明，固定R12 TAB和正丁醇的质量比例，随含水量的增加．体系的液晶相结构发生如下变化，从层状液晶→层状与六角状液晶共存→层状、六角状与立方状液晶共存→层状液晶与微乳液共存。     

预处理对阳极铝箔腐蚀特性的影响

采用正交试验方法,研究了H3PO4溶液、HNO3溶液和A电解液(HCl和H2SO4组成的环保型体系)三种预处理方式分别对后道工序铝箔腐蚀发孔行为的影响。结果表明:用A电解液预处理不但易于生产控制,而且提高了铝箔产品的比容档次和质量一致性,较之H3PO4溶液、HNO3溶液处理,比容提高了2%,其离散率从9%下降到了6%,同时降低了制造成本和环保压力。     

质子酸掺杂聚苯胺的制备及其常温气敏性能

以苯胺为单体,过硫酸铵为氧化剂,采用化学氧化聚合法,在酸性介质中合成了聚苯胺。并用FT-IR光谱和UV-Vis光谱对聚苯胺掺杂前后的结构变化进行了分析,研究了不同质子酸掺杂对聚苯胺气敏性能的影响。结果表明,经质子酸掺杂后的聚苯胺,在室温下对NH3具有较好的灵敏度,其中结果最好的1mol/LH2SO4掺杂的聚苯胺对500×10–6NH3的灵敏度达到了10.86。