电源用MLCC的新型设计

电源用MLCC在出现漏电击穿后会出现烧机的严重后果,针对该问题,介绍一种新型电源用MLCC的设计方法,采用该设计后,MLCC的耐电压与可靠性有一定改善,并且能够有效的规避烧机问题。     

卧式砂磨机在MLCC陶瓷浆料分散中的应用

将卧式砂磨机应用在MLCC陶瓷浆料分散中,是MLCC高层数和小型化产品发展的必然趋势。介绍了卧式砂磨机的分散机理和性能,并研究了浆料制备过程中磨球材质、直径、砂磨机转速和研磨时间等工艺条件对研磨质量和研磨效率的影响。给出了最佳工艺参数：直径0．5mm氧化锆磨球,1900r／min～2100r／min转速,75％的磨球填充率,研磨时间范围为80min-100min。在调整合适的瓷浆配方的基础上,可以制备性能优良的MLCC用陶瓷生膜片。     

超声波探伤技术在MLCC检测中的应用研究

MLCC产品的内部微小缺陷一直是MLCC检测的难点之一,它严重影响到产品的可靠性,却又难以发现.本文对比了超声波探伤法与传统的磨片分析法对MLCC内部微缺陷的检测的结果,发现超声波探伤方法能够更精确地检测出MLCC内部的缺陷,从而分选出不良品,提高MLCC的击穿电压与高压可靠性.     

MLCC制作过程中分层开裂原因分析

MLCC是经过多层材料堆叠共烧后制成的,在其制作过程中,产生分层是比较严重的质量缺陷之一,严重影响MLCC在使用过程中的可靠性。对MLCC产生分层的原因进行分析归类,总结出MLCC产生分层的原因为：制作MLCC内浆与瓷粉TMA（热机械分析）曲线匹配性不佳;MLCC在烧结前存在排胶不良;烧结回火温度或氧含量高。     

MLCC的质量控制与失效分析

前言 无源元件(passive component)在电子产品中占有十分重要的地位。虽然很多无源元件在整个电子产品中所占的物料价值并不高,但任何一个微不足道的元器件的失效都可能导致整个系统的失效。一般电子产品中有源元器件(IC)和无源元件的比例约为1:10—20。从该数据可以看出无源元件质量控制的重要性。     

低损耗因数MLCC在RF电路中的应用

分析了在RF电路中采用低损耗因数MLCC的优势,讨论了此类电容器的精度、额定电压、电容量、串联谐振频率、等效串联电阻、品质因数、并联谐振频率和功率负荷等技术指标,介绍了它在RF电路中的有关频率特性。提出了在选取和装配过程中应注意的问题,以提高整机的可靠性,达到最佳的性价比。     

生坯研磨工艺在MLCC制作过程中的应用

采用新开发出的一种多层片式陶瓷电容器（MLCC）生坯研磨工艺,对现有MLCC加工流程再造,解决现有烧成后芯片研磨工艺对芯片造成内部损伤,导致MLCC芯片内部分层,保护层开裂及芯片棱角崩瓷等影响产品质量的问题,同时对MLCC的加工过程进行简化,缩短加工周期。     

MLCC端电极Sn镀层的焊接失效分析

针对多层陶瓷电容器(MLCC)端电极Sn镀层的可焊性失效问题,运用SEM和能谱仪对Sn镀层进行微观结构和成分分析,找出了失效的主要原因,并提出了改进意见。在对MLCC三层端电极中的底层Ag端浆的烧渗过程中,由于烧渗工艺不合理,Ag浆中出现玻璃料物质的溢出,造成电镀Sn时Sn层不连续、不致密,以至MLCC端电极的可焊性变差。通过设计合理的烧渗银温度曲线可较好地解决MLCC端电极Sn镀层的焊接失效问题。     

Ba2Ti9O20陶瓷的低温烧结及其在MLCC中的应用

以 BaTiO_3和 TiO_2粉末进行固相反应来合成 Ba_2Ti_9O_(20)主晶相,通过添加烧结助剂及少量 Ca、Nd、W 改性剂来降低瓷料的烧结温度,使瓷料的介电性能达到高频 MLCC电性能要求。研究结果表明,采用 Ca、Nd、W 复合添加剂可显著地降低 Ba_2Ti_9O_(20)主晶相的合成温度降至 1 200℃,采用硼硅酸盐玻璃可使陶瓷烧结温度降低至 1 000 以下,实现了 Ba_2Ti_9O_(20)陶瓷与低钯电极浆料的共烧,成功地应用于高频 MLCC。     

