慢正电子的获得及其应用

本文是关于慢正电子束的获得及其应用的文献综述。 (1)能量为1eV左右慢正电子束的获得,通常是用~(22)Na、~(58)Co、~(68)Ga、~(64)Cu作为正电子源;还有用电子直线加速器的电子轰击Ta靶得到脉冲正电子源,由正电子源发射的正电子经慢化器(Cu、W叶片、复式MgO)就可以得到1eV—几百eV的正电子慢化效率极限为10~(-3),一般可达10~(-5)左右。为了使慢正电子单色化还要经一系列电子光学透镜才行。     

用正电子湮没谱学技术表征一种有机-无机杂化膜

应用正电子湮没寿命谱(Positron annihilation lifetime spectroscopy,PALS)和正电子湮没符合多普勒展宽能谱(Coincidence Doppler broadening energy spectroscopy,CDBES)等正电子湮没谱学技术能从微观尺度上对聚合物-金属有机骨架材料杂化膜的微观结构进行表征。结果表明,随着金属有机骨架(Metal-Organic Frameworks,MOFs)添加量的增大,杂化膜中较小的和较大的自由体积的尺寸都减小了;杂化膜的正电子湮没符合多普勒展宽能谱显示,MIL-101(Material Institute Lavoisier-101)亚纳米粒子的加入使得正电子在聚二甲基硅氧烷(Poly(dimethyl siloxane),PDMS)氧原子上的偏向湮没效应减弱,部分正电子与来自MIL-101亚纳米粒子中金属原子的电子发生湮没,表明MOFs加入改变了聚合物基体自由体积周围的化学环境。     

苯丙氨酸衍生物的合成、~(18)F标记及其生物学评价

应用正电子核素18F对4-(2-氟乙氧基)苯甲酰基苯丙氨酸甲酯(Methyl-2-(4-(2-fluoroethoxy)benzamido)-3-phenylpropanoate,MFBPA)及4-(2-氟乙氧基)苯甲酰基苯丙氨酸(2-(4-(2-fluoroethoxy)benzamido)-3-phenylpropanoic Acid,FBPA)进行标记,分别得到18F-MFBPA和18F-FBPA,并初步研究了18F-MFBPA和18F-FBPA的体外、体内稳定性和生物分布1。8F-MFBPA的标记率为23%~41%1。8F-MFBPA和18F-FBPA经HPLC分析,放化纯度均99%。分别随机选取20只荷S180瘤昆明小鼠,经尾静脉注射18F-MFBPA或18F-FBPA,计算主要组织中的放射性摄取率,对18F-MFBPA和18F-FBPA与18F-FET和18F-FDG的生物分布进行比较。结果表明,18F-FBPA更具有良好的生物性质,有望成为恶性肿瘤的正电子显像剂。     

正电子湮灭一维角关联实验装置

本文描述了为测量固体中的电子动量分布及费米面而设计的装置,这一装置也可用于正电子素化学及其它正电子方面的研究。采用垂直长缝结构。样品至主缝中心的距离为3米,系统典型的几何角分辨率为0.33mrad。正电子源用~(22)Na,强度约30mCi。对能量0.511MeV的湮灭光子用NaI(T1)闪烁探头,其长度为300mm。核测量采用快-慢符合方案。实验操作采用简易自动控制方式。     

中子福照硅单晶正电子捕获的温度效应

用正电子湮没寿命测量方法研究了在中子辐照硅单晶缺陷中正电子捕获的温度效应。寿命谱被成功地分成两个组分,长寿命组分在109—300K的温度范围有325±9 ps的常数寿命值,它被认为是在负荷电双空位捕获的正电子寿命。正电子捕获率显示一个强的负温度效应.这个捕获特征能用正电子在负荷电双空位的级联捕获来描述。在低温区正电子捕获截面以T~(-1.7)随温度变化。     

