除法式磁光盘信号检测方法的研究

研究了除法式磁光信号检测的原理和方法 ,分析表明 ,该检测方式不受激光功率的波动和盘片反射率变化的影响 ,提高了数据读出的准确性 .实验结果显示除法式检测方式比差动式磁光信号检测更适合静态实验的要求 .     

军用磁光盘测试中低温状态的实现方法

本文针对军用磁光盘性能检测过程中所需要模拟的低温状态，比较了几种不同制冷方法的优缺点，推荐采用液氮双相传输制冷的方法满足测试过程对环境的要求。     

ECR－PECVD制备Si_3N_4薄膜的特性及其应用的研究

本文利用ＥＣＲ－ＰＥＣＶＤ技术在不同沉积温度下制备了Ｓｉ３Ｎ４薄膜，利用Ｓｉ３Ｎ４薄膜的透射光强度曲线计算了Ｓｉ３Ｎ４薄膜的折射率和膜厚，计算结果与实测值符合较好。结果表明，随着沉积温度的提高，Ｓｉ３Ｎ４薄膜的折射率增大，致密性提高，Ｓｉ３Ｎ４薄膜厚度在６０ｍｍ直径范围内不均匀度小于５％。测定了Ｓｉ３Ｎ４薄膜的显微硬度。利用荧光分光光度计测定了Ｓｉ３Ｎ４薄膜的光致发光效应。初步进行了Ｓｉ３Ｎ４薄膜的超高频大功率晶体管器件中作为钝化膜的应用研究。     

电解液－Si_3N_4绝缘体界面表面基／复合中心模型的研究

本文在表面基模型基础上，借用半导体物理中复合／产生概念，提出表面基／复合中心模型，并研究了含两种类型表面基的Ｓｉ３Ｎ４绝缘体及其两种表面基（硅醇基和胺基）的比率对Ｓｉ３Ｎ４栅ｐＨ－ＩＳＦＥＴ敏感性能和稳定性的影响，其结果与实验结果相符。对改善ｐＨ－ＩＳＦＥＴ传感器的敏感特性具有实际指导意义。     

回收废旧锂离子电池制备Co1+xAlxZrxFe2-3xO4磁致伸缩纳米材料

以废旧锂离子电池为原料,用溶胶-凝胶自蔓延法合成三种金属离子(Co2+、Al3+、Zr4+)掺杂的Co1+xAlxZrxFe2-3xO4(x=0.00,0.02,0.04,0.06,0.08)磁致伸缩纳米材料,并对所制备样品的形貌、结构、磁性和磁致伸缩性能进行研究。结果表明:掺杂金属离子的钴铁氧体是尖晶石结构的晶体。随着金属离子含量的增加,掺杂样品的饱和磁化强度逐渐下降,磁致伸缩系数递减,磁致伸缩应变导数先减小后增加。在掺杂量x=0.02时,样品的最大饱和磁化强度、最大磁致伸缩应变系数和应变导数值分别为82.01 A·m·kg-1,132.6×10-6,-2.15×10-9 A-1·m,且应变导数在非常低的磁场强度下取得最大值,这有利于磁致伸缩材料在非接触传感器方面的应用。     

FDTD优化a-Si∶H薄膜太阳电池Si_3N_4纳米柱陷光结构（英文）北大核心

采用有限时域分析法研究了采用电介质Si3N4纳米柱为氢化非晶硅薄膜太阳电池的陷光结构时,其光吸收增强的情况。实验结果表明,电介质Si3N4纳米柱为氢化非晶硅薄膜太阳电池的陷光结构时,不仅可以增加吸收率和加宽吸收谱范围,而且在短波长范围内的吸收高于金属纳米颗粒。对于80nm和100nm厚的氢化非晶硅薄膜太阳电池,当达到最大吸收增强比1．60和1．53时,对应的电介质Si3N4纳米柱高度分别为90和95nm。当Si3N4纳米柱的直径D：160nm,间距P=240nm,高度H=90nm,而氢化非晶硅薄膜太阳电池的厚度在70-120nm变化时,吸收增强比在厚度为100nm时达到最大值1．60。总之,可以通过优化Si3N4纳米柱的尺寸来提高电池的转换效率。     

Research on the Passivation Function of Si＿3N＿4 Film to YBCO Superconducting Film

ＲｅｓｅａｒｃｈｏｎｔｈｅＰａｓｓｉｖａｔｉｏｎＦｕｎｃｔｉｏｎｏｆＳｉ＿３Ｎ＿４ＦｉｌｍｔｏＹＢＣＯＳｕｐｅｒｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇＦｉｌｍＺｈａｎｇＹｕｔｉａｎ；ＪｉｎＢｏＡＮＤＱｉａｎＰｉｎｇｋａｉ（ＤｅｐａｒｔｍｅｎｔｏｆＡｐｐｌｉｅｄＳｃｉｅ...     

