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研究了光突发交换(optical burst switching,OBS)网络中的一种竞争解决策略——偏射路(?) 并且提出了有波长变换和无波长变换的单个OBS节点的突发丢失分析的近似模型和精确模型。 相似文献
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光突发交换网络(OBS)是一种IP over WDM的光交换技术,能很好地支持突发业务。OBS系统采用单向波长资源预留方式为突发数据分组预留前向数据波长通道,这样提高了传输交换效率、减少了建链时间,但同时因路由连接的非确定性而引起突发分组的易丢失性。所以QoS戍为OBS网络中的最亟需解决的问题。对OBS网络所采取的多种改善其QoS的策略进行了研究。 相似文献
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光突发交换中的JET协议 总被引:1,自引:0,他引:1
介绍了光突发交换(OBS)中JET协议的基本概念以及JET协议实现时需要考虑的因素,用排队论模型求得了JET协议下OBS网络的突发包丢失率,并分析了OXC配置时间和突发包平均长度对突发包丢失率的影响。 相似文献
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OBS网络中冲突解决方法研究 总被引:3,自引:1,他引:3
在OBS网络中,当两个或多个突发包要求在同一时刻,同一输出端口的同一波长上预留资源时.就会产生突发数据包的资源竞争。如何解决资源竞争问题是OBS技术能否最终走向实际应用的关键技术之一。文章首先介绍OBS的基本原理、网络结构、OBS网络的资源预约机制、边缘路由器的封装机制和资源调度机制,接着研究解决OBS网络中突发数据包之间争夺链路资源问题的竞争解决机制,随后详细的给出四种竞争解决方案:光缓存、波长转换、偏射路由和突发分段丢弃,并分析了它们的性能。在此基础上,文章最后提出了各种资源竞争解决方案相结合的联合解决机制的思想。 相似文献
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在光突发交换(OBS)网络中,突发竞争是影响网络性能的一个重要因素,因此如何有效地解决它,成了OBS网络非常重要的问题.在分析当前文献中的解决方案的优缺点后,提出了一种突发竞争解决方案的系统实现.该实现将光纤延迟线(FDL)时城缓存与波长转换器(TWC)波长变换、空城技术结合在一起,构造了一个基于前向转发缓存和反馈循环缓存的两级交换结构.最后从多方面对该系统实现的竞争解决有效性进行了性能分析和计算机仿真,结果表明:它在适当的业务强度(小于0.6)下,能有效改善突发丢失率和突发延迟;同时能降低系统所需的光器件数目. 相似文献
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光突发交换(OBS)网络被认为是下一代光因特网的典型代表,其中,光突发数据包在节点的竞争问题是OBS网络中需要解决的关键问题之一。该文重点研究了突发数据包之间因争夺链路资源而导致冲突的四种竞争解决方案:波长转换、光缓存、偏射路由和突发包分割,并分析了它们的优缺点。在此基础上,提出了OBS网络中冲突解决方法的发展趋势——... 相似文献
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光突发交换(OBS)技术由于结合了电的灵活处理和光的高速传输,成为构建下一代全光互联干线网最具前景的交换方式,其单向资源预留方式导致的突发包冲突是限制OBS走向实用的关键。基于突发包分段的光缓存冲突解决方法和基于突发包分段的波长转换冲突解决方法,首先通过对低优先级突发包进行分段解决冲突,然后对分段后冲突部分突发包进行光缓存或波长转换降低丢包率。对基于突发包分段的光缓存和基于突发包分段的波长转换两种冲突解决机制的性能进行了比较研究,仿真结果显示:两种机制都能够有效地降低整个网络的丢包率。当网络负荷较高时,采用基于突发包分段的光缓存方法对降低突发包的丢失率效果比较明显;当网络负荷较低时,采用基于突发包分段的波长转换方法能够更加有效地降低突发包的丢失率。 相似文献
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建立了包含电热耦合相互作用的大信号非线性射频LDMOSFET解析模型—Agereelectro-thermal transistor(AET)模型,包括:模型的拓扑图、等热和脉冲器件测试表征系统、模型参数的提取过程。在Agilent的电子设计工具软件ADS中植入和实现了该模型,并将其应用于实际射频功率放大器的设计,通过测量验证了该模型的正确。 相似文献
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光因特网是能提供高带宽的下一代因特网,对其互联模型的研究是目前光因特网研究中的一个热点.文章分析了互联模型由重叠模型向对等模型演进的基本趋势,并在对比固有的3种互联模型--对等模型、重叠模型及增强模型的基础上,提出了一种新的演化模型--混合模型,这种模型能够支持对等模型与重叠模型的共存,文章对其实现的原理与机制进行了论述. 相似文献
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金属色散模型对数值模拟金属光学特性起至关重 要的作用。本文简单分析常见色散模 型与复杂色散 模型之间的关系,并利用MATLAB非线性拟合方法对Au、Ag常见的色散模型进行了分析,给出 在 180~2000nm波段内拟合结果。结果表明,Deb ye模型不适用于金属材料,Lorentz模型适合描述长波段金 属介电特性,Drude模型在600~2000nm可以描 述金属介电特性,而简单明确的Drude-Lor entz模型在180~2000nm波段能很好的拟合金 属介电特性。所得结果利用Mie散射理论得到验证。 相似文献
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高速电路设计与库模型应用的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
通过对TSMC 0.18μm CMOS工艺库模型的分析,电路仿真结果比较以及实际限幅放大器电路流片测试结果的验证比较,提出在深亚微米工艺中,大信号高速电路的设计适宜选用混合信号管进行。 相似文献
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一种提取 Statz MESFET 非线性电容模型参数的方法 总被引:2,自引:1,他引:1
文章提出一种Statz GaAs MESFET非线性电容模型参数的简单方法。它基于逐点拟合和综合拟合法,并以小信号模型数据分布在电容电压特性曲线的三个区为判据,判定提取的电容模型参数的正确性。计算表明,对偏置的电容Cgx和Cgd数据情况,提取Statz非线性电容模型参数较适用。 相似文献