BaTiO3铁电薄膜的研究进展

本文综述了近年来BaTiO3铁电薄膜的研究进展,就BaTiO3薄膜的制备方法、性能及其影响因素,深入分析了BaTiO3薄膜制备技术的优、缺点,展望了其应用前景.     

溅射技术在SiC薄膜沉积中的应用和工艺研究进展

近年来,国内外SiC薄膜材料制备工艺研究迅速发展,由此带来SiC薄膜性能方面的研究也获得长足的进步,新技术、新工艺、新性能不断涌现.溅射SiC技术相对于其它沉积技术(CVD、PIP等)有许多独特的优点:沉积温度低、结合性和致密性好、表面平整、硬度高、光电性能优异以及工艺安全环保等,因此越来越受到重视,且已经成为沉积高性能SiC薄膜的重要技术方法.主要论述了几种不同溅射技术,着重介绍了溅射技术在SiC薄膜制备中的研究进展及SiC薄膜性能方面的研究进展和应用,并且展望了溅射技术制备SiC薄膜的发展前景和当前热点研究领域.     

柔性铜-银复合薄膜的激光直写制备及其导热特性

随着柔性电子产品对高效热管理的需求不断增长,近年来制备高导电性柔性薄膜越来越受到人们的广泛关注.以聚酰亚胺(PI)为基底,采用激光直写技术制备铜(Cu)和铜-银(Cu-Ag)薄膜,并对制备的Cu-Ag薄膜进行了物相分析和结构表征.结果表明,铜纳米颗粒和银纳米线在激光辐照的作用下表面局部熔化,进而烧结;通过比较直写制备的铜薄膜和Cu-Ag薄膜在不同温度下7天内电阻的变化,得出银的引入提高了复合材料整体的抗氧化性;对Cu/PI和Cu-Ag/PI两种复合材料的热扩散系数和热导率进行测试,得出银的引入提高了复合薄膜的热导率,Cu-Ag/PI薄膜表现出比Cu/PI薄膜更好的热性能.为制备具有良好热稳定性的Cu/PI和Cu-Ag/PI复合材料提供了一种快速简便、经济节约的方法.     

AlOOH纳米胶体制备及其在有机-无机纳米复合薄膜中的应用

采用胶体化学方法制备了不同形貌的纳米AlOOH胶体,并将其作为功能组分用于制备有机-无机纳米复合薄膜.采用的有机体系为有机硅烷单体,基底材料为有机玻璃(PMMA).研究发现纳米AlOOH粒子在薄膜体系中分散均匀,使薄膜具有透明、硬质等特点,赋予了PMMA表面优良的耐擦伤和耐磨损性能,而且可以利用纳米粒子形貌特征调控薄膜的性能.     

电化学法制备BaMoO4和SrMoO4薄膜的生长特性比较研究(Ⅰ):共性分析

采用恒电流电化学技术直接在金属钼片上制备了具有白钨矿结构的钼酸盐（BaMoO4、SrMoO4）薄膜,对制备时间分别为10s直到50min的BaMoO4薄膜和制备时间分别为1min直到100min的SrMoO4薄膜的生长情况进行了SEM测试,并对相应结果进行了对比分析。研究表明：用电化学法制备BaMoO4和SrMoO4晶态薄膜,其生长特性既具有共性,也具有鲜明的个性。其共性特征是：1）成膜机制相同;2）薄膜生长初期就有比较完整的晶核生成;3）晶核和晶粒优先选择在金属基体缺陷（折叠、划痕、缺陷、凹凸不平等）处堆砌和生长;4）基体上晶粒的数量随着制备时间的增加而增加,晶粒的尺寸也随着时间的延长而长大,晶粒逐渐从稀疏分布到布满整个基体;5）在具有白钨矿结构的钼酸盐晶态薄膜的生长过程中,晶体的{111}面总是显露的。其鲜明的个性特征将在另文中讨论。该研究结果对功能晶态薄膜的生长（特别是利用电化学技术制备功能晶态薄膜的生长）和了解及预测自钨矿结构的晶态薄膜的生长习性,均具有重要意义。     

电化学法制备BaMoO_4和SrMoO_4薄膜的生长特性比较研究(I):共性分析

采用恒电流电化学技术直接在金属钼片上制备了具有白钨矿结构的钼酸盐(BaMoO4、SrMoO4)薄膜,对制备时间分别为10s直到50min的BaMoO4薄膜和制备时间分别为1min直到100min的SrMoO4薄膜的生长情况进行了SEM测试,并对相应结果进行了对比分析。研究表明:用电化学法制备BaMoO4和SrMoO4晶态薄膜,其生长特性既具有共性,也具有鲜明的个性。其共性特征是:1)成膜机制相同;2)薄膜生长初期就有比较完整的晶核生成;3)晶核和晶粒优先选择在金属基体缺陷(折叠、划痕、缺陷、凹凸不平等)处堆砌和生长;4)基体上晶粒的数量随着制备时间的增加而增加,晶粒的尺寸也随着时间的延长而长大,晶粒逐渐从稀疏分布到布满整个基体;5)在具有白钨矿结构的钼酸盐晶态薄膜的生长过程中,晶体的{111}面总是显露的。其鲜明的个性特征将在另文中讨论。该研究结果对功能晶态薄膜的生长(特别是利用电化学技术制备功能晶态薄膜的生长)和了解及预测白钨矿结构的晶态薄膜的生长习性,均具有重要意义。     

倾斜沉积制备雕塑薄膜的研究进展

倾斜沉积是一种新型的薄膜沉积技术.通过制备过程中基片的旋转和倾斜,可以制备出斜柱状、之字形、螺旋状、S形以及C形等各种形状的雕塑薄膜.雕塑薄膜可以实现许多传统薄膜无法实现的光学性质,为光学薄膜的设计与制备开辟了新的途径.本文综述了雕塑薄膜的制备方法,分析了雕塑薄膜的结构特征及影响因素,并阐述了其在光学领域的广泛应用前景.     

纳米超薄膜传感器研究进展

就纳米超薄膜制备方法的进展进行了详细的介绍,并对超薄膜在传感器方面的应用,包括化学传感器、生物传感器、磁性传感器以及光学传感器进行了探讨.     

磁控溅射制备纳米Ni-Ti薄膜工艺研究

为了得到高质量的纳米薄膜,对直流磁控溅射法制备Ni-Ti薄膜工艺进行了研究.采用单晶硅和玻璃两种基体材料,并在不同的基体温度、晶化温度、溅射功率等条件下制备薄膜.之后对薄膜进行了XRD,SEM分析.分析结果表明:薄膜成分、厚度、表面形貌、致密度与溅射功率、基体温度、晶化温度、基体材料密切相关.并根据实验结果给出优化的纳米Ni-Ti薄膜制备工艺.     

SiC膜对ZGO膜耐腐蚀性能的研究

利用中频磁控溅射方法,采用氧化锌镓ZGO（97.5%ZnO＋2.5%Ga2O3）陶瓷靶材和SiC陶瓷靶材,制备了ZGO和SiC/ZGO复合薄膜.考察了制备SiC膜时的沉积时间、氩气压强、基底温度对其耐腐蚀保护性能的影响,同时考察了SiC薄膜对ZGO薄膜功能特性的影响.试验结果表明,提高溅射气体的压力可以增强SiC膜对ZGO薄膜的耐腐蚀保护作用,提高基底温度对提高SiC/ZGO的耐腐蚀性能的效果显著,SiC薄膜的存在对ZGO的红外反射性能有增强作用.基底温度260℃,沉积SiC膜160 s能对ZGO膜起到防腐保护作用.