掺铕铌酸锂晶体的Mossbauer谱

测定了Ｅｕ：ＬｉＮｂＯ３和（Ｅｕ，Ｍｇ）：ＬｉＮｂＯ３的Ｍｏｓｓｂａｕｅｒ谱，并对数据进行了拟合，根据拟合结果和ＬｉＮｂＯ３晶体结构的特征，讨论了Ｅｕ＾３＋晶格中的占位，并以Ｅｕ＾３＋的Ｍｏｓｓｂａｕｅｒ参数为探针，讨论Ｍｇ＾２＋的晶格中的占位。     

扩镁铌酸锂表层的富MgO层特性

利用常规Ｘ射线衍射，掠入射Ｘ射线衍射和差热分析，对扩展镁铌酸锂表层的富ＭｇＯ层持性进行了分析，揭示出在富ＭｇＯ层具有一种未能确认的化合物和ＭｇＮｂ２Ｏ６的物相结构，ＭｇＮｂ２Ｏ６出现在富ＭｇＯ层的近表层，而未知化合物在次表层，且它们能都具有明显的取向性，这些扩鲜铌酸锂单晶的Ｃｕｒｉｅ温度先随扩散时间的增长而降低，但当扩散时间超过一定限度后又开始升高，并且出现另一个相变点，这可能是富ＭｇＯ层中未知化     

掺镁近化学计量比铌酸锂晶体的生长

用改进的提拉技术从富锂[摩尔比n(Li2O)/n(Nb2O5)=58.5/41.5]熔体中生长了φ40mmx60mm的掺镁近化学计量比铌酸锂(LiNbO3)晶体.利用X荧光光谱分析了晶体中铌离子(Nb5 )和镁离子(Mg2 )的含量.通过紫外吸收和红外吸收峰研究了晶体中缺陷的结构,初步断定晶体中Mg2 的掺杂浓度已达到抗光伤阈值的浓度.生长晶体的比热容[O.69J/(g·K)]高于同成分LiNbO3晶体的比热容[O.64J/(g·K)].     

掺镁铌酸锂晶体吸收边紫移及占位离子的离子极化模型

测量了系列Mg~(2+):LiNbO_3晶体的吸收边,根据晶体吸收边紫移和离子极化理论,提出:Mg~(2+)将首先取代位于Li~+位的Nb~(5+),当浓度超过5mol％后,才开始进入正常Li~+位。此模型可解释Mg~(2+):LiNbO_3抗光折变增强和光电导增大的机制。     

Cr^3＋在掺镁铌酸锂中的光谱和能级

测量了Cr:Mg:LiNbO_3晶体透射光谱,计算了晶场参数D_q和Racah参数B、C,并由TanabeSugano理论计算了各晶场能级,讨论了该晶体作为可调谐固体激光介质的可能性。     

坩埚下降法生长铌酸锂晶体

采用坩埚下降法,生长了直径为5 cm的铌酸锂晶体.探讨了晶体生长工艺条件,测试了晶体的透过光谱.所得晶体呈浅茶色,分析认为主要是氧空位缺陷所致.铌酸锂晶体通常用作声表面波(surface acoustic wave,SAW)器件的基片,氧空位缺陷可增加基片的电导率,减少器件制造过程中晶片开裂,有利于提高SAW器件成品率.     

掺铈铌酸锂晶体的生长和表征

采用提拉法生长了掺Ce的同成分LiNbO3（Ce：CLN）晶体。X射线粉末衍射表明,掺杂并不影响晶体结构,其空间群为R3c。采用X射线荧光光谱分析方法,计算得到铈离子的有效分凝系数为0.4。室温下,晶体在700～3500nm波段的透过率达75%。利用X射线光电子谱（X-ray photoelectron spectroscopy,XPS）和Raman光谱分别表征了铈离子对铌酸锂的电子和声子结构的影响。XPS结果表明,铌离子仅存在纯的＋5价,铈离子由于浓度较小,未检测到信号。Raman光谱结果显示,除Ce：CLN晶体的A1（TO4）模波数和A1（TO1）模半峰宽较纯的LiNbO3晶体发生明显变化外,其余模都与其基本一致,表明铈离子主要进入晶格的Nb位置。     

