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基于蓝宝石衬底InAlN/GaN异质结材料研制具有高电流增益截止频率(fT)和最大振荡频率(fmax)的InAlN/GaN异质结场效应晶体管 (HFETs)。基于再生长n GaN欧姆接触工艺实现了器件尺寸的缩小,有效源漏间距(Lsd)缩小至600 nm。此外,采用自对准栅工艺制备60 nm T型栅。由于器件尺寸的缩小,在Vgs= 1 V下,器件最大饱和电流(Ids)达到1.89 A/mm,峰值跨导达到462 mS/mm。根据小信号测试结果,外推得到器件的fT和fmax分别为170 GHz和210 GHz,该频率特性为国内InAlN/GaN HFETs器件频率的最高值。 相似文献
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研制了高电流增益截止频率(fT)的InAlN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT).采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)再生长n+GaN非合金欧姆接触工艺将器件源漏间距缩小至600 nm,降低了源、漏寄生电阻,有利于改善器件的寄生效应;使用低压化学气相沉积(LPCVD)生长SiN作为栅下介质,降低了InAlN/GaN HEMT栅漏电;利用电子束光刻实现了栅长为50 nm的T型栅.此外,还讨论了寄生效应对器件fT的影响.测试结果表明,器件的栅漏电为3.8 μA/mm,饱和电流密度为2.5 A/mm,fT达到236 GHz.延时分析表明,器件的寄生延时为0.13 ps,在总延时中所占的比例为19%,优于合金欧姆接触工艺的结果. 相似文献
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《红外与毫米波学报》2016,(6)
基于蓝宝石衬底InAlN/GaN异质结材料研制具有高电流增益截止频率(f_T)和最大振荡频率(f_(max))的InAlN/GaN异质结场效应晶体管(HFETs).基于再生长n+GaN欧姆接触工艺实现了器件尺寸的缩小,有效源漏间距(Lsd)缩小至600nm.此外,采用自对准栅工艺制备60nmT型栅.由于器件尺寸的缩小,在Vgs=1V时,器件最大饱和电流(Ids)达到1.89A/mm,峰值跨导达到462mS/mm.根据小信号测试结果,外推得到器件的f_T和f_(max)分别为170GHz和210GHz,该频率特性为国内InAlN/GaNHFETs器件频率的最高值. 相似文献
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采用二次外延重掺杂n+ GaN实现非合金欧姆接触,并通过优化干法刻蚀和金属有机化学气相沉积(MOCVD)外延工艺,有效降低了欧姆接触电阻.将非合金欧姆接触工艺应用于InAlN/GaN异质结场效应晶体管(HFET)器件制备,器件的有效源漏间距缩小至600 nm.同时,结合40 nm T型栅工艺,制备了高电流截止频率(fT)和最大振荡频率(fmax)的InAlN/GaN HFET器件.结果显示减小欧姆接触电阻和栅长后,器件的电学特性,尤其是射频特性得到大幅提升.栅偏压为0V时,器件最大漏源饱和电流密度达到1.88 A/mm;直流峰值跨导达到681 mS/mm.根据射频小信号测试结果外推得到器件的fT和fmax同为217 GHz. 相似文献
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研究了一款高性能的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管器件(HEMT),器件基于在蓝宝石衬底上外延生长的AlGaN/GaN异质结构HEMT材料,器件栅长为86 nm,源漏间距为0.8μm。电子束光刻实现T型栅和源漏,保证了器件小的栅长和高的对准精度。制备的器件显示了良好的直流特性和射频特性,在栅偏压为0 V时漏电流密度为995 mA/mm,在栅源电压Vgs为-4.5 V时,最大峰值跨导为225 mS/mm;器件的电流增益截止频率fT和最大振荡频率fmax分别为102和147 GHz。高fT值一方面得益于小栅长,另一方面由于小源漏间距减小了源漏沟道电阻。 相似文献
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研制了一款X波段增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)。在3英寸(1英寸=2.54 cm)蓝宝石衬底上采用低损伤栅凹槽刻蚀技术制备了栅长为0.3μm的增强型AlGaN/GaN HEMT。所制备的增强型器件的阈值电压为0.42 V,最大跨导为401 mS/mm,导通电阻为2.7Ω·mm。器件的电流增益截止频率和最高振荡频率分别为36.1和65.2 GHz。在10 GHz下进行微波测试,增强型AlGaN/GaN HEMT的最大输出功率密度达到5.76 W/mm,最大功率附加效率为49.1%。在同一材料上制备的耗尽型器件最大输出功率密度和最大功率附加效率分别为6.16 W/mm和50.2%。增强型器件的射频特性可与在同一晶圆上制备的耗尽型器件相比拟。 相似文献
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《红外与毫米波学报》2017,(1)
在蓝宝石衬底上研制了具有高电流增益截止频率(f_T)的InAlN/GaN异质结场效应晶体管(HFETs).基于MOCVD外延n+-GaN欧姆接触工艺实现了器件尺寸的缩小,有效源漏间距(Lsd)缩小至600 nm.此外,采用自对准工艺制备了50 nm直栅.由于器件尺寸的缩小,Vgs=1 V下器件最大饱和电流(I_(ds))达到2.11 A/mm,峰值跨导达到609 mS/mm.根据小信号测试结果,外推得到器件的fT和最大振荡频率(fmax)分别为220 GHz和48 GHz.据我们所知,该f_T值是目前国内InAlN/GaN HFETs器件报道的最高结果. 相似文献
