基于1ED020I12-FA的开关磁阻电动机驱动电路

电动汽车用开关磁阻电动机的功率变换器使用了不对称的半桥结构,采用Intineon的无磁芯变压器隔离的驱动芯片1ED020I12-FA设计了开关磁阻电动机的驱动电路.详细介绍了1ED020I12-FA的基本结构和工作原理,论述了IGBT驱动电路的设计.实验表明,该IGBT驱动电路输出稳定,能很好地开通和关断IGBT,具有良好的可靠性和稳定性.     

基于M57962L的IGBT驱动电路系统的研究与设计

<正>选用三菱公司生产的集成驱动芯片M57962L,设计了IGBT驱动电路系统。包括M57962供电电源电路、故障保护电路、隔离电路和吸收电路。通过计算选择了各种电路参数并进行了优化。通过试验测试了驱动输出波形以及负载波形,试验证明,驱动电路系统设计合理、工作可靠,特别是输入信号为高频信号时,系统工作稳定且具有很强的抗干扰性。     

大电流高频IGBT用M57962L驱动能力解决方案

介绍M57962L对IGBT开关器件的驱动与保护原理,并为SKM600GB126D1200V/600A型号的IGBT设计了专用驱动保护电路。针对异步电动机用逆变器进行了试验测试,重点分析并解决了M57962L在大电流高频IGBT驱动应用中遇到的问题。     

开关磁阻电机功率变换器驱动系统设计运用

设计了一种针对开关磁阻电机不对称半桥功率变换器,基于M57962L IGBT驱动模块的IGBT驱动系统,该驱动系统采用高频开关电源供电。详细论述了该IGBT驱动保护电路和驱动用开关电源的设计思路和过程。在实际运用中表明该系统有很好的可靠性和稳定性。     

10kVA逆变器的保护电路设计

讲述了10kVA逆变器的保护方案,提出了分立的驱动电源欠压保护、直流母线过流保护和逆变器输出过流过压的软保护三种新型的保护方案,并介绍了M57962L驱动芯片的驱动保护。     

基于无磁心变压器的IGBT／MOSFET驱动器2ED020112-F的应用

无磁心变压器技术目前已成功应用在驱动器2ED020I12-F中,2ED020I12-F在驱动大功率IGBT或MOSFET方面体现了较强的优越性.     

士兰微电子推出600V／30A 3相全桥驱动智能功率模块SD30M60AC

士兰微电子在智能功率模块（IPM）领域不断推出新品,近期又发布了高度集成、高可靠性的3相无刷直流电机驱动电路SD30M60AC。模块内置了6个低损耗的IGBT芯片和6个快恢复二极管芯片以及3个高速半桥高压栅极驱动电路。     

大电流高频IGBT用M57962L驱动能力解决方案研究

本文介绍了M57962L对IGBT开关器件的驱动与保护原理,并为SKM600GB126D1200V/600A型号的IGBT设计了专用驱动保护电路。针对异步电机用逆变器进行了实验测试,重点分析并解决了M57962L在大电流高频IGBT驱动应用中遇到的问题。     

交流逆变器中IGBT的驱动与保护

系统介绍逆变器中IGBT的驱动与保护技术,给出了IGBT对驱动电路的要求,介绍了三菱公司的IGBT驱