静电感应晶闸管的负阻转折特性分析

描述了静电感应晶闸管(SITH)的优点、应用前景、结构特点及负阻转折特性.从SITH的作用机理出发,分别分析了导致负阻转折出现的几种重要的物理效应,如电导调制效应、空间电荷效应和复合效应以及载流子寿命的变化等,分析几种物理效应综合作用的过程.得到SITH的负阻转折属于高电平下空间电荷效应和复合效应共同限制的双注入问题,是几种重要物理效应共同作用的结果.     

静电感应晶闸管静态特性的仿真模拟

引入了一种SITH仿真模型.结合实验数据,利用PSPICE模拟软件,从等效电路的角度对静电感应晶闸管(SITH)进行了正向导通,类三极管正向阻断、负阻转折特性的仿真模拟.     

光电双向负阻晶体管的数值模拟与实验研究

光电双向负阻晶体管(PBNRT)是一种新型S型光电负阻器件.本文对它的光电负阻特性进行了数值模拟和实验研究,给出了器件等效电路.PBNRT在光电混合工作模式下具有光控电流开关效应,可通过光照和控制电压两种控制方式改变器件的S型负阻特性.模拟和实验结果均表明:光照强度增大,维持电压基本保持不变,转折电压减小,负阻电压摆幅减小;而增大控制电压,维持电压和转折电压均增大,输出负阻特性曲线右移.上述特点使得PBNRT可望在光电开关、光控振荡和光电探测等方面有很好的应用前景.     

三端双向负阻晶体管的二维数值模拟及分析

对双向负阻晶体管(BNRT)的三端特性进行了数值模拟，得到了器件S型负阻曲线。根据BNRT不同工作状态下的内部电势、电子浓度和空穴浓度分布，解释了其S型负阻特性的产生机理。模拟分析了负阻曲线随控制电压变化的情况。结果表明，随控制电压的增大，转折电压、转折电流和维持电压均增大。最后，对不同结构和工艺参数的三端BNRT进行了模拟，总结出器件结构和工艺参数对负阻特性的影响。     

三端双向负阻晶体管的模拟与实验

对双向负阻晶体管(BNRT)的三端特性进行了研究.根据器件模拟得到了器件内部电势和电场分布,解释了S型负阻特性产生机理.分别从模拟和实验得到了输出负阻曲线随控制极电压变化的情况,结果表明,随控制电压的增大,转折电压、转折电流和维持电压均增大.模拟结果和实验结果一致.BNRT的三端化实现,克服了两端应用的诸多缺点,大大增加了它在高速脉冲电路中的应用灵活性     

三端双向负阻晶体管的模拟与实验

对双向负阻晶体管(BNRT)的三端特性进行了研究.根据器件模拟得到了器件内部电势和电场分布,解释了S型负阻特性产生机理.分别从模拟和实验得到了输出负阻曲线随控制极电压变化的情况,结果表明,随控制电压的增大,转折电压、转折电流和维持电压均增大.模拟结果和实验结果一致.BNRT的三端化实现,克服了两端应用的诸多缺点,大大增加了它在高速脉冲电路中的应用灵活性.     

表面型静电感应晶闸管负阻导通特性的研究

运用漂移-扩散模型,对表面型静电感应晶闸管的导通特性进行了数值模拟。分析表明,表面型静电感应晶闸管(SITH)具有与纵向结构SITH类似的负阻导通特性,而且表面型结构的各电极相对面积比纵向结构要小很多,阴极和栅极之间的电容更小,从而具有更快的开关速度和更高的灵敏度。对表面型SITH的电势分布、载流子分布以及阳极I-V特性进行了深入地计算和分析。显示数值模拟结果十分接近实际测量结果,模拟中也发现栅极的位置对栅极的控制性能的影响很大。     

氧化物烧结体的负阻特性及其应用

<正> 一、引言 在一定条件下某些半导体器件会出现电压增加电流反而减小或电压减小电流增加的现象(见图1),器件呈现微分负电阻,这就是负阻效应(Negtive ResistanceEffect)。负阻元件的电流-电压特性曲线呈S型的,其电压随着电流增加而降低,称为电流控制型负阻特性或称S型负阻     

电阻栅结构负阻异质结双极晶体管

设计并研制成功了具有电阻栅结构的n-InGaP/p-GaAs/n-GaAs负阻异质结双极晶体管．研制出的器件I-V特性优于相关文献的报导；得到了恒定电压和恒定电流两种模式的负阻特性曲线；对两种模式负阻特性产生的物理机制进行了解释；最后对此器件的应用前景进行了预测．     

电阻栅结构负阻异质结双极晶体管

设计并研制成功了具有电阻栅结构的n-InGaP/p-GaAs/n-GaAs负阻异质结双极晶体管.研制出的器件I-V特性优于相关文献的报导;得到了恒定电压和恒定电流两种模式的负阻特性曲线;对两种模式负阻特性产生的物理机制进行了解释;最后对此器件的应用前景进行了预测.     

