L波段低噪声放大器的分析与设计

利用Advanced Design System（ADS）完成了L波段低噪声放大器（LNA）的设计。分析了实际电路可能产生的非连续性、寄生参数效应等因素对电路各个性能指标的影响,并针对这些因素利用ADS进行了电磁仿真计算,最后给出了放大器的仿真结果和最终电路及测试结果。采用ATF-35143器件设计,达到了预定的技术指标,工作频率1.21GHz,增益G大于14dB,噪声系数NF小于0.5 dB,输入1dB压缩点大于5dbm。     

限幅低噪声放大器的设计

限幅低噪声放大器是雷达接收机非常重要的一部分,它决定接收机灵敏度和动态.阐述了放大器几个重要指标,FET管在低频段存在潜在不稳定性以及消除不稳定的方法和措施.最后以某型号产品限幅低噪声放大器为例,简要介绍了利用AHSOFT公司微波电路设计软件设计放大器设计方法.     

运用串联反馈技术设计S波段低噪声放大器

介绍了S波段低噪声放大器(LNA)的设计原理，阐述了利用电感串联反馈技术来实现放大器的噪声系数和输入匹配相互矛盾的两方面达到较好的折中，使得电路的结果达到最优。电路在Agilent公司的射频设计软件ADS2003进行仿真和优化，仿真结果是低噪声放大器在2．44GHz的工作频率下，增益G＞11dB，噪声系数NF＜1．3．     

应用于802.11a的5.8 GHz CMOS LNA设计

采用0.18μmCMOS工艺设计应用于802.11aWLAN的5.8GHzLNA.,给出了采用ADS的模拟结果:在中心频率5.8 G Hz处,LNA功率增益为16.97dB,阻抗匹配系数S11小于-18dB,噪声系数(NF)为2.3dBm,输入1dB压缩点为-23.33dBm.输出1dB压缩点为-7.361dBm,功耗小于15mW.     

运用串联反馈技术设计S波段低噪声放大器

介绍了S波段低噪声放大器(LNA)的设计原理,阐述了利用电感串联反馈技术来实现放大器的噪声系数和输入匹配相互矛盾的两方面达到较好的折中,使得电路的结果达到最优。电路在Agilent公司的射频设计软件ADS2003进行仿真和优化,仿真结果是低噪声放大器在2.44GHz的工作频率下,增益G>11dB,噪声系数NF<1.3.     

2.4GHz低噪声放大器的研究

低噪声放大器是对来自天线的微伏级信号进行放大的射频接收端的放大模块。该低噪声放大器主要由输入匹配网络、微波晶体管放大器和输出匹配网络组成。匹配网络采用微带线形式建立，微波晶体管采用NPN硅晶体管BFP420。利用Microwave Office进行电路仿真和优化。该放大器满足小信号放大器的指标要求，可以用于射频接入电路的前端。     

0.18μm CMOS 5.1GHz低噪声放大器的设计

一种基于TSMC 0.18μm CMOS工艺的5.1GHz频率下的CMOS低噪声放大器。采用源极电感负反馈共源共栅电路结构,使放大器具有较高的增益和反相隔离度,保证较高的品质因数和信噪比。利用ADS对电路进行调试和优化,设计出低功耗、低噪声、高增益、高稳定性的低噪声放大器。通过ADS软件仿真得到较好的结果:在1.8V电压下,输入输出匹配良好,电路增益为16.12dB,噪声系数为1.87 dB,直流功耗为9.84mA*1.8V。     

400MHz～2.4GHz宽带低噪声放大器设计

采用0.15μm砷化镓赝配高电子迁移率晶体管工艺,设计一款频率400 MHz~2.4GHz宽带低噪声放大器。采用两级级联结构,将前级放大器的输入阻抗匹配到最佳噪声阻抗得到最小噪声;后级放大器采用负反馈结构得到较宽的工作频带;级间引入失配补偿方法,即在晶体管增益滚降处引入高频增益,使得放大器工作频带拓宽,提高带内平坦度。仿真结果表明,该低噪声放大器工作频率为400 MHz~2.4GHz,频带内噪声系数为1dB,增益为34dB,增益平坦度为3.1dB,回波损耗优于-10dB,满足了低噪声、超宽带和高平坦度的要求。     

基于SiGe BiCMOS工艺的5GHz低噪声放大器的设计

基于0.18μm SiGe BiCMOS工艺,设计了一款应用于WLAN 802.11频段的低噪声放大器(LNA).采用了共射级的两级级联结构,发射极运用电感负反馈,有效地提高了增益和线性度.仿真结果表明,在5~6GHz工作频段内,小信号增益S₂₁达20.5 dB,噪声系数NF低于2 dB,正向传输系数S₁₁小于-19 dB和反向传输系数S₂₂小于-18 dB,实现了较好的输入输出匹配.     

