浅谈立方氮化硼磨具的应用

本文简述了立方氮化硼（CBN）的特点；介绍了立方氮化硼磨具的应用领域及应用方式。     

立方氮化硼磨具修整技术研究

本文论述了CBN磨具修整机理,建立了修整过程中整形和修锐的数学模型及公式并从理论上分析了各种整形方法和修锐方法,并给出了优选工具及方法。     

立方氮化硼磨具修整技术研究

本文论述了ＣＢＮ磨具修整机理，建立了修整过程中整形和修锐的数学模型及公式并从理论上分析了各种形方法和修锐方法，并给出了优选工具及方法。     

化学反应直接成核生长立方氮化硼

本文用B2O3和单质B作为B源分别与Li3N作用,通过化学反应在低于Li3N-hBN体系合成CBN件下合成出了CBN晶体.在上述反应中最低合成条件分别为4.0 GPa-1400 ℃和4.5 GPa-1450 ℃.由于初始材料中不含BN,所以CBN晶体成核方式为化合物之间或化合物与单质间的化学键重组直接成核而非传统的从sp2杂化的hBN向sp3杂化的CBN相转化过程.实验证明,化学键重组成核所需能量要小于相转化成核所需能量.利用含有硼、氮原子的化合物之间在高温高压下的化学反应直接成核是制备CBN晶体的有效方法.     

立方氮化硼砂轮的研究与发展

介绍了国内外立方氮化硼（CBN）砂轮的性能和金属结合剂（含电镀和钎焊结合剂）、树脂结合剂和陶瓷结合剂CBN砂轮的特点,论述了CBN砂轮中磨料的处理及气孔组织的调控技术。阐述了目前国内在CBN砂轮制造水平方面与国外存在的差距,提出CBN砂轮的未来制造应向着超高速、绿色制造等方向发展。      

聚晶立方氮化硼切削工具（一）

聚晶立方氮化硼工具是由５０￣８５％重量比的立方氮化硼晶体结合到一起形成的聚晶体。与聚晶立方氮化硼混合在一起的支持物相是由１５￣４０％重量比的高熔点材料－优选碳氮化钛或碳氮钛铝。起始配比中也包含４￣１０％重量比的Ｃｏ２Ａｌ９。这些按配比混合好的粉末在氨气氛下以１１００￣１２５０℃的温度进行处理，这可以大大增加氮含量并降低碳氮化钛或碳氮铝钛的碳含量。如果不用起始材料混合粉，则可以用涂附有碳氮化钛的立方     

棕色高韧性立方氮化硼合成技术的研究

通过以原材料、触煤及高压合成系统工艺的研究,采用φ32－40mm腔体在新型复合触煤体系下合成出棕色立方氮化硼单晶。对所得立方氮化硼单晶体的性能考察表明：这种立方氮化硼晶体具有较高的冲击韧性。     

改变立方氮化硼磨具修整方向的研究

树脂结合剂ＣＢＮ磨具的磨削性能取决于磨具的修整效果，磨具修整的效果关键在于其修整方向。本文通过不同的修整方向的对比试验和磨削试验，分析用不同的修整角所修整出的磨具表面，找出了ＣＢＮ磨具修整的最佳方法。     

立方氮化硼砂带磨削性能的研究

用相同粒度的CBN与刚玉砂带,分别磨削45号钢,分析并比较其磨削性能。结果表明:CBN砂带磨耗比为210.4,刚玉砂带磨耗比为18.9,CBN砂带耐磨性远远高于刚玉砂带;CBN砂带加工工件的表面质量要优于刚玉砂带,但两者磨削工件的表面粗糙度R_a相差不大,分别为0.127 μm、0.128 μm;CBN砂带磨料出刃高,初始磨削效率高;刚玉砂带树脂结合剂硬度低,磨削60 min后基本丧失了磨削能力,而CBN砂带金属镍结合剂与磨料硬度有很好的匹配性,180 min后仍能保持28.2 g/h磨削效率。      

改性树脂立方氮化硼磨具力学性能的研究

以改善钛合金磨削高温和磨具黏附问题为研究目的,通过在树脂CBN(立方氮化硼)磨具中添加不同量的六方氮化硼(HBN)作为固体润滑剂,并对样品进行力学性能测试,以探究不同添加量对磨具磨削性能的影响及钛合金磨削高温和磨具黏附的改善情况。经测试,在HBN添加量为8 g的树脂磨具样条中,磨粒出刃效果好,结合剂黏结磨粒的强度较好,失去磨削效果的磨粒脱落及时。     

立方氮化硼表面镀Ti及其与金属粘结剂的作用

通过磁控溅射及其后处理后方法在立方氮化硼（简写ｃＢＮ）表面形成均匀的Ｔｉ镀层。用ＤＴＡ、ＸＲＤ、ＳＥＭ及ＥＰＭＡ等方法研究了镀层与ｃＢＮ间的界面反应及产物、镀层与Ｃｕ－Ｃｏ基金属粘结剂之间的作用，并用经不同方法处理的ｃＢＮ试样有不同的抗变强度说明了这种作用。结果发现，ｃＢＮ表面Ｔｉ镀层只有在与其形成Ｔｉ、Ｂ、Ｎ的化合物后，才能达到ｃＢＮ与粘结剂的冶金结合，而溅射后真空热处理是实现这一作用的有效方法     

改变立方氮化硼磨具修整方向的研究

树脂结合剂CBN磨具的磨削性能取决于磨具的修整效果,磨具修整的效果关键在于其修整方向。本丈通过不同的修整方向的对比试验和磨削试验,分析用不同的修整角所修整出的磨具表面,找出了CBN磨具修整的最佳方法。     

控制自发成核生长大颗粒立方氮化硼晶体

CBN(立方氮化硼)的生长速率很低，用普通方法很难长出大的晶体。在本文中用Mg为触媒，在hBN-Mg体系中加入适当比例的水或酒精控制cBN晶体的自发成核。由于在高温下水能分解六方氮化硼(hBN)，在系统中形成高活性的B和N原子，从而改变了晶体的生长环境，提高了生长速率，使晶体迅速长大，在5．5Gpa和1500℃超高压高温条件下保温8分钟获得了1．6mm的cBN晶体。本文还讨论了在该体系中cBN晶体的生长机制。     

立方氮化硼晶体生长与三大基材的关系

1引言cBN没有天然的。R．H．Wentorf 1957年第一次在高压高温下，以类石墨的六角氮化硼（hBN）为原料，在碱金属的参与下生长出了cBNt。纯净的cBN应该是无色的，可是，用人工生长出来的cBN晶体却往往是有颜色的，是因为在cBN晶体中有不同的杂质存在的缘故。