GaSb晶片表面残留杂质分析

对不同条件下制备的锑化镓抛光晶片表面进行了TOF-SIMS测试比较.结果表明使用体积比为5∶1的HCl与CH3COOH的混合溶液清洗腐蚀(100) GaSb晶片表面,可以有效地去除金属离子、含S离子和大部分有机物,而使用(NH4)2S/(NH4)2SO4混合溶液方法钝化表面,可以使表面大部分Ga和Sb元素硫化,降低了表面态密度.分析比较了清洗和钝化工艺对晶片表面化学成分的影响.     

GaSb晶片钝化工艺对抛光表面的影响

锑化镓(GaSb)作为常用的III-V型半导体材料,因其易于氧化的性质而限制了其应用效果,而硫钝化是一种常见而有效的应对手段。该文选取了硫化铵溶液,对化学机械抛光后的晶片表面进行处理,以研究硫钝化工艺中钝化时间对抛光面的影响。实验结果通过原子力显微镜(AFM)和X线光电子能谱(XPS)进行了表征,研究发现,经硫化铵溶液处理后,与Ga相比,Sb的硫化程度更完全,且该程度会随着硫化时间的延长而逐渐加大。另外,处理时间长会加重GaSb晶片表面的腐蚀,使其表面起伏加剧,表面粗糙度增大。     

尾纤模块研磨轨迹的仿真及实验研究

对不同条件下制备的锑化镓抛光晶片表面进行了TOF-SIMS测试比较。结果表明使用体积比为5∶1的HCl与CH3COOH的混合溶液清洗腐蚀(100)GaSb晶片表面, 可以有效地去除金属离子、含S离子和大部分有机物, 而使用 (NH4)2S/(NH4)2SO4混合溶液方法钝化表面,可以使表面大部分Ga和Sb元素硫化, 降低了表面态密度。分析比较了清洗和钝化工艺对晶片表面化学成分的影响。     

超低亚表面损伤层GaAs抛光晶片的工艺

在不同弹性抛光布、不同氧化浓度、不同pH值的抛光液等条件下进行了化学机械抛光试验,并用TEM测量了晶片亚表面损伤层厚度.研究发现抛光布的弹性及抛光液的氧化和化学去除能力决定了GaAs抛光晶片的亚表面损伤层深度,并分析和讨论了其原因.     

超低亚表面损伤层GaAs抛光晶片的工艺

在不同弹性抛光布、不同氧化浓度、不同 p H值的抛光液等条件下进行了化学机械抛光试验 ,并用 TEM测量了晶片亚表面损伤层厚度 .研究发现抛光布的弹性及抛光液的氧化和化学去除能力决定了 Ga As抛光晶片的亚表面损伤层深度 ,并分析和讨论了其原因     

CdS晶片化学机械抛光的表面粗糙度研究

研究了化学机械抛光(CMP)过程中抛光液组分对硫化镉(CdS)晶片表面粗糙度的影响.通过分析磨粒浓度、氧化剂种类及浓度、pH值对CdS晶片表面粗糙度的影响后,得到了用于CdS晶片Cd面CMP的抛光液配比,即磨粒SiO2浓度为20％,氧化剂NaClO的浓度为2.5％,pH值为10.64.在优化其他工艺条件下,采用该抛光液对CdS晶片Cd面进行抛光,可以获得高质量的抛光表面,经原子力显微镜(AFM)测试,在10μm×10μm的区域内,Cd面表面粗糙度Ra仅为0.171 nm.该抛光液也适用于S面的抛光,S面表面粗糙度Ra可达到0.568 nm,从而达到双面共用的效果.     

不同抛光方式下InSb晶片表面质量的对比研究

本文分别以加双氧水的化学机械抛光和未加双氧水的纯机械抛光方式对InSb晶片进行表面处理,通过分析氧化膜的生成,以及对InSb晶片的表面划痕、表面粗糙度和表面损伤的表征,开展了两种不同抛光方式下InSb晶片的表面质量对比研究.结果表明,在化学机械抛光过程中,InSb晶片表面有氧化层生成,该氧化层能保护材料表面免受损伤;并...     

线切割InSb晶片表面损伤研究

利用扫描电子显微镜 (Scanning Electron Microscopy, SEM)、台阶仪和X射线衍射仪 (X-ray Diffraction, XRD) 研究了线切割InSb晶片和内圆切割晶片的表面损伤程度,定量分析了损伤层的厚度,并探讨了影响InSb切割晶片表面损伤的因素。结果表明,线切割InSb晶片的表面较平整,粗糙度小,表面损伤小,损伤层的厚度约为14 μm,小于常规内圆切割晶片。研究结果对大尺寸、大批量InSb晶片的生产及后续加工具有一定的参考价值。     

化合物半导体

Z99-51304-24 9914827MOCVD 法生长 AtGaAs 的组分控制研究[会]/公延宁//第六届全国固体薄膜学术会议论文集.—24～26(D)Z99-51304-155 9914828砷化镓抛光晶片表面吸附问题的分析[会]/郑红军//第六届全国固体薄膜学术会议论文集.—165～168(D)采用 ASS(俄歇电子能谱)测试方法,分析了经过不同方法后步清洗工艺处理的 GaAs 抛光晶片表面态,结果表明,抛光晶片表面吸附物主要是与晶片表面悬挂键相结合的残留反应生成物、残余抛光液-氧,而化学吸附-氧是影响 GaAs 抛光晶片清洗、封装工艺技术发展的关键问题之一。     