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在SiC衬底上制备得到了表面钝化氮化硅(SiN)的AlGaN/Ga N高电子迁移率场效应晶体管(HEMTs)。采用高电子浓度的AlGaN/GaN异质结材料、90 nm T型栅、100 nm SiN表面钝化、低欧姆接触以及较短漏源间距等方法来提升器件性能。在Vgs=4 V时器件的最大漏源饱和电流密度为1.72 A/mm,最大跨导为305 m S/mm,此结果为国内报道的AlGaN/GaN HEMT器件最大漏源饱和电流密度。此外,栅长为90 nm T型栅器件的电流增益截止频率(fT)为109GHz,最大振荡频率(fmax)为144 GHz。 相似文献
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报道了基于AlN/GaN异质结的Ka波段低噪声放大器的研制结果.在SiC衬底上生长AlN/GaN异质结材料结构,采用电子束直写工艺制备了栅长70 nm的"T"型栅结构.器件最大电流密度为1.50 A/mm,最大跨导为650 mS/mm,通过S参数测试外推特征频率和最大频率分别为105 GHz和235 GHz.基于70 ... 相似文献
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Tingting Han Shaobo Dun Yuanjie Lü Guodong Gu Xubo Song Yuangang Wang Peng Xu Zhihong Feng 《半导体学报》2016,37(2):024007-024007-4
InAlN/GaN high-electron-mobility transistors (HEMTs) on SiC substrate were fabricated and characterized. Several techniques, consisting of high electron density, 70 nm T-shaped gate, low ohmic contacts and a short drain-source distance, are integrated to gain high device performance. The fabricated InAlN/GaN HEMTs exhibit a maximum drain saturation current density of 1.65 A/mm at Vgs = 1 V and a maximum peak transconductance of 382 mS/mm. In addition, a unity current gain cut-off frequency (fT) of 162 GHz and a maximum oscillation frequency (fmax) of 176 GHz are achieved on the devices with the 70 nm gate length. 相似文献
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本文在蓝宝石衬底上研制了具有高电流增益截止频率(fT)的InAlN/GaN异质结场效应晶体管 (HFETs)。基于MOCVD外延n -GaN欧姆接触工艺实现了器件尺寸的缩小,有效源漏间距(Lsd)缩小至600 nm。此外,采用自对准工艺制备了50 nm直栅。由于器件尺寸的缩小,Vgs= 1 V下器件最大饱和电流(Ids)达到2.11 A/mm,峰值跨导达到609 mS/mm。小信号测试表明,器件fT达到220 GHz、最大振荡频率(fmax)达到48 GHz。据我们所知,该fT值是目前国内InAlN/GaN HFETs器件报道的最高结果。 相似文献
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通过利用MOCVD生长的高质量蓝宝石衬底InAlN/AlN/GaN异质结材料,获得了高的二维电子气面密度,其值为1.65×10<'13>cm<'-2>.通过该结构制备了0.15 μm栅长InAlN/AIN/GaN HEMT器件,获得了相关的电学特性:最大电流密度为1.3A/mm,峰值跨导为260mS/ram,电流增益截... 相似文献
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This work presents a theoretical and experimental study on the gate current 1/f noise in Al Ga N/Ga N HEMTs. Based on the carrier number fluctuation in the two-dimensional electron gas channel of Al Ga N/Ga N HEMTs, a gate current 1/f noise model containing a trap-assisted tunneling current and a space charge limited current is built. The simulation results are in good agreement with the experiment. Experiments show that, if Vg Vx, gate current 1/f noise comes from not only the trap-assisted tunneling RTS, but also the space charge limited current RTS. This indicates that the gate current 1/f noise of the Ga N-based HEMTs device is sensitive to the interaction of defects and the piezoelectric relaxation. It provides a useful characterization tool for deeper information about the defects and their evolution in Al Ga N/Ga N HEMTs. 相似文献
