共烧温度对Pt/YSZ泵氧电极性能的影响

以钇稳定氧化锆(YSZ)为固体电解质,Pt作为电极材料,在不同温度下共烧制备了泵氧电极层原型。借助计时电流法和电化学阻抗谱(EIS)法,并结合SEM分析研究了共烧温度对泵氧电极性能的影响。结果表明,随着共烧温度的增加,泵电流先增大后减小,界面电阻先减小后增大,1 400℃共烧电极三相界面(TPB)最长,活性最强;随着共烧温度的增加,电极反应活化能略微降低。虽然1 400℃共烧电极活化能较1 450℃大,但由于其活性区域大,三相界面长,综合表现为1 400℃共烧电极催化活性最强。     

Pt/YSZ电极结构形貌的表征

根据YSZ型氧传感器中O在电极表面的吸附、扩散以及Pt/YSZ界面O(Pt电极中)/O2(YSZ中)的传递的机理,提出了一种对Pt /YSZ电极界面进行定量表征的模型。用此模型对不同烧结温度下的电极形貌Pt/空气/ YSZ三相界面长度进行了定量表征,同时,采用复阻抗测试技术和氧传感器响应测试技术对表征结果的合理性进行了验证。理论推算和试验结果都表明:采用1 000℃,1 h烧结的电极形貌具有最佳的电化学性能。     

氧化锆氧传感器Ag/Pd电极的表征

采用陶瓷注射成型技术制备了氧化锆固体电解质基体，在烧成的氧化锆基体上涂制Ag/Pd电极浆料，然后将电极在不同温度下烧结。利用扫描电镜（SEM）对所制备的电极表面微观形貌进行表征。结果表明电极烧结温度对电极微观形貌影响很大；利用电化学阻抗（EIS）研究了Ag/Pd电极的电化学性能，显示出Ag/Pd电极优良的电化学催化性能。     

氧化锆氧传感器Ag/Pd电极的表征

采用陶瓷注射成型技术制备了氧化锆固体电解质基体,在烧成的氧化锆基体上涂制Ag/Pd电极浆料,然后将电极在不同温度下烧结。利用扫描电镜(SEM)对所制备的电极表面微观形貌进行表征。结果表明电极烧结温度对电极微观形貌影响很大;利用电化学阻抗(EIS)研究了Ag/Pd电极的电化学性能,显示出Ag/Pd电极优良的电化学催化性能。     

氧化锆氧传感器Ag/Pd电极的表征

采用陶瓷注射成型技术制备了氧化锆固体电解质基体,在烧成的氧化锆基体上涂制Ag/Pd电极浆料,然后将电极在不同温度下烧结.利用扫描电镜(SEM)对所制备的电极表面微观形貌进行表征.结果表明电极烧结温度对电极微观形貌影响很大;利用电化学阻抗(EIS)研究了Ag/Pd电极的电化学性能,显示出Ag/Pd电极优良的电化学催化性能.     

NiO／YSZ凝胶注模工艺流变特性研究

用水基凝胶注法制备同体氧化物燃料电池（SOFC）阳极材料NiO／YSZ是目前的研究热点之一。本文研究了凝胶注模工艺中固相含量、分散剂和pH值对NiO／YSZ陶瓷料浆流变性质的影响。结果表明,Ni0／YSZ水基料浆为假塑性流体;当pH=9、分散剂用量为0．012g／ml、固相含量为45％（体积比）的NiO／YSZ水基料浆,稳定性好,满足浇注成型工艺要求,适合成型SOFC阳极材料NiO／YSZ。     

在GaAs基电注入阴极中的Ti/Pt/Au电极制备工艺研究

制备GaAs基电注入阴极需要在p型GaAs材料上制备周期性分布的金属薄膜电极.实验中,分别采用正性光刻胶AZ5214和负性光刻胶RPN1150作为掩膜层,利用热阻蒸发法和电子束蒸发法在材料表面沉积Ti/Pt/Au薄膜,通过薄膜剥离技术去除多余的金属薄膜,形成基极电极.实验结果表明采用负性光刻胶制备的电极质量更好,正性光...     

氧化钨pH电化学传感器的H+响应行为研究

采用WO3作为H＋响应敏感材料,制备了WO3pH电化学传感器,对传感器的H^＋响应行为,如响应范围、响应灵敏度、响应时间等影响因素进行了分析。制备WO3工作电极的热处理温度对传感器的H^＋响应灵敏度与速度有影响,H＋响应速度与溶液pH和温度有关,溶液中Na^＋,K^＋,F^-对H＋响应行为没有影响,但是受到I^-,NO3^-的干扰。     

TiOx层在Pt/Ti电极中对Ti扩散的抑制作用

采用直流磁控溅射方法在SiO2/Si衬底上制备出Pt/Ti和Pt/TiOx底电极。用XRD分析其晶相结构,用AFM测量其晶粒尺寸和表面粗糙度。结果表明,用TiOx层代替金属Ti后,能有效地抑制在高温环境下Ti原子向Pt层扩散,使电极表面粗糙度减小(粗糙度为2.99 nm)。     

Cr_2O_3-LSFNiO双敏感电极NO_x传感器响应特性研究

以Cr2O3和(La0.8Sr0.2)2FeNiO6-δ(LsFNiO)为敏感电极材料,经1 200℃烧结制备出了一种具有双敏感电极结构的NOx传感器,并对其气体敏感性进行了测试,最后根据实验结果得出了两敏感电极的电势关于NOx浓度的经验公式。结果表明,两敏感电极的电势均随着NO浓度的增大而减小,NO2浓度的增大而增大。Cr2O3和LsFNiO电极对NO的敏感性分别为–12.198 mV/decade和–16.477 mV/decade,对NO2的敏感性分别为37.083 mV/decade和14.005 mV/decade。两敏感电极的电势与NOx气体浓度的对数呈较好的线性关系。     