镁铟共掺杂铌酸锂晶体的生长及光学性能

在同成分铌酸锂(LiNbO3,LN)体中掺入3%(摩尔分数,下同)MgO,并分别掺入0.5%,1%,1.5%In2O3,用提拉法生长了一系列Mg:In:LN晶体.通过紫外坷见吸收光谱测试确定了晶体样品的组成和缺陷结构.通过透射光斑畸变法检测Mg:In:LN晶体抗光损伤能力.结果表明:Mg:In:LN晶体抗光损伤能力比纯LN晶体提高2个数量级.以波长为1 064nm的Nd:YAG激光为基频光源,对Mg:In:LN晶体的倍频性能进行了测试.结果表明:Mg:In:LN晶体的相位匹配温度在室温附近,Mg:In:LN晶体的倍频效率要高于In:LN晶体和Mg:LN晶体.     

In离子在掺杂LiNbO3晶体中的占位研究

测量了掺In系列LiNbO3晶体的吸收光谱和红外透射光谱,研究了In离子在掺In系列的固液同成分配比LiNbO3晶体中的占位情况。在In^3 的掺入量低于阈值3％(摩尔分数)时,In离子占据NbLi^4 位;在掺入量高于阈值3％时,In^3 占据NbNb位和LiLi位。利用光斑畸变法得到掺In系列LiNbO3晶体的抗光损伤能力,发现在In^3 掺入量高于阈值3％时的抗光损伤能力增强,比掺入量低于阈值的晶体高1～3个数量级。通过In^3 的占位情况讨论了In系列掺杂LiNbO3晶体抗光损伤能力增强的机理。     

近化学计量比铌酸锂晶体的生长及其结构

在优化的生长条件下,采用提拉法从加入摩尔分数6％K2O的一致共熔融LiNbO3组分中生长出近化学计量比LiNbO3晶体。用X射线粉末衍射法测定晶体结构,与同成分LiNbO3晶体相比,近化学计量比LiNbO3晶体晶格常数减小。通过紫外可见吸收光谱测定它的基础吸收边,在吸收系数为15cm^-1时,与同成分LiNbO3的吸收边位置(322nm)相比,近化学计量比LiNbO3吸收边(309．8nm)紫移了约12nm。根据测试结果,利用经验公式计算了此晶体的锂含量约为49．70％。近化学计量比LiNbO3晶体的红外H-O振动出现了双峰结构,除了1个小的象征与锂缺少有关的3482cm^-1吸收峰外,还出现了更强的3466cm^-1吸收峰。这表明近化学计量比LiNbO3晶体锂铌摩尔比增加,晶体内的本征缺陷减少,从而晶胞收缩,晶格更加接近理想结构。     

铌酸锂晶体中氧空位缺陷的热力学研究

首次测量了同成分和掺铁铌酸锂晶体中氧空位的生成焓,发现掺铁可以使铌酸锂晶体中氧空位生成焓大为降低。讨论了实验结果,并提出光折变铌酸锂晶体的还原处理可以在较低的温度下进行。     

扩镁铌酸锂单晶光纤的微观结构分析

通过电子探针显微分析表明，铌酸锂单昌光纤经镁离子的内扩散后，镁离子已完全扩散进晶纤内部，且扩散层镁离子浓度呈现抛物线形分布。通过常规Ｘ射线衍射的ＬａｕｅＸ射线衍射照相证明：铌酸锂单晶光纤并不因镁离子的进入百破坏其晶体特性，而是保持了完好的单晶结构。     

铌酸锂单晶光纤的生长

用导模法生长成功φ0.5×(160—170)mm各种取向的LiNbO_3单晶光纤。研究了单晶光纤形貌和生长参数的关系。比较了α轴和c轴LiNbO_3单晶光纤在生长速度、抗张强度上的差别。对c轴光纤单畴结构的形成机制进行了简单讨论。