高次泛音比法测定厚度振动机电耦合系数

压电振子低频振动模式的高次泛音易与厚度振动模式的基频相耦合,导致厚度振动的基音串联谐振频率不能精确测量(或无法测量),造成传统泛音比法测定压电振子的机电耦合系数的精度和一致性变差或无法进行测定。为了克服传统泛音比法的这一弊端,提出了测定压电振子厚度振动机电耦合系数的高次泛音比法。此法通过测定3次和3次以上的高次串联谐振频率,用高次泛音比来测定压电振子厚度振动机电耦合系数。实验表明,与传统泛音比法相比,高次泛音比法具有精确度高和一致性好的明显优势。为了便于高次泛音比法的应用,提供了高次泛音比和机电耦合系数的对应表。     

0.7BiFeO_3-0.3PbTiO_3薄膜结构与电学性能的厚度效应

以溶胶–凝胶法在Pt/Ti/SiO2/Si(111)基底上制备了厚度为30~1 110 nm的0.7BiFeO3-0.3PbTiO3(0.7BFO-0.3PT)薄膜,研究了薄膜厚度对0.7BFO-0.3PT薄膜的结构与电学性能的影响。结果表明,随着膜厚的增加,晶格常数c与a的比值c/a以及晶粒尺寸都呈现先增大后减小的趋势,但其剩余极化强度及介电常数却均与薄膜厚度呈正比。厚度为180 nm的0.7BFO-0.3PT薄膜具有最大的矫顽场(2.99×105V/cm)和晶粒均匀度(42 nm),同时其晶格常数比c/a也达到最大,为1.129 9。     

电离辐射对Si_3N_4/SiO_2/Si中SiO_2禁带的影响

根据X光激发电子能谱(XPS)中元素各个态的位置与价带顶、导带底的位置关系,提出了对一个已有唯像模型的修正,由这个修正模型能够利用XPS数据考察异质结的禁带在经历某些过程后是否有变化。将这个方法应用于经历60Co辐照的Si3N4/SiO2/Si,结果表明:从SiO2到Si存在SiO2禁带的弯曲,而辐照将SiO2禁带变薄;同时,SiO2禁带的变化明显依赖于辐照条件。就实验现象的机制进行了探讨。     

Mg4Al3/PTFE红外诱饵剂的辐射性能研究

文章介绍了镁铝合金／聚四氟乙烯（Mg4Al3／PTFE）红外诱饵剂的配比对燃烧速度、辐射强度和质量辐射能量的影响。经过试验发现：当镁铝合金与聚四氟乙烯的配比为70：30时，中、远红外的辐射强度最大；当镁铝合金的质量百分比为40％～50％时，比辐射能最大；随着镁铝合金含量的增加，燃烧速度迅速增加。通过分析确定了导温系数是影响燃烧速度的主要因素，而碳和碳化铝是影响红外辐射强度的主要物质。     

傅里叶分析法求Stokes矢量测量扭曲向列相液晶盒盒厚和扭曲角

本文提出了一种测量扭曲向列相液晶盒盒厚与扭曲角的新方法,在液晶盒和检偏器之间放置四分之一波片,通过旋转此四分之一波片,测量各个调制点的光强,用傅里叶分析法计算线偏振光穿过液晶盒后的 stokes 矢量,从而求出液晶盒盒厚以及扭曲角.实验证明,用此方法测量盒厚比较小的液晶盒厚有较高测量精度.另外,此方法也可以应用到单偏振片反射式液晶盒盒厚和扭曲角的测量.     

一种P3/P4多相码雷达信号参数快速估计方法

针对Wigner-Ville变换、Radon-Wigner变换估计P3/P4多相编码雷达信号参数存在运算量大、估计精度低等问题,提出了基于Radon-Ambiguity变换和分数阶傅立叶变换（FRFT）联合分析的参数快速估计方法。该方法采用Radon-Ambiguity变换估计信号调制斜率,采用分数阶傅立叶变换估计载频、周期等,通过两次一维搜索峰值来估计信号的参数,与Wigner变换、Radon-Wigner变换的二维搜索峰值相比,运算量大大降低,且提高了参数估计精度。仿真结果证明了该方法的有效性。     

LBL法制备Cu3SbS4薄膜

针对水溶液化学沉积法沉积过程复杂且难于控制的缺点,利用LBL(layer-by-layer)法,在玻璃基片上制备出了Cu3SbS4薄膜。即首先在玻璃基片上沉积Sb2S3薄膜,然后再在其上制备CuS薄膜,最后进行退火处理。探讨了薄膜的制备机理、生长速度、结构特性和光学特性。制备的薄膜为多晶Cu3SbS4(四方晶系)结构,厚度为344nm,直接光学带隙约为0.47eV。     

Lattice Constant α Calculation of PZT Films Prepared by a New Modified Sol-Gel Method

PZT(Zr/Ti=52/48) ferroelectric films are prepared by a new modified Sol-Gel method from three stable-separated Pb2+, Zr4+, Ti4+ precursor-monomers. This method needs no distillation and has the advantage of easy change of the Pb2+/Zr4+/Ti4+ stoichiometric. In the paper we also investigate PT seeds influence on ferroelectric properties, crystallographic structures and surface morphologies, and find the bottom/up PT seeds structure prompte PZT crystallization and have superior ferroeletric properties. The paper introduce a method to deduce and calculate lattice constant by least square method, then the more accurate lattice constant a0 can be got from X-ray diffractometer (XRD) analysis data. We also discover that grain sizes of PZT film calculated from XRD data are much closed to those of AFM, and the film a0 is relatively small due to crushing stress.