MLCC制造中产生内部开裂的研究

从内电极设计、内浆(内电极浆料)的选择、内电极干燥工艺等方面对MLCC内部开裂的原因进行了深入研究,结果表明,通过测试瓷膜与内浆的热收缩曲线,选择收缩率相接近的瓷膜与内浆来制作MLCC;调试选用合适的内电极干燥温度、时间;改变内电极设计,在产品中间层加一个厚度2～5倍于其它介质厚度的不错位夹层,MLCC内部开裂几率由原来的5.1%下降到目前的0.38%。     

多层陶瓷电容器银电极电镀锡铅失效原因分析

针对多层陶瓷电容器在电镀过程电镀锡铅效果差的问题,利用扫描电子显微镜和能谱仪分析了正常和变差样品银层的微观结构,其结果表明：电镀效果差的样品端电极银层表面出现较大面积的缺损,部分内部介质裸露,影响了后期电镀时银层的导电性,导致电镀效果变差。     

导致MLCC失效的常见微观机理

多层陶瓷电容器(MLCC)在实际使用过程中,电参数会发生不同程度的偏离,降低了可靠性,直到MLCC失效。其失效原因可分为外部因素和内在因素,分析讨论了影响MLCC可靠性的内在因素——MLCC内部分层、导电粒子、金属离子迁移和介电老化等常见微观失效机理,并提出了主要应对措施。     

Panel污渍分析及改善探究

Panel污渍是TFT-LCD生产中一种常见的不良,它直接影响到产品的画面品质和出售价格,降低产品竞争力。本文通过研究发现大量panel污渍是摩擦产生的含Si元素杂质导致。实验表明:降低制品膜面的粗糙度,使杂质更易去除;通过提升摩擦后的清洗能力,也能有效去除杂质,一定程度降低了panel污渍发生率;而最后通过导入C系列摩擦布,使摩擦过程中产生极少杂质。通过导入以上3种改善措施,最终将55UHD产品的panel污渍发生率从8.2%降至0.2%。     

MLCC常见问题及解决途径

近年来,片式陶瓷电容越来越多地应用于电子产品中,而不合理的设计、不恰当的操作方法,使产品在高低温循环、应力筛选等试验后,常常出现片式陶瓷电容失效现象.分析了电容失效的原因,并针对出现的问题,提出改进措施,以提高产品质量.     

多层陶瓷电容器银电极电镀锡铅失效原因分析

针对多层陶瓷电容器在电镀过程电镀锡铅效果差的问题,利用扫描电子显微镜和能谱仪分析了正常和变差样品银层的微观结构,其结果表明:电镀效果差的样品端电极银层表面出现较大面积的缺损,部分内部介质裸露,影响了后期电镀时银层的导电性,导致电镀效果变差.找出变差的原因.     

多层陶瓷电容器技术现状及未来发展趋势

介绍了MLCC在容量提高、产品小型化和集成化、电极贱金属化等方面最新的技术动态和发展趋势,指出了未来MLCC的关键技术在于微细粉体的处理,超薄(≤1 mm)生坯的制备,精密切割技术及贱金属电极的研制开发。     

MLCC规模生产工艺的新进展

着重叙述了最新发展起来的、已达规模生产水平的两种片式多层陶瓷电容器（ＭＬＣＣ）新工艺，介绍了它们的生产流程、工艺原理、工艺难点和质量保证，此外还比较了这两种新工艺的优越性与不足之处。     

电镀工艺对多层瓷介电容器介电性能的影响

用滚镀和静态电镀的实验方法研究了电镀过程对多层瓷介电容器（ＭＬＣＣ）的介电性能的影响。镀镍后，ＭＬＣＣ的电容量略有提高，损耗和温度系数几乎没有变化。镀锡后，ＭＬＣＣ的电容量下降幅度较大，损耗增大，并且随着温度的升高而迅速增加，从而导致电容量变大，进而使电容量温度系数增大。并且高温损耗随着测试频率的提高而降低。将ＭＬＣＣ置于正在电镀的镀镍液和镀锡液中浸泡，发现镀锡液较镀镍液对ＭＬＣＣ有更强的渗入能力和侵蚀能力。