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本文针对军用磁光盘性能检测过程中所需要模拟的低温状态,比较了几种不同制冷方法的优缺点,推荐采用液氮双相传输制冷的方法满足测试过程对环境的要求。 相似文献
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以废旧锂离子电池为原料,用溶胶-凝胶自蔓延法合成三种金属离子(Co2+、Al3+、Zr4+)掺杂的Co1+xAlxZrxFe2-3xO4(x=0.00,0.02,0.04,0.06,0.08)磁致伸缩纳米材料,并对所制备样品的形貌、结构、磁性和磁致伸缩性能进行研究。结果表明:掺杂金属离子的钴铁氧体是尖晶石结构的晶体。随着金属离子含量的增加,掺杂样品的饱和磁化强度逐渐下降,磁致伸缩系数递减,磁致伸缩应变导数先减小后增加。在掺杂量x=0.02时,样品的最大饱和磁化强度、最大磁致伸缩应变系数和应变导数值分别为82.01 A·m·kg-1,132.6×10-6,-2.15×10-9 A-1·m,且应变导数在非常低的磁场强度下取得最大值,这有利于磁致伸缩材料在非接触传感器方面的应用。 相似文献
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延玲玲白一鸣刘海陈吉堃陈诺夫 《微纳电子技术》2015,(7):422-426
采用有限时域分析法研究了采用电介质Si3N4纳米柱为氢化非晶硅薄膜太阳电池的陷光结构时,其光吸收增强的情况。实验结果表明,电介质Si3N4纳米柱为氢化非晶硅薄膜太阳电池的陷光结构时,不仅可以增加吸收率和加宽吸收谱范围,而且在短波长范围内的吸收高于金属纳米颗粒。对于80nm和100nm厚的氢化非晶硅薄膜太阳电池,当达到最大吸收增强比1.60和1.53时,对应的电介质Si3N4纳米柱高度分别为90和95nm。当Si3N4纳米柱的直径D:160nm,间距P=240nm,高度H=90nm,而氢化非晶硅薄膜太阳电池的厚度在70-120nm变化时,吸收增强比在厚度为100nm时达到最大值1.60。总之,可以通过优化Si3N4纳米柱的尺寸来提高电池的转换效率。 相似文献
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ResearchonthePassivationFunctionofSi_3N_4FilmtoYBCOSuperconductingFilmZhangYutian;JinBoANDQianPingkai(DepartmentofAppliedScie... 相似文献
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压电振子低频振动模式的高次泛音易与厚度振动模式的基频相耦合,导致厚度振动的基音串联谐振频率不能精确测量(或无法测量),造成传统泛音比法测定压电振子的机电耦合系数的精度和一致性变差或无法进行测定。为了克服传统泛音比法的这一弊端,提出了测定压电振子厚度振动机电耦合系数的高次泛音比法。此法通过测定3次和3次以上的高次串联谐振频率,用高次泛音比来测定压电振子厚度振动机电耦合系数。实验表明,与传统泛音比法相比,高次泛音比法具有精确度高和一致性好的明显优势。为了便于高次泛音比法的应用,提供了高次泛音比和机电耦合系数的对应表。 相似文献
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以溶胶–凝胶法在Pt/Ti/SiO2/Si(111)基底上制备了厚度为30~1 110 nm的0.7BiFeO3-0.3PbTiO3(0.7BFO-0.3PT)薄膜,研究了薄膜厚度对0.7BFO-0.3PT薄膜的结构与电学性能的影响。结果表明,随着膜厚的增加,晶格常数c与a的比值c/a以及晶粒尺寸都呈现先增大后减小的趋势,但其剩余极化强度及介电常数却均与薄膜厚度呈正比。厚度为180 nm的0.7BFO-0.3PT薄膜具有最大的矫顽场(2.99×105V/cm)和晶粒均匀度(42 nm),同时其晶格常数比c/a也达到最大,为1.129 9。 相似文献
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刘昶时 《固体电子学研究与进展》2009,29(1)
根据X光激发电子能谱(XPS)中元素各个态的位置与价带顶、导带底的位置关系,提出了对一个已有唯像模型的修正,由这个修正模型能够利用XPS数据考察异质结的禁带在经历某些过程后是否有变化。将这个方法应用于经历60Co辐照的Si3N4/SiO2/Si,结果表明:从SiO2到Si存在SiO2禁带的弯曲,而辐照将SiO2禁带变薄;同时,SiO2禁带的变化明显依赖于辐照条件。就实验现象的机制进行了探讨。 相似文献
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针对Wigner-Ville变换、Radon-Wigner变换估计P3/P4多相编码雷达信号参数存在运算量大、估计精度低等问题,提出了基于Radon-Ambiguity变换和分数阶傅立叶变换(FRFT)联合分析的参数快速估计方法。该方法采用Radon-Ambiguity变换估计信号调制斜率,采用分数阶傅立叶变换估计载频、周期等,通过两次一维搜索峰值来估计信号的参数,与Wigner变换、Radon-Wigner变换的二维搜索峰值相比,运算量大大降低,且提高了参数估计精度。仿真结果证明了该方法的有效性。 相似文献
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CHEN Zhu ZENG Yong YANG Cheng-tao YANG Bang-chao WANG Sheng LI Jin-long SUN Ming-xia 《电子科技学刊:英文版》2005,3(2):168-171
PZT(Zr/Ti=52/48) ferroelectric films are prepared by a new modified Sol-Gel method from three stable-separated Pb2+, Zr4+, Ti4+ precursor-monomers. This method needs no distillation and has the advantage of easy change of the Pb2+/Zr4+/Ti4+ stoichiometric. In the paper we also investigate PT seeds influence on ferroelectric properties, crystallographic structures and surface morphologies, and find the bottom/up PT seeds structure prompte PZT crystallization and have superior ferroeletric properties. The paper introduce a method to deduce and calculate lattice constant by least square method, then the more accurate lattice constant a0 can be got from X-ray diffractometer (XRD) analysis data. We also discover that grain sizes of PZT film calculated from XRD data are much closed to those of AFM, and the film a0 is relatively small due to crushing stress. 相似文献