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1 声表面波技术 280 SAW器件——采用高耦合压电单晶的压电器件——藤原嘉朗:1990:21(102)pp.38—40 采用机电耦合系数较大的36°YX—LiTaO_3基片制作了能阱型SAW谐振器。本文叙述了采用这种谐振器制作的具有宽的频率可变宽度和高的温度稳定性的压控振荡器(VCO),调制畸变率小和S/N比大的调制器,以及宽带定时取样滤波器,这些产品的工作频率范围为50—300MHz。     

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1 声表面波技术 171 SAW振荡器频率稳定性的研究——井下明德:日本大学理工学部学术讲演论文集,1989:33rd pp.581—582 研究了SAW谐振器中串联电感对频率稳定性的影响。在对为扩大频率可变领域而采用的电感所导致的寄生振荡进行抑制的情况下,采用在电感中串联电阻的方法是行之有效的,此时查明:频率短期稳定在整个平均测定时间范围内都会变差。     

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1 声表面波技术 060 无线电应用系统及其相关技术——声表面波技术在无线电通讯机中的应用——疋田光孝.日立评论(日),1990,72(9):11—918 本文叙述可显著减少转换损耗的滤波器和谐振器的新构成法,1μm微细电极抓工技术和压电晶体。然后介绍采用新技术制作的移动无线电用滤波器,并介绍了将其它元件封入单个外壳的功能组件。     

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(一)声表面波技术112 采用线性程序的SAW滤波器的最佳设计——Ruppel,C.:1983 Ultrason.Symp.Proc.,23—26介绍具有任意通带和群延迟响应的SAW带通滤波器的设计方法.用δ函数模型解释了滤波器几何形状与频率响应之间的关系.滤波器的几何形状在限定固定滤波器长度的情况下由阻带抑制最佳化来确定.用此方法能设计具有平坦的通带振幅和相位响应的滤波器.     

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一、声表面波技术269 采用静磁表面波延迟线的微波振荡器——M·Tsutsumi:《电子通信学会论文志-C》(日文),1986:J69C(8)1061—1063在2—4GHz FET放大器的反馈环路中装入一个静磁表面波延迟线制成了微波振荡器.为选择一种适合的振动模式设计成长1mm周期的金属栅阵列.给出了随着磁场大小而变化的振荡频率的功率分布.     

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001 SAW横向滤波器用的最佳耦合电路——R.Larosa:1987Ultrason.Symp.Proc,pp.73—78将一侧为变迹换能器;另一侧为未变迹换能器的简单的SAW横向滤波器用作中频放大器,可使成本降至最低.使两换能器相匹配可使系统获得最大增益.为把噪声指数降至最低程度,对相对于次级放大器的电源阻抗作了最佳选择.     

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1 声表面波技术93127 液体传感器用ZnO/A1结构拉姆波器件——小池将一.电气学会电子回路研究会资料,1991,ECT—91(6～10):27～33论述了拉姆波器件,分析了A_0和S_0模式拉姆波的相位速度和机电耦合系数K~2.示出了ZnO和Al膜厚引起的各种模式的K~2的变化情况,给出了适宜各种模式激励的结构.此外,考察了这种器件的插损,给出了器件的试制结果,表明,可制成高灵敏液体传感器.(秦)     

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1 声表面波技术 286 一种受控的SAW振荡器——Yennolov VA.Telecommnun Radio,Eng 2,Radio Eng,1990,45(8):72—74 本文叙述了一种受控的SAW振荡器,它是利用受控的磁声延迟线,形成放大器反馈电路的相移。     

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一、声表面波技术226 体波、声表面波和弯曲板波超声重量传感器灵敏度的分析比较——S.W.Wenzel:Appl.Phys.Lett.,1989:54(20)pp.1976—1978在负荷质量较小的范围内,体波、声表面波和弯曲板波重量传感器的灵敏度分别为2/ρλ、(?)1/ρλ和1/2ρd,ρ是传感器用基片的密度,λ是波长,d是弯曲模式.文章对这三种重量传感器的灵敏度作了分析比较.(秦)227 利用声表面波干扰的声电频率仪——N.I.Burimov:Sov.Tech.Phys.Lett.,1988:14(11)pp.842—843在长方形压电基片上设置n个声表面波波导,在波导上蒸发金属薄膜.在有无金属膜部分传输的     

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文摘选辑０１性能一致的ＰＴＣ陶瓷的烧成方法──陈广福。电子元件与材料。１９８８；７（１）：４３～４４低居里点ＰＴＣ瓷片传统烧成法是将生片叠起来立在平承烧板上烧成。当升降温速度较快时，因不同部位炉温不同，使烧出的瓷片阻值一致性差。采用耐高温、强度大且对...     

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(一)声表面波技术292 用兰姆波延迟线振荡器的频率调制器——Toda,K.:Jpn.J.Appl.Phys.Svppl.1984:23(23-1)162-4叙述用于频率调制的兰姆波器件,它由制作在压电薄膜上的两对叉指换能器和一个电极组成,每个换能器都在各自的反面有一个反电极.器件的振荡频率随加入中间电极的电信号振幅而线性变化.介绍了频率调制器的工作原理,并作了包括电压-频率关系和频率特性的实验论证.     