硒化镉晶片的化学机械抛光

硒化镉(CdSe)的表面加工质量对CdSe基器件的性能至关重要.化学机械抛光(CMP)是一种获得高质量晶体加工表面的常用方法.为改善CdSe晶片的表面加工质量,以SiO2水溶胶配制抛光液,研究了抛光液磨料质量分数、抛光液pH值、氧化剂NaClO的质量分数、抛光盘转速和抛光时间等因素对CdSe晶片抛光去除速率和表面质量的影响,优化了CdSe的CMP工艺参数.结果表明,在优化工艺条件下,CdSe的平均去除速率为320 nm/min,晶片的抛光表面无明显划痕和塌边现象.原子力显微镜(AFM)测量结果表明,抛光后的CdSe晶片表面粗糙度为0.542 nm,可以满足器件制备要求.     

激光衍射法测量表面张力和表面压

实验上实现了低频液体表面波的激光衍射,提出了激光衍射法测量液体表面张力和表面压。当激光斜入射到几百赫兹液体表面波上,观察到反射光形成稳定的、清晰的衍射光斑。理论上导出了衍射光斑的角宽度和表面波波长的解析关系,实验上验证了液体表面波的色散关系,计算了蒸馏水的表面张力和蒸馏水中加入不溶性表面活性剂———“苯”单分子膜的表面压。根据其机理,建立起一种实时、非接触测量液体表面张力和表面压的实用方法。     

机场场面监视雷达系统设计

机场场面监视雷达是机场地面态势监视的重要手段,目前机场场面监视雷达产品几乎全部为国外公司制造。首先, 给出了机场场面监视雷达的系统功能要求,并分析了对其具体技术要求;然后,提出了一种机场场面监视雷达系统的设计方案,介绍了方案的主要特点、系统组成、工作原理和关键技术;其次,根据场面监视雷达回波信号的特点,给出了基于数字图像处理思想的目标检测新方法;最后,介绍了场面监视雷达工程样机的研制和试验情况,给出了试验结果。文中提出的方法对于场面监视雷达系统的研制有一定借鉴意义。     

生物医学表面信息检测新方法研究

本文在血液等液体的表面上，激振出了一维表面波光栅，当激光束照射时，形成一列线阵分布的衍射光斑，它包含了生物表面特性的光信息，用电荷耦合器件等光电系统采集光信息与处理数据，从而为定量地表征生物表面信息，开创了新的研究途径。     

用于波前校正的自由曲面反射镜设计方法研究

自由曲面反射镜拥有能够校正高能固体激光系统的波前畸变的能力。使用自由曲面反射镜进行波前校正,对镜子加工设计的精度有很高的要求。基于波前的相位互补原理,设计了自由曲面反射镜。并通过BP神经网络算法进行曲面重构,拟合出满足数控加工要求较高精度的自由曲面方程。     

碳化硅表面硅改性层的特性研究

为了获得具有高质量光学表面的非球面碳化硅反射镜,需对碳化硅反射镜表面进行改性。介绍了离子束辅助沉积硅的碳化硅表面改性技术。对改性样片表面硅改性层的机械性能、光学加工性、表面粗糙度及反射率等特性进行研究。实验结果表明,碳化硅表面的硅改性层具有优良的机械性能和良好的光学加工性。光学抛光后,碳化硅表面硅改性层的表面粗糙度为0.85nm[均方根(RMS)值],在可见光波段反射率最高可达98.5%(镀银反射膜)。采用数控加工方法对口径为Ф600mm的表面改性离轴非球面碳化硅反射镜进行加工,最终反射镜面形精度的RMS值达到0.018λ(λ=0.6328μm),满足高精度空间非球面反射镜的技术指标要求。     

界面电磁学的理论与应用

近年来以超构表面(metasurface)为代表的各种新型电磁表面在微波、太赫兹、光学频段不断涌现，一个新的被称为“界面电磁学”的电磁学研究领域正在逐渐浮现。文章首先对界面电磁学做了一个概述，主要明确了其学科定位和研究框架。基于其研究框架，对界面电磁学的基础理论、表面设计和系统应用三个方面逐一进行了深入介绍。相信界面电磁学的系统深入研究将会给电子信息系统带来重大的影响和变革。     

表面活性化常温结合过程中表面微观形貌变化的AFM研究

用表面活化方法实现了Ａｌ和Ｓａｐｐｈｉｒｅ之间常温直接结合，用原子力显微镜研究了电解腐蚀，高速原子束轰击和压接等过程中样品表面微观形貌及微粗糙度的变化，提示了压接前样品表面微观粗糙度对接合强度的影响，为优化表面活性常温结合过程控制，提高了ＳＡＢ接合强度提供了的实验依据。     

Windows下利用DirectX进行PPI显示程序的开发

主要论述在Windows操作系统下，利用DirectX实现PPI实时显示的一种方法。该方法改善了Windows系统的实时性、大大提高了图形的处理速度，并且已通过了程序验证。     

表面张力在PCB生产中的应用

概述了表面张力在PCB生产过程中的作用。     

金属目标后向散射特性与表面温度场关系的研究

本文研究金属目标的后向散射特性与入射角、表面温度场之间的关系。根据现有条件设计了实验装置,并用该装置测量了部分实验数据。相关结论对激光探测等领域的研究具有一定的参考价值。