二氧化锡衬底上Sol—Gel PLT膜的性能研究

用Sol-Gel钛酸镧铅 (PLT)溶胶 ,在CVD法沉积生成的二氧化锡 /玻璃衬底上旋转涂胶成膜。经快速热退火 (RTA)处理后 ,用X射线衍射 (XRD)测试了膜的结晶取向 ,用RT66A测试了膜的电学性能。结果表明 ,Sol-GelPLT膜在SnO2 衬底上能正常结晶 ,结晶温度与在Pt衬底上一致 ,结晶取向以〈10 0〉为主取向。 10V时 ,SnO2 衬底上厚度为 0 5 6μm的PLT膜的漏电约为 5 6× 10 - 7A/mm2 ,比Pt衬底上同等厚度的PLT膜高约一个数量级。膜的剩余极化强度Pr=2 4μC/cm2 ,比Pt衬底上的高。PLT/SnO2 的疲劳特性优于PLT/Pt结构。     

不同下电极对Sol-Gel LiTaO3薄膜性能的影响

用醇盐制备了钽酸锂(LiTaO3)溶胶,分别在Pt、ITO、TiN衬底上旋转涂胶成膜.经快速热退火后,用X射线衍射(XRD)测试了膜的结晶取向,用PLC-100铁电材料分析仪测试膜的铁电特性,用TH2818测试薄膜的介电常数及损耗.结果表明,3种衬底上制备出的薄膜在650℃均可达到充分结晶,薄膜的相对介电常数约160;在10 V时,Pt、ITO、TiN下电极上的剩余极化强度分别为8.42,5.21和5.76μC/cm2;在5V时的漏电分别为2.71×10-7,9.24×10-7和2.19×10-7A/cm2;介电损耗分别为0.02,0.18和0.31.讨论了衬底对薄膜性能影响的原因.     

ITO衬底上PZT膜的性能研究

用Ｓｏｌ－ Ｇｅｌ 锆钛酸铅（ＰＺＴ） 溶胶, 在ＣＶＤ 法沉积生成的掺锡氧化铟（ＩＴＯ） ／ 玻璃衬底上旋转涂胶成膜。经快速热退火（ＲＴＡ） 处理后, 用Ｘ 射线衍射（ＸＲＤ） 测试了膜的结晶取向, 用ＲＴ６６Ａ 测试了膜的电学性能。结果表明, Ｓｏｌ－ Ｇｅｌ ＰＺＴ膜在ＣＶＤ 法生长的ＩＴＯ 衬底上能正常结晶, 但结晶温度比在Ｐｔ 衬底上略高, 结晶取向以＜ １１０ ＞ 为主取向。ＩＴＯ 衬底上厚度为０－６４ μｍ 的ＰＺＴ 膜的漏电约为５ ×１０ － ７ Ａ／ｍ ｍ２ , 比Ｐｔ 衬底上高不到一个数量级。８ Ｖ 时膜的有效介电常数Ｋｅｆ 约１ ３８０ , 剩余极化强度Ｐｒ＝ １３ μＣ／ｃｍ２ , 与Ｐｔ 衬底上无明显差别。ＣＶＤＩＴＯ／ 玻璃衬底可取代昂贵的Ｐｔ 衬底作铁电薄膜的性能研究。     

ITO衬度上PZT膜的性能研究

用Ｓｏｌ－Ｇｅｌ锆钛酸铅（ＰＺＴ）溶胶,在ＣＶＤＥ法沉积生成的掺锡氧化铟（ＩＴＯ）／玻璃衬底上旋转涂胶成膜。经快速热退事,用Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）测试了膜的结晶取向,用ＲＴ６６Ａ测试了膜的电学性能。结果表明,Ｓｏｌ－Ｇｅｌ 膜在ＣＶＤ法生长的ＩＴＯ衬底上能正常结晶,但结晶温度比在Ｐｔ衬底上略高,结晶取向以〈１１０〉为主取向。     

快速退火Sol—Gel PZT铁电薄膜的性能研究

报道了以乙酸铅、乙酸氧锆和钛酸正丁酯为原料，用溶胶-凝胶（Sol-Gel）法，经多次旋转涂膜，在Pt／Ti／SiO2／Si衬底上制备了PZT凝胶薄膜。用快速退火（RTA）作薄膜的热解和结晶热处理，制备了以（100）取向为主的PZT薄膜。用X射线衍射（XRD）和RT66A测试了膜的结晶取向、漏电流、电滞回线和抗疲劳性能等。结果表明，经RTA处理的溶胶凝胶法PZT膜具有良好的性能。     

