高密度封装进展之一元件全部埋入基板内部的系统集成封装（下）

5 埋入元件的基板正推广到有机系统 在陶瓷系基板中埋入电子元件取得成功的基础上,人们开始在树脂系基板中埋入电子元件的研究开发,以实现三维集成化封装,近年来取得了重大进展。树脂系基板中埋入元件可以大大缩短布线距     

高密度封装进展之一元件全部埋入基板内部的系统集成封装（上）

将无源元件及IC等全部埋入基板内部的三维封装,不仅能提高电子设备的整体性能,有利于轻薄短小化,而且 由于钎焊连接部位减少,可提高可靠性并能有效降低封装的总价格。     

使用超薄型微细布线基板（MLTS）的高密度LSI封装

概述了超高密度薄型基板(MLTS)封装技术的概念、特征和工艺以及应用MLTS封装技术开发的高性能FCBGA和CSP。     

高密度电子封装的最新进展和发展趋势

电子器件封装在近三四十年内获得巨大的发展，产生了质的变化，已经变成实现电子系统性能、质量、可靠性的关键环节之一。本文简要介绍了近三四十年来电子封装形成的演变及发展趋势，同时讨论了目前产业和研究领域的最新动态和热点问题。     

封装基板及其基材的新发展（下）

二 封装基板材料的新发展 有机封装基板材料的开发,当前已成为世界工业先进国家覆铜箔板业界技术发展的十分重要的新课题。它在微电子工业领域,特别是高密度安装中,成为以BGA、CSP为典型代表的半导体新型封装器件(组件)发展的重要组成部分。并在它的技术推进中占有举足轻重的地位。 笔者在本刊2000年第五期中撰文,已经较全面地论述、介绍了日本在有机封装基板材料方面的发展现状。但此项制造技术的发展速度实在太快,在撰写了该文之后,又有一些新的封装基板的研究成果纷纷出现,并有许多新产     

元件堆叠装配（PoP）技术

随着移动消费型电子产品对于小型化，功能集成以及大存储空间的要求的进一步提升，元器件的小型化高密度封装形式也越来越多，如多模块封装（MCM），系统封装（SiP），倒装晶片等应用得越来越多。而元件堆叠装配（PoP，Packaqe on Packaqe）技术的出现更加模糊了一级封装与二级装配之间的界线，在大大提高逻辑运算功能和存储空间的同时，也为终端用户提供了自由选择器件组合的可能，生产成本也得以更有效的控制。对于3G手机PoP无疑是一个值得考虑的优选方案。勿庸置否，随着小型化高密度封装的出现，对高速与高精度装配的要求变得更加关键。相关的组装设备和工艺也更具先进性与高灵活性。元器件堆叠装配（Packaqe on Packaqe）技术必须经受这一新的挑战。     

基于挠性基板的高密度IC封装技术

挠性印制电路技术迅速发展,其应用范围迅速扩大,特别是在IC封装中的应用受到人们的广泛关注。挠性印制电路在IC封装中的应用极大地推动了电子产品小型化、轻量化以及高性能化的进程。针对具体应用对象,文章分别介绍了挠性基板CSP封装、COF封装以及挠性载体叠层封装的基本工艺、关键技术、应用现状及发展趋势,充分说明了挠性印制电路和高密度布线对高密度IC封装的适用性。基于挠性基板的IC封装技术将会保持高速的发展,特别是挠性叠层型SIP封装技术具有广阔的应用前景。     

高密度封装的发展趋势

本文描述了近年来高密度封装中出现的新技术、新结构,如载带自动键合技术(TAB)、带线四边有引线扁平封装(TQFP)和多芯片模块(MCM)结构等。论述了高密度封装的设计考虑及材料的选择。并且指出,只有低介电常数且制成薄膜的聚酰亚胺介质材料才能提高封装密度。     

第九届高密度封装与微系统集成国际会议-HDP’07

在半导体界封装测试与设计、制造又呈三业并举的喜人趋势，封装测试更是撑起中国半导体市场的半壁江山，在整个中国半导体市场发展中起到了举足轻重的作用。随着电子封装测试技术的不断进步，封装测试信息的及时、广泛、深入交流，无疑成为影响整个半导体产业发展的重要因素。     

系统级封装使用的硅基板

近年来,便携式发展和系统小型化的趋势,要求芯片上集成更多不同类型的元器件,如RF IC、各类无源元件、光机电器件、天线、连接器和传感器等.单一材料和标准工艺的SoC受到了限制,在其基础上,快速发展的系统级封装（SiP）在一个封装内不仅可以组装多个芯片,还可以将上述不同类型的器件和电路芯片叠在一起,构建成更为复杂的、完整的系统.     