等离子体圆柱波导的频率相关性

通过给出的等离子体圆柱波导的精确特征方程,讨论了特征方程的特征值对频率的依赖。并且对特征值与厚度因子(α)的关系进行讨论,给出了在α1时的特征方程,该方程计算简便。进一步运用α1时的特征方程的解,提出了一种求解严格特征方程之特征值的近似方法。     

弹道导弹目标识别技术

弹道导弹突防过程中的目标识别是反导防御系统中的核心技术之一。根据弹道导弹在飞行过程中的目标特性及运动特性,分析了反导防御系统中弹道导弹目标识别的技术特点,从目标的运动特性、结构特性以及再入特性等角度总结了地基相控阵雷达进行目标识别的策略和方法,最后对反导防御系统中弹道导弹目标识别技术进行了展望。     

尘埃粒子计数器信号传输特性研究

为了研究尘埃粒子计数器信号传输的本质特性,采用从单粒子信号出发的方法,在研究单粒子散射光收集特性、光电转换特性的基础上分析单径粒子群信号分布的统计特性及混合粒子群在传感器中的输入-输出信号传输特性,并进行了实验验证,实验值与理论值基本一致,相关系数高达0.9以上。结果表明,尘埃粒子计数器的信号传输特性的本质是将粒子群的粒径分布描述方式以线性变换的方式转换成相应的脉冲信号幅值分布描述方式。这一结果为促进仪器向大流量、高灵敏方向发展奠定了理论基础。     

基于蒙特卡罗分析Ⅲ族氮化物输运特性的研究

利用Silvaco软件中的蒙特卡罗算法,详细研究了Ⅲ-氮化物的速-场特性和低场迁移率特性,数值计算了掺杂浓度和晶格温度对-氮化物输运特性的影响。结果表明,在忽略缺陷和表面粗糙度散射的条件下,Ⅲ-氮化物的强场输运特性取决于材料的谷间散射,且当掺杂浓度小于1e17cm-3时,杂质对速-场特性的影响可忽略不计;而低场迁移率特性则主要受晶格振动散射和电离杂质散射的影响。此外,根据Ⅲ-氮化物速-场特性的模拟结果,对"速度过冲"效应提出一种新的解释。     

全距特征排列及全距置换

全距置换具有良好的密码学性质。该文首次提出了全距特征排列的概念,对全距特征排列的性质、计数进行了研究,并在此基础上讨论了全距置换与全距特征排列之间的映射关系、最后基于全距特征排列给出了全距置换的一种有效的构造方法,首先构造全距特征排列,再求出全距置换。     

Relationship between rms and instantaneous characteristics on nonlinear devices

Often a nonlinear transfer characteristic is given in terms of rms input and rms fundamental output. It is shown that this can be transformed into an instantaneous input/output characteristic which includes the odd-order components only. The even-order components have been irrevocably lost. The even-order terms of the instantaneous transfer characteristic can be obtained from the rms-input/dc-output characteristic. The instantaneous characteristic is required, for instance, when calculating distortion.     

负载牵引技术在小型化宽频带固态功放设计中的应用

运用负载牵引技术,通过谐波平衡法,设计了倍频程带宽的小型化宽频带微波固态功率放大器。本文中的设计方法可以对功率放大器的输出功率-频率特性、实际功率增益-频率特性、功率附加效率-频率特性、中心频点的输入-输出特性等各项微波性能进行预先估计,是小型化宽频带固态功率放大器设计的一条有效途径。     

光纤翘曲特性测试仪

本文介绍了我们采用显微侧视法制作的光纤翘曲特性测试仪,并分析了光纤翘曲特性对光纤熔接特性的影响。     

基于多脉冲的雷达个体识别技术

雷达个体识别是雷达对抗侦察的最终目的,雷达信号的频率稳定度可以作为雷达个体识别的依据,但这一特征测量起来比较困难。重复频率稳定度是一种比较便于测量的雷达个体特征,在雷达个体识别中有较广阔的应用前景。雷达脉冲包络特征是区分雷达个体的有效手段,但具体的特征提取方法还需要深入研究。     

基于FPGA的频率特性测试仪的设计

为了更好地利用频率特性测试仪,也称扫频仪(FSI),测量被测电路网络的幅频特性和相频特性,提出了一种基于FPGA核心的新型频率特性测试仪设计方案.并在此基础上实现了测量500 Hz至125 kHz带宽的幅频特性和相频特性的功能,各项指标的仿真结果与实测结果高度吻合,与点频测量法相比较误差在5％以内,并在小型化,数字化,...