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Bo Liu Zhihong Feng Shaobo Dun Xiongwen Zhang Guodong Gu Yuangang Wang Peng Xu Zezhao He Shujun Cai 《半导体学报》2013,34(4):044006-044006-4
We report the DC and RF performance of InAlN/GaN high-electron mobility transistors with AlGaN back barrier grown on SiC substrates. These presented results confirm the high performance that is reachable by InAlN-based technology. The InAlN/GaN HEMT sample showed a high 2DEG mobility of 1550 cm2/(V·s) at a 2DEG density of 1.7×1013 cm-2. DC and RF measurements were performed on the unpassivated device with 0.2 μm "T" gate. The maximum drain current density at VGS=2 V is close to 1.05 A/mm in a reproducible way. The reduction in gate leakage current helps to increase the frequency performance of AlGaN back barrier devices. The power gain cut-off frequency of a transistor with an AlGaN back barrier is 105 GHz, which is much higher than that of the device without an AlGaN back barrier at the same gate length. These results indicate InAlN/GaN HEMT is a promising candidate for millimeter-wave application. 相似文献
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报道了利用南京电子器件研究所生长的蓝宝石衬底AlGaN/GaN异质结材料制作的HEMT,器件功率输出密度达4W/mm。通过材料结构及生长条件的优化,利用MOCVD技术获得了二维电子气(2DEG)面密度为0.97×1013cm-2、迁移率为1000cm2/Vs的AlGaN/GaN异质结构材料,用此材料完成了栅长1μm、栅宽200μm AlGaN/GaN HEMT器件的研制。小信号测试表明器件的fT为17GHz、最高振荡频率fmax为40GHz;负载牵引测试得到2GHz下器件的饱和输出功率密度为4.04W/mm。 相似文献
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基于SiC衬底AlGaN/GaN异质结材料研制具有高电流增益截止频率(fT)和最大振荡频率(fmax)的AlGaN/GaN异质结场效应晶体管(HFETs).基于MOCVD外延n+ GaN 欧姆接触工艺实现了器件尺寸的缩小, 有效源漏间距(Lsd)缩小至600 nm.此外, 采用自对准工艺制备了60 nm T型栅.由于器件尺寸的缩小, 在Vgs=2 V下, 器件最大饱和电流(Ids)达到2.0 A/mm, 该值为AlGaN/GaN HFETs器件直流测试下的最高值, 器件峰值跨导达到608 mS/mm.小信号测试表明, 器件fT和fmax最高值分别达到152 GHz和219 GHz. 相似文献
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The DC and RF performance of 30 nm gate length enhancement mode (E-mode) InAlN/AlN/GaN high electron mobility transistor (HEMT) on SiC substrate with heavily doped source and drain region have been investigated using the Synopsys TCAD tool. The proposed device has the features of a recessed T-gate structure, InGaN back barrier and Al2O3 passivated device surface. The proposed HEMT exhibits a maximum drain current density of 2.1 A/mm, transconductance gm of 1050 mS/mm, current gain cut-off frequency ft of 350 GHz and power gain cut-off frequency fmax of 340 GHz. At room temperature the measured carrier mobility (μ), sheet charge carrier density (ns) and breakdown voltage are 1580 cm2/(V·s), 1.9×1013 cm-2, and 10.7 V respectively. The superlatives of the proposed HEMTs are bewitching competitor or future sub-millimeter wave high power RF VLSI circuit applications. 相似文献