2012电子封装技术与高密度封装国际会议（ICEPT-HDP2012）征稿通知

第十三届电子封装技术和高密度封装国际会议（ICEPT-HDP2012）将于2012年8月13日16日在中国桂林举行。会议由中国电子学会电子制造与封装技术分会（EMPT）主办,由桂林电子科技大学承办。     

2009电子封装技术和高密度封装国际会议（ICEPT—HDP）暨电子封装技术国际会议十届庆典

我代表中国电子学会生产技术学分会和电子封装专委会,诚挚地邀请各位封装界的朋友参加将于2009年8月10日～13日在北京举行的电子封装技术和高密度封装国际会议（ICEPT-HDP2009）,踊跃提交论文。     

2009电子封装技术和高密度封装国际会议（ICEPT—HDP）暨电子封装技术国际会议十届庆典

我代表中国电子学会生产技术学分会和电子封装专委会,诚挚地邀请各位封装界的朋友参加将于2009年8月10日～13日在北京举行的电子封装技术和高密度封装国际会议（ICEPT-HDP2009）,踊跃提交论文。     

IC封装用基板材料在日本的新发展

根据有关机构统计，当前正在高速发展的IC封装用材料世界市场在2004年达到约119．8亿美元规模，年增长率为23％。预测在2005年，IC封装用材料世界市场规模仍会有约16％的年增长率，达到约134亿美元。而Ic封装基板（IC Package Substrate，又称为IC封装载板）在整个IC封装材料市场中所占比例最高，2004年达到48％，居五类主要构成IC封装的电子材料（封装基板、引线框架、环氧模塑料、键合金丝、锡球）之首。另一方面，IC封装基板在整个IC封装制造成本中，也占有相当大的比例（在BGA中约占40—50％，在挠性基CSP中约占50-60％，     

高密度电子封装的最新进展和发展趋势

电子器件封装在近三四十年内获得了巨大的发展，产生了质的变化，已经变成实现电子系统性能、质量、可靠性的关键环节之一。本文简要介绍了近三四十年来电子封装形式的演变及发展趋势，同时讨论了目前产业和研究领域的最新动态和热点问题。     

应用Dragon-i技术的高密度四层线路CSPBGA封装基板

本文简要分析了目前市场上各种CSPBGA封装基板的状况以及市场对高端CSP的需求点。详细介绍了4层高密度金属线路层的CSPBGA封装基板的结构，制造方法和应用特点。     

无铅高密度封装焊点的HDPUG（高密度封装用户群）失效分析

本文介绍了高密度封装器件,如PBGA（塑封球栅阵列封装）和CCGA（陶瓷柱栅阵列封装）焊接在SnCuHASL（热焊接（热风整平》,ENIG（无电镀镍金（化学镀镍浸金》或NiAu和OSP（有机保焊剂）EnteekPCBs（印制电路板）上的高密度封装无铅焊点和SnPb焊点的失效分析。经过7500次热循环后,对高密度封装焊点的失效位置,失效模式和金属间化合物（IMC）重点分析,出现的结果将同热循环和有限元分析得到的结果进行比较。     

浅析新材料在高密度电子封装上的应用及发展前景

在电子产品集成化程度高且小、轻、薄的发展趋势影响下,电子封装技术日趋重要。因此,该文从高密度封装所产生的一系列问题,以及对封装材料的新要求谈起,对陶瓷材料、纳米复合材料及AlSiC金属基体复合(MMC)封装材料等封装新材料的结构性能、可靠性及封装效果等进行了讨论,并与传统封装材料进行了比较,并探讨了这些封装新材料的发展和应用前景。