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108 声表面波器件在民用电子设备中的应用——(Takahashi S.et al.)《Japn.J.of Appl.Phys.》22 Suppl.22-3(1983)7—11 介绍了SAW技术的近况及SAW器件在民用电子设备中的应用,主要介绍了磁带录象机用的SAW谐振器和用作电视中频滤波器残余边带滤波器和电视公用天线变频器的SAW横向滤波器,给出了它的特点和性能。(宗)     

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(一)单晶和薄膜材料208 提拉法晶体生长中转动的影响——(Riley N.)《Jour.Cryst.Growth》47 4557—67 1979提出了一个从熔体生长单晶时有关晶体及坩埚转动影响的模型,按许密特数求解,并研究了晶体-熔体界面上影响生长的条件.     

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281 用SAW延时差器件(DDD)作VHF/UHF频率测量——(Wecd R. B.)《APL》4012(1982)1010—2 这种SAW DDD可以精确测量两个rf信号的相对延时或相位。它的关键元件是一个SAW抽头延迟线,它可敏感两个相对传播的声波所引起的干涉图形。     

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(一)声表面波技术328 LiNbO_3双电极SAW换能器的旁瓣补偿——(Cohn R.W.et al.)《1982 Ultras.Symp.Proc.》18—22报导采用精确数据测量、分析和器件设计的变迹双电极换能器的补偿方法.在这种方法中,用宽带输入换能器和采用以脉冲响应模型为基础的理想抽头加权的变迹输出换能器制作了初次通过器件.在自动网络分析仪上测量了器件转移功能(S_(21)),并用软件分析机件比较了理想数据和测得的数据以计算补偿器件性能指标偏移的一套抽头加权.测量了用道尔夫-泰勒换能器加权的迭代器件的旁瓣改进.此外还研究了补偿系统的精确度和灵敏度.     

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(一)表声面波技术061 LiTaO_3单晶的SAW器件—(Hito-shi Hirano)《Ferroelectrics》421/4(1982)203—14用LiTaO_3单晶制作的SAW TV-IF滤波器,TV广播发射机用VSB滤波器,VTR调谐器用SAW谐振器等,都大量生产和投入实用.它们具有比用其它基片材料低的温度特性,传播损耗小、假响应小并有良好的重现性和可靠性.适用于信息处理和通信系统的要求.当SAW在X-切片上沿着Y-112°传播时,体波假响应信号可抑制到-40dB以下,温度系数～18ppm/℃.耦合系数(k~2)～0.75%.(声)     

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(一)声表面波技术和器件142 SAW滤波器设计的最佳技术——(Kodama T.)《1979 Ultrasonics SymposiymProceedings》552—6提出了一种SAW滤波器设计的新技术.这种新技术采用非线性程序的最优化,通过FFT规则系统来计算目的功能梯度发展了这种新技术.这种规则系统能很快地收敛,这就能够利用Daridon Eletcher Poweu法.这种优化方法当复杂的带通尖锐设计时特别有效.另外示出了一种新的指条电极的结构,还提出了为补偿电极电阻影响的作用的近似方程.上述技术的实验论证示出了在X-112°Y切LiTaO_3基片上制作的SAW滤波器.     

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(一) 声表面波技术 161 三相变迹单向SAW换能器用耦合加权电路模型——Gholdston,E.W.:1984 IEEE Ultrason.Symp.Proc., 64—67 研制成三相变迹换能器筹效电路模型用的方程式,该式是利用标准的抽头加权来改进每个电极的耦合强度。这种技术表示在Mason电路模型中把电压加权应用到模拟变迹法中。提出了在YZ LiNbO_3上三相变迹器件散射参数的对比。结果表明,在通带和第一旁瓣中理论和实验上具有3dB以内的一致性。     

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052 伪乐甫SAW谐振器滤波器的研究——山之内(?)彦:东北大学电通谈话会记录(日),1989:57(4)PP.235—236 SAW谐振器的谐振频率比体波谐振器高得多,且容易制作,因此获得了广泛应用,但人们期待着器件进一步小型化和高性能化。本文试制了采用伪乐甫SAW能阱型谐振器、IDT型谐振器和双端对滤波器,对它们的特性作了实验研究,结果表明,可获得休积极小的宽带谐振器。     

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一、声表面波技术104 SAW脉冲压缩在现代多信道雷达中的应用——J.W.Arthur:Microwave J.,986:29(1)159—69在现代多信道雷达系统中,SAW脉冲压缩滤波器有很重要的作用,除用作脉冲压缩的关键功能器件外,还能使任何数量的高度匹配接收机信道用于单脉冲系统和其他多信道雷达系统.本文主要叙述SAW脉冲压缩滤波器在上述方面的应用,并特别强调必须具有Racal的MESL SAW技术能力.