EPS电感式转矩传感器正弦波振荡器的研究

为了满足电动助力转向电感式转矩传感器的需要，设计了一种简单、实用的正弦振荡器。该振荡器采用结型场效应管的压控电阻特性设计自动增益控制电路，通过合理选择元器件的参数抑制了信号幅度的温漂。实验表明，振荡器的输出信号幅度稳定、失真小，满足传感器振荡器的性能要求。     

一种改进的CMOS差分LC压控振荡器

介绍了一种改进的LC振荡器设计方法.谐振回路采用非对称电容结构,与常见的振荡器结构相比,经改进后的电路结构可以获得更好的相位噪声.基于0.35μm CMOS工艺,设计了一种采用补偿Colpitts振荡器电路结构实现的差分LC压控振荡器,工作电压为2.5V.经仿真证明,在设计中通过调整非对称电容谐振回路中的电容值,可以获得最优的相位噪声.     

一种改进的CMOS差分LC压控振荡器

介绍了一种改进的LC振荡器设计方法.谐振回路采用非对称电容结构,与常见的振荡器结构相比,经改进后的电路结构可以获得更好的相位噪声.基于0.35μm CMOS工艺,设计了一种采用补偿Colpitts振荡器电路结构实现的差分LC压控振荡器,工作电压为2.5V.经仿真证明,在设计中通过调整非对称电容谐振回路中的电容值,可以获得最优的相位噪声.     

低相位噪声CMOS环形压控振荡器的研究与设计

针对个人电脑和通讯系统对频率合成器中振荡器的低相位噪声的要求,对基本的环形振荡器结构进行改进,设计了两种宽带低相位噪声CMOS环形压控振荡器(VCO),在800 MHz振荡频率、1 MHz频偏下,测试的相位噪声分别为-123 dBc/Hz和-110 dBc/Hz.两个VCO的调谐范围分别为450～1 017 MHz和559～935 MHz.     

低噪声微波压控振荡器

利用振荡器的相位噪声模型,详细论述了低噪声微波压控振荡器的设计方法,并给出了实验结果。该振荡器具有嗓声低、频率稳定度高、电调线性好等特点。     

两种高频CMOS压控振荡器的设计与研究

设计了两种压控振荡器,一种为反相器环形振荡器,另一种为差分环形振荡器。采用0.18μm标准CMOS工艺进行模拟,后仿真的结果显示压控环形结构的最高频率达到3.3GHz,在1.8V电源下的功耗为2.34mW。对压控振荡器的最大工作频率、功耗、压频传输特性等进行了分析比较,总结了高性能压控振荡器应具备的条件。     

浅谈锁相环电路中压控振荡器的分析与设计

本文先是进行了锁相环电路中LC压控振荡器的分析,然后进行了锁相环电路中压控振荡器的电路设计、相位噪声分析以及二次谐波滤波技术的应用,最后实际应用了设计的电路,并对应用的结果进行了分析.目的是为设计出性能更加优良的压控振荡器.     

一种基于多协议电流复用双频段压控振荡器的设计

.本文设计了一种基于IEEE 802.11 a/b/g和蓝牙多协议零中频收发机中双频段压控振荡器.该振荡器使用电流复用的方法,即将两个工作在不同频段的压控振荡器串联堆叠,达到了降低功耗的目的.通过Aglient ADS仿真,结果表明本文所设计的双频段压控振荡器功耗为12.22 mW,2.44和5.23 GHz载频处的相位噪声分别为-126.2和-120.1dBc/Hz@1 MHz,其性能完全符合IEEE 802.11a/b/g和蓝牙协议的要求.该振荡器将采用0.18 μm CMOS工艺实现,芯片面积为1.18 mm×0.67 mm.     

MAX2310中频压控振荡器槽路设计

该文简单介绍了压控振荡器(VCO)的槽路设计方法,并给出了常用的85MHz、190MHz、210MHz压控振荡器的设计实例。     

集成宽带压控振荡器的设计

介绍了S波段、C波段集成宽带压控振荡器的设计方法和设计思路,进行了理论分析和数学模拟。通过利用Ansoft公司的Serenade8.5软件进行仿真、优化设计,获得了较好性能的宽带振荡器。给出了2-4GHz、4-8GHz宽带VCO最终达到的技术指标。     

一种低功耗宽频率调谐范围的伪差分环形VCO

设计了一种低功耗、宽频率调谐范围的伪差分环形压控振荡器(VCO).电路设计分为振荡环路设计和电流源设计两部分.在振荡器的振荡环路部分,提出了一种新颖的降低功耗的方法,即通过动态地调节接入振荡环路的锁存器,减小驱动电流,降低功耗;在振荡器的控制电源部分,采用gain-boost结构,设计了一款理想的可控双电流源,实现了振荡器的宽频率调谐范围.基于SMIC 65 nm工艺,在1.8V工作电压下,对振荡器进行了后仿验证.结果表明,在频率为900 MHz时,振荡器的功耗仅为3.564 mW;当控制电压在0.6～1.8 V变化时,振荡器的频率调谐范围可宽达0.495 ～1.499 GHz.     

