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测定了Eu:LiNbO3和(Eu,Mg):LiNbO3的Mossbauer谱,并对数据进行了拟合,根据拟合结果和LiNbO3晶体结构的特征,讨论了Eu^3+晶格中的占位,并以Eu^3+的Mossbauer参数为探针,讨论Mg^2+的晶格中的占位。 相似文献
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利用常规X射线衍射,掠入射X射线衍射和差热分析,对扩展镁铌酸锂表层的富MgO层持性进行了分析,揭示出在富MgO层具有一种未能确认的化合物和MgNb2O6的物相结构,MgNb2O6出现在富MgO层的近表层,而未知化合物在次表层,且它们能都具有明显的取向性,这些扩鲜铌酸锂单晶的Curie温度先随扩散时间的增长而降低,但当扩散时间超过一定限度后又开始升高,并且出现另一个相变点,这可能是富MgO层中未知化 相似文献
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测量了Cr:Mg:LiNbO_3晶体透射光谱,计算了晶场参数D_q和Racah参数B、C,并由TanabeSugano理论计算了各晶场能级,讨论了该晶体作为可调谐固体激光介质的可能性。 相似文献
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采用提拉法生长了掺Ce的同成分LiNbO3(Ce:CLN)晶体。X射线粉末衍射表明,掺杂并不影响晶体结构,其空间群为R3c。采用X射线荧光光谱分析方法,计算得到铈离子的有效分凝系数为0.4。室温下,晶体在700~3500nm波段的透过率达75%。利用X射线光电子谱(X-ray photoelectron spectroscopy,XPS)和Raman光谱分别表征了铈离子对铌酸锂的电子和声子结构的影响。XPS结果表明,铌离子仅存在纯的+5价,铈离子由于浓度较小,未检测到信号。Raman光谱结果显示,除Ce:CLN晶体的A1(TO4)模波数和A1(TO1)模半峰宽较纯的LiNbO3晶体发生明显变化外,其余模都与其基本一致,表明铈离子主要进入晶格的Nb位置。 相似文献
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在同成分铌酸锂(LiNbO3,LN)体中掺入3%(摩尔分数,下同)MgO,并分别掺入0.5%,1%,1.5%In2O3,用提拉法生长了一系列Mg:In:LN晶体.通过紫外坷见吸收光谱测试确定了晶体样品的组成和缺陷结构.通过透射光斑畸变法检测Mg:In:LN晶体抗光损伤能力.结果表明:Mg:In:LN晶体抗光损伤能力比纯LN晶体提高2个数量级.以波长为1 064nm的Nd:YAG激光为基频光源,对Mg:In:LN晶体的倍频性能进行了测试.结果表明:Mg:In:LN晶体的相位匹配温度在室温附近,Mg:In:LN晶体的倍频效率要高于In:LN晶体和Mg:LN晶体. 相似文献
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In离子在掺杂LiNbO3晶体中的占位研究 总被引:24,自引:16,他引:8
测量了掺In系列LiNbO3晶体的吸收光谱和红外透射光谱,研究了In离子在掺In系列的固液同成分配比LiNbO3晶体中的占位情况。在In^3 的掺入量低于阈值3%(摩尔分数)时,In离子占据NbLi^4 位;在掺入量高于阈值3%时,In^3 占据NbNb位和LiLi位。利用光斑畸变法得到掺In系列LiNbO3晶体的抗光损伤能力,发现在In^3 掺入量高于阈值3%时的抗光损伤能力增强,比掺入量低于阈值的晶体高1~3个数量级。通过In^3 的占位情况讨论了In系列掺杂LiNbO3晶体抗光损伤能力增强的机理。 相似文献
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近化学计量比铌酸锂晶体的生长及其结构 总被引:9,自引:5,他引:4
在优化的生长条件下,采用提拉法从加入摩尔分数6%K2O的一致共熔融LiNbO3组分中生长出近化学计量比LiNbO3晶体。用X射线粉末衍射法测定晶体结构,与同成分LiNbO3晶体相比,近化学计量比LiNbO3晶体晶格常数减小。通过紫外可见吸收光谱测定它的基础吸收边,在吸收系数为15cm^-1时,与同成分LiNbO3的吸收边位置(322nm)相比,近化学计量比LiNbO3吸收边(309.8nm)紫移了约12nm。根据测试结果,利用经验公式计算了此晶体的锂含量约为49.70%。近化学计量比LiNbO3晶体的红外H-O振动出现了双峰结构,除了1个小的象征与锂缺少有关的3482cm^-1吸收峰外,还出现了更强的3466cm^-1吸收峰。这表明近化学计量比LiNbO3晶体锂铌摩尔比增加,晶体内的本征缺陷减少,从而晶胞收缩,晶格更加接近理想结构。 相似文献
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首次测量了同成分和掺铁铌酸锂晶体中氧空位的生成焓,发现掺铁可以使铌酸锂晶体中氧空位生成焓大为降低。讨论了实验结果,并提出光折变铌酸锂晶体的还原处理可以在较低的温度下进行。 相似文献
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通过电子探针显微分析表明,铌酸锂单昌光纤经镁离子的内扩散后,镁离子已完全扩散进晶纤内部,且扩散层镁离子浓度呈现抛物线形分布。通过常规X射线衍射的LaueX射线衍射照相证明:铌酸锂单晶光纤并不因镁离子的进入百破坏其晶体特性,而是保持了完好的单晶结构。 相似文献
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用导模法生长成功φ0.5×(160—170)mm各种取向的LiNbO_3单晶光纤。研究了单晶光纤形貌和生长参数的关系。比较了α轴和c轴LiNbO_3单晶光纤在生长速度、抗张强度上的差别。对c轴光纤单畴结构的形成机制进行了简单讨论。 相似文献