Fe掺杂CuAlO_2的微结构和热电性能的正电子湮没研究

测量了CuAl1-xFexO2样品的X射线衍射图、热电性能、符合正电子湮没辐射多谱勒展宽谱和寿命谱。结果表明,在CuAlO2中加入少量的Fe(x≤0.10),样品的正电子湮没辐射多谱勒展宽谱的3d信号增强,正电子S参数、正电子平均寿命和电阻率降低;当Fe含量较高(x0.10)时,随Fe含量增加,CuAl1-xFexO2样品的正电子湮没辐射多谱勒展宽谱的3d信号降低,正电子S参数、正电子平均寿命和电阻率升高。CuAl1-xFexO2室温Seebeck系数随样品中缺陷浓度升高。讨论了Fe掺杂对CuAlO2微结构和热电性能的影响。     

Gd3+掺杂YBCO体系超导电性的正电子研究

为探究稀土离子Gd3 的Y位掺杂对YBa2Cu3O7-δ(YBCO)体系晶体结构和局域电子结构的影响,利用正电子湮没和X-射线衍射(XRD)实验对Y1-xGdxBa2Cu3O7-δ(x=0-1.0)系列样品进行了系统研究.XRD实验表明,Gd离子的Y位替代使得样品晶胞参数增大,但所有样品均保持与YBCO相同的单相正交结构.输运测量表明,各实验样品超导转变温度Tc均在90 K以上,且整体上随Gd3 离子含量的增加而增加.正电子实验结果给出局域电子密度ne随Gd掺杂浓度x的增加而减小.     

正电子湮没寿命测量统计精度研究

正电子湮没寿命与正电子所在位置的电子密度密切相关,因此能反映材料内部原子尺度的微观结构信息,是研究材料缺陷的灵敏探针。正电子湮没寿命可利用时间符合谱仪进行测量,而寿命谱仪的时间分辨函数一般在200-300 ps之间,因此在实际测量中得到的正电子寿命的精确程度是人们广泛关注的问题。本文通过对几种典型样品进行长时间重复测量,并通过改变谱仪的工作状态,研究了各种因素如谱仪的分辨函数、寿命谱总计数、样品中寿命成分个数及各寿命之间的间隔对所分析出的正电子寿命值的影响。研究发现,在谱仪保持状态稳定的情况下,寿命谱的统计测量计数为100万左右时,对于单晶Si中的单个正电子寿命(218 ps),经过重复测量得到的标准偏差小于0.5 ps。对于存在三个寿命分量的高分子材料聚甲基丙烯酸甲酯(Poly(methyl methacrylate),PMMA)中,其平均寿命的标准偏差也小于1 ps,其中长寿命成分?3(1.83 ns)的标准偏差仅为0.016 ns。研究还表明,谱仪时间分辩函数的大小对正电子寿命测量值的影响很小。我们的结果证明正电子寿命测量具有较高的统计精度,能准确反映材料中微观结构细小的变化。     

低碳钢淬火组织与正电子寿命谱的关系

本文利用正电子对金属微观结构的敏感性,测定了在不同淬火条件下低碳钢的正电子寿命谱,分析了在A_(c3)以上不同温度加热淬火时,正电子寿命与淬火温度和组织的关系。实验在快慢符合正电子谱仪上进行,用~(60)Co测得的仪器时间分辨率约300ps,道宽44ps,源强约20μCi,谱搜集时间1×10~4秒,总计数3×10~5左右。用微机进行了数据处理,程序按最小二乘迭代法拟合实验谱,并在单高斯函数拟合分辨函数的基础上作了近似处理。配合定量金相法,分析了在两相区却热淬火时,铁素体与马氏体混合组织对正电子寿命的影响(图1—3)。按     

锗-68-镓-68同位素发生器

一、前言~(68)Ge-~(68)Ga同位素发生器是由母体核~(68)Ge(T_(1/2)为287天)和子体核~(68)Ga(T_(1/2)为68分钟)组成。它具有母体半衰期长,便于长期使用,子体核是正电子发射,在医学诊断中可采用正电子扫描、提高确诊率,以及子体核半衰期短,降低病人所受的辐射剂量等优点。因此它越来越受到医学部门的欢迎。