化学池沉积法制备CdS多晶薄膜及其性质

采用化学池沉积（CBD）法，在3种不同衬底（玻片、ITO玻片、SnO2玻片）上沉积制备CdS多晶蒲膜，并利用扫描电镜（SEM）、透射光谱、X射线衍射（XRD）和微电流高阻计等方法对沉积膜进行了测试分析，算出了CdS多晶蒲膜的能隙宽度E0和电导激活能Ea，研究了CBD法中CdS多晶蒲膜的生长沉积机制以及不同衬底对沉积效果的影响。结果表明：不同衬底的成膜效果差异较大，其中以SnO2玻片为衬底的沉积效果最佳。     

微晶柱状CsI(Tl)闪烁薄膜的裂纹形貌研究

掺铊碘化铯（CsI（Tl））闪烁薄膜因其具有连续致密的微晶柱结构而被广泛应用。该文采用真空热蒸镀方法在单晶硅（Si）衬底和多晶铂硅（Pt/Si）衬底上制备不同厚度的CsI（Tl）薄膜,研究不同衬底上薄膜厚度增加过程中微晶柱结构中出现的裂纹形貌。不同厚度的CsI（Tl）薄膜制备工艺条件相同。通过X射线衍射图谱（XRD）和扫描电子显微照片（SEM）表征CsI（Tl）薄膜的结晶质量和微晶柱结构形貌,研究不同衬底上CsI（Tl）薄膜的微晶柱结构在生长过程中发生的变化。建立CsI（Tl）薄膜的微结构模型研究单晶薄膜中晶面间距对薄膜微晶柱结构的影响。     

一种两级微桥结构快速测温微型传感器的研制

设计了一种新型薄膜热电阻温度传感器.传感器感温结构由基片（Si）/绝缘层（SiO₂）/感温部（Pt）组成,Pt薄膜片以悬空的微桥连接方式搭接在SiO₂片上,SiO₂片也以同样的方式搭接在Si片上,以此构成两级微桥机构.较之传统温度传感器,该感温部件采用悬空布置结构可使测温过程中的热损失大为减少,并能保证温度传感器热响应的线性度和可靠性. 通过ANSYS有限元软件仿真Pt薄膜片在不同厚度SiO₂片下的温度分布情况. 当SiO₂片厚度为2μm,该传感器热响应时间常数达到最小的10ms,与SiO₂片厚度为5μm 和10μm相比其时间常数减小了50%以上. 研究结果表明:在温度测量过程中,SiO₂片厚度对感温的Pt薄膜片热损失影响很大,在设计中应尽可能减小SiO₂片厚度.     

溶胶凝胶生长(111)择优取向的MgO薄膜

用一种简单的方法制得MgO的前驱溶液并用溶胶凝胶法在Si（100）和Si（111）衬底上制备出（111）择优取向的MgO薄膜.使用X射线衍射曲线、摇摆曲线、原子力显微镜图来研究薄膜的微结构与基板取向、退火温度、薄膜厚度之间的关系.结果表明，在退火温度高于500℃时结晶，Si衬底的取向对MgO薄膜的取向没有显著影响.同时，退火温度的升高和薄膜厚度的增加都能使MgO（111）的择优取向性越来越好;Si的易氧化是导致镁醇盐经过高温分解结晶形成MgO（111）择优取向的主要原因.     

SnO2:Pt薄膜和SnO2/SnO2:Pt双层膜气敏响应的次方因子

用粉末溅射方法制备了体掺杂型SnO2Pt薄膜和表面层掺杂SnO2/SnO2Pt双层膜,测量了薄膜在不同CO体积分数下的灵敏度和电导. 研究了两种薄膜对CO响应的次方因子,测定了工作温度和薄膜厚度对次方因子的影响.实验结果表明,由室温至200 ℃,这两种薄膜对CO气体都显示了较高的灵敏度和选择性,两种薄膜电导对CO的响应服从次方定律关系,薄膜工作温度及厚度对次方因子均有影响,次方因子在0.5～0.8之间,次方因子在膜厚60～70 nm附近存在极大值.对两种薄膜测量结果的比较说明,这两种薄膜的气敏响应主要发生在薄膜表面.