Pt／TiO2二极管湿敏传感器

Ｐｔ常被用来在金属氧化物半导体上做肖特基接触，在常温下，Ｐｔ／ＴｉＯ２界面处的电子电导对Ｐｔ／ＴｉＯ２肖特基势垒高度的变化非常敏感，本文描述了利用该性质制造的湿敏传感器的性能，并讨论了因水在Ｐｔ／ＴｉＯ２界面处的化学吸附，引起表面Ｆｅｒｍｉ能级改变，影响Ｐｔ／ＴｉＯ２肖特基势垒的高度，从而导致了Ｉ－Ｖ曲线变化的物理过程，对器件制造过程中的工艺问题所论述。     

Effects of bias-temperature cycling on electrical characteristics of YBCO/YSZ/Si SulS capacitors

A bias-temperature cycling technique is developed in the electrical characterization of YBa₂Cu₃0_7−δ/yttria-stabilized zirconia (YSZ)/Si capacitors. This technique can be used to determine the electrical properties of the material components and their interfaces in the capacitor. Capacitance-voltage (C-V) measurements under no or weak illumination at temperatures ranging from 295 to 80K reveal that hysteresis due to mobile ions decreases with cooling and become vanishingly small at about 220K. Upon further cooling, a different mechanism due to traps in the YSZ/Si interface dominates the low-temperature hysteresis and stretchout of the C-V curves, which is evidenced by measurements for the illuminated device at 80K.     

常温型Pt/C催化剂的催化氧化试验研究

概述了军用微量CO气体清除设备的发展，介绍了所研制的一种常温型Pt／C催化剂及采用该催化剂设计的CO清除设备，与国内同类设备相比，具有催化剂常温(25℃)活性高、抗背景气体强、抗水能力强、使用寿命长等特点。     

双粒径组分YSZ陶瓷的烧结致密化研究

为了在低于1 400℃的烧结温度下获得相对密度高于95％的氧化钇稳定氧化锆(YSZ)陶瓷,将粒径不同的YSZ粉体球磨混合成双粒径组分粉体,采用流延成型工艺制得生坯并分别在1 350,1 400,1 450℃下进行烧结.研究了双粒径粉体的组分对所制YSZ陶瓷性能的影响.结果表明:粗细粉组成的双粒径粉体试样烧结密度较之单一原料粉体有所提高,微米级(中径1.46 μm)粉体与造粒后的纳米级(中径90 nm)粉体进行级配(质量比7:3)后在1 350℃烧结所制的YSZ陶瓷相对密度达到97％.     

Pt电极的磁增强反应离子刻蚀的研究

以SF6/O2作为刻蚀气体,用磁增强反应离子刻蚀(MERIE)技术,对磁控溅射法制备的Pt电极进行了刻蚀。结果表明:Pt的刻蚀速率与刻蚀气体的混合比率以及刻蚀功率都有一定关系。在相同功率下,R[O2∶(SF6+O2)]=2/6,刻蚀速率达到极大值,功率为120W时,刻蚀速率极大值为12.4nm/min。AFM分析表明,薄膜表面的粗糙度随刻蚀功率增加而变大,均方根粗糙度从120W时的0.164nm增加到160W时的0.285nm。经优化工艺参数刻蚀后的Pt电极图形结构平整,边缘整齐。     

Epitaxial ZnO/Pt layered structures and ZnO-Pt nanodot composites on sapphire (0001)

We report the epitaxial growth and properties of ZnO-Pt layered structures and ZnO-Pt nanodot composites on sapphire (0001) substrates fabricated by using the pulsed laser deposition (PLD) technique. Heteroepitaxial growth of these structures was accomplished by using domain-matching epitaxy. The heterostructures were characterized using x-ray diffraction (XRD), high-resolution transmission electron microscopy (HRTEM), optical transmittance, photoluminescence, and electrical resistivity measurements. XRD and HRTEM experiments revealed the epitaxial nature of these structures, with orientation relationship between ZnO and Pt, as [0001]_ZnO∥[111]_Pt and [ 110]_ZnO∥[011]_Pt, which is equivalent to no rotation between ZnO and Pt. For Pt epitaxy on (0001) sapphire, the epitaxial relationship was determined to be [001]_Pt∥[0001]_Sap and [110]_Pt∥[01 0]_Sap, which is equivalent to a 30° rotation in the basal plane. Electrical and optical measurements showed that these heterostructures exhibit very high electrical conductivity and at the same time possess interesting optical transmittance spectra and exhibit room temperature photoluminescence characteristics.     

The ohmic contact formation mechanism of Au/Pt/Pd ohmic contact to p-ZnTe

The ohmic contact formation mechanism and the role of Pt layer of Au(500Å) Pt(500Å)/Pd(100Å) ohmic contact to p-ZnTe were investigated. The specific contact resistance of Au/Pt/Pd contact depended strongly on the annealing temperature. As the annealing temperature increased, the specific contact resistance decreased and reached a minimum value of 6×10^?6 Θcm² at 200°C. From the Hall measurement, the hole concentration increased with the annealing temperature and reached a maximum value of 2.3×10¹⁹ cm^?3 at 300°C. The Schottky barrier height decreased with the increase of annealing temperature and reached a minimum value of 0.34 eV at 200°C and it was due to the interfacial reaction of Pd and ZnTe. Therefore, the decrease of contact resistance was due to the increase of doping concentration as well as the decrease of Schottky barrier height by the interfacial reaction of Pd ZnTe. The specific contact resistances of Au Pd, Au/Pt/Pd and Au/Mo/Pd as a function of annealing time was investigated to clarify the role of Pt layer.