S波段低相噪同轴介质压控振荡器设计

运用串联反馈振荡器理论设计了一个工作于S波段的低相噪同轴介质压控振荡器。首先分析了同轴介质谐振器的理论以及串联反馈振荡器的工作原理,然后在高频电磁仿真软件HFSS和ADS中进行仿真和设计。为了实现电调谐,将变容管合理地加入振荡器,最终设计完成了一个S波段的低相噪同轴介质压控振荡器。通过对实物成品的测量和调试表明,此压控振荡器达到了预定的技术指标,各项性能良好。测试结果:工作频率为2.075~2.250 GHz,调谐范围为1.75 GHz,输出功率≥11 dBm,谐波抑制度≥23 dBc,相位噪声优于-133 dBc/Hz@100kHz。     

压控振荡器组件的改进设计

介绍了某导航设备频率合成器的原理。针对导航设备压控振荡器组件故障率高的缺点,对其进行了改进设计。设计中压控振荡器组件采用改进型电容三点式振荡电路,并对组件的实现方法进行了阐述。经过生产验证,新压控振荡器组件生产性好、调试量小、输出频率稳定、抗震性好、工作可靠、满足整机性能指标,完全可以替代原压控振荡器组件。     

电子战系统的压控振荡器技术

技术和设计的改进产生了压控振荡器和本机振荡器这两种器件,减小了体积。降低了功耗,并改进了整机电性能。由于不断变化的威胁环境,下一代电子战系统复杂性不断地增加,给压控振荡器和本机振荡的设计人员增加了提供更复杂的分系统的重担。增宽频率覆盖范围,加快调谐响应,提高温度和频率稳定性,减小体积和输入功率是必要的。将来的趋势包括:预测干扰技术、实时调节的“灵活”控制电路,战埸电子对抗系统与其它电子战和指挥     

一种钽酸锂压控振荡器的设计与实现

该文使用具有低电容比、宽调谐范围的钽酸锂晶体设计了一巴特勒共基低相位噪声压控振荡器,此设计在寻求高有载品质因数QL的同时保持了振荡器的输出功率。使用的钽酸锂晶体的无载品质因数Q0约为1.24×103,其频率为10.727MHz。设计出的巴特勒振荡器QL≈33%Q0,输出功率约为11dBm。不加压控的情况下,实际测得该振荡器的相位噪声结果为-85dBc/Hz@10 Hz和-145dBc/Hz@1kHz。在此基础上,增加一变容二极管作为压控元件设计了钽酸锂压控振荡器,在2~10 V范围内,测得控制电压压控斜率约为86.6×10-6/V,相位噪声测试结果优于-82dBc/Hz@10Hz和-142dBc/Hz@1kHz,实现了具有宽调谐范围的低相位噪声钽酸锂振荡器的设计。     

622.08MHz低噪声压控晶振的研制

引言如今,超高频振荡器在通信中获得了广泛的应用,如通信中继线路、电视、通信导航以及通信遥控系统等。超高频振荡器不仅被应用在各种通信系统的发送设备中,还作为接受设备的本机振荡器并用于各种测量设备中(标准信号发生器、频谱分析仪等)。因此,对封装小、频率高、相噪好、压控宽、稳定性高的高频晶振设计现在提出了更高的要求,本文给出了设计的讨论意见。     

一种新型的四阶低抖动带双控制环路CMOS锁相环

设计了一种四阶低抖动带双控制环路压控振荡器的锁相环（PLL）。该锁相环在恒定的反馈参数下,压控振荡器压频增益几近恒定。锁相环的所有部件都设计在同一芯片上,电路设计基于0．35μmCMOS工艺。HSPICE仿真结果显示,所设计的锁相环路具有很好的抗噪声性能,工作在800MHz频率范围内,整个相位抖动小于4ps rms。     

一种基于开关电容调谐的宽带压控振荡器设计

设计了一种频率可调范围约600 MHz的全集成CMOS LC宽带压控振荡器.该压控振荡器工作电压为3.3 V,基于Chartered 0.25 μm 标准CMOS工艺设计,利用开关电容调谐的方法扩大其调谐范围.测试结果表明:该压控振荡器工作在中心频率为1.9 GHz时,单边带相位噪声为-85 dBc/10 kHz,调谐范围达到32%.     

一种S频段微带压控振荡器的设计与实现

在对压控振荡器设计原理进行了分析的基础上,介绍了压控振荡器的设计所遵循的一般原则,详细阐述了一种基于ADS软件的S频段微带压控振荡器的设计和实现过程。经过调试验证,实验结果与用ADS软件仿真的结果一致,这种方法对从事频率源研制具有一定的理论指导意义和实际应用价值。     

基于基片集成波导谐振器的压控振荡器设计

设计了一种基于基片集成波导谐振器的X波段压控振荡器。首先分析了串联反馈式振荡器以及基片集成波导谐振器的理论,然后在高频电磁仿真软件ADS中进行仿真和设计,并通过将变容管合理地引入谐振器,实现了电调谐的目的。最终设计完成了一个工作于X波段的基片集成波导压控振荡器。此压控振荡器与传统的介质压控振荡器(DRO)相比,具有稳定性高、平面化以及成本低的优点。由于采用了ADS中的联合仿真功能进行振荡器的设计,仿真结果的准确性得到了提高,减小了实物的调试工作量。测试结果为:工作频率为7 GHz,调谐范围为30 MHz,输出功率≥7 dBm,谐波抑制度≥22 dBc,相位噪声优于-106 dBc/Hz@100 kHz。