GPS的低噪声放大器的设计

论述应用于GPS的低噪声放大器的设计原理,并通过ADS仿真软件,设计出低噪声放大器。给出噪声系数、增益和输入端匹配的仿真结果。通过优化,可以使得噪声系数达到1.2以下、增益值达到30dB以上的指标。     

利用Volterra级数的低噪声放大器线性增强设计

针对单级宽带低噪声放大器（LNA）非线性难以定量分析以及难以将电路设计与线性指标联合设计的问题,提出利用Volterra级数和双极非线性模型相结合的方法优化电路线性度。该方法从SiGe双极管非线性模型出发,提取影响线性度的模型参数,并利用维塔里级数和双极管非线性模型导出器件非线性传输函数,推演出其与IIP3的相互关系,量化各个参数的非线性比重,提出优化线性度的电路设计方法。研究结果表明,在1.5-20GHz的宽频工作频带下,单级低噪声放大器的输入和输出均可实现良好的匹配（<-10dB）,达到16dB的增益,噪声系数在整个频带下小于3.6dB,IIP3可达-7.73dBm。     

5．8GHz／0．18μm低噪声放大器噪声分析

为了优化设计的5．8 GHz低噪声放大器(LNA)后仿真的各项性能指标,分析了LNA各部分寄生效应对整个电路噪声系数和增益的影响,提出了电路设计和版图设计中应采取的各种措施,使优化后的后仿真结果与前仿真结果基本一致．在考虑MOS管栅电阻和栅感应噪声电流的情况下,后仿真噪声系数为1．6 dB,前向增益为13．7 dB,功耗为8．3 mW,达到了802．11a系统集成的要求．最后给出了LNA版图和后仿真结果．     

2.4GHz线性功率放大器的分析与设计

该文介绍了基于SMIC 0.18μm CMOS工艺工作于2.4GHz功率放大器的设计方法,并给出了仿真结果.电路采用两级放大的结构,驱动级采用自偏置Cascode结构,为了保证驱动级有足够的线性度,偏置电压采用了自适应结构,使偏置电压随着输入功率的不同而变化,保证了放大器的线性度并提高了功率附加效率,功率级采用共源结构...     

CMOS低噪声放大器电路结构分析与设计

介绍了CMOS低噪声放大器的几种结构,研究了该放大器的噪声性能和相关制约因素,分析了电感反馈共源共栅结构,并在此基础上,讨论了在低功耗技术中采用的电流偏置复用结构,最后展望了CMOS低噪声放大器的发展趋势.     

X波段低噪声放大器的仿真与设计

仿真设计了一款 X 波段低噪声放大器（ LNA ）,选用 NEC 公司的高电子迁移率晶体管NE3210S01,直流偏置电路采用双电源供电,采用低阻抗特性的扇形微带短截线代替旁路电容和3λ／4高阻抗线阻止射频信号对直流的影响,用源极负反馈的方法增加稳定性,并采用微带线耦合的方式达到隔直流的效果,借助 ADS软件进行设计、仿真和优化。仿真结果显示,放大器在9．5 GHz 10．5 GHz频率范围内增益为（24．2±0．5） dB,噪声系数小于0．8 dB,输入、输出驻波比均小于1．5,结果显示该款低噪声放大器适用于雷达系统。     

基于噪声抵消的有源匹配SiGe HBT低噪声放大器设计

基于Jazz0.35μmSiGe工艺,设计了一种满足2G、3G和WIMAX标准的有源匹配SiGe HBT低噪声放大器.利用共基极晶体管输入阻抗小和共集电极晶体管输出阻抗较小的特点,通过选取晶体管的结构和偏置电流,实现了输入、输出有源阻抗匹配.由于未采用占芯片面积大的电感,减少了芯片面积,芯片面积(含焊盘)仅为0.33mm×0.31 mm;由于共基极晶体管的噪声系数比共射极晶体管的噪声系数高,采用噪声抵消结构减少了其引入噪声.低噪声放大器在(0.6~3)GHz工作频带内,增益为17.8~19.2dB,增益平坦度为±0.7dB;有源输入、输出匹配良好;在整个频段内,无条件稳定.     

一款用于超宽带接收系统的3 GHz-5 GHz低噪声放大器

设计了一种基于共源结构的两级级联超宽带低噪声放大器.该低噪声放大器采用了源端电感和四分之一阻抗变换器,在不恶化电路噪声系数的情况下具有较好的输入匹配.通过使用GaAs赝调制掺杂异质结场效应晶体管( pHEMT)器件,在PCB板上实现了低噪声放大器的加工,加工测试结果与原理图仿真结果基本符合.测试结果表明,该低噪声放大器的增益达到12±1.5 dB,最小噪声系数为1.8 dB,输入输出匹配结果良好.     

基于ADS的2GHz低噪声放大器设计

该文根据对晶体管结构和低噪声放大器原理的分析,利用ADS软件设计了一个低噪声放大器。通过采用HBT晶体管,设计偏置电路、负反馈电路和输入输出匹配电路,实现在2GHz频率下,低噪声放大器绝对稳定,增益大于13dB,噪声系数低于1．0dB,输出驻波比小于1．3,输入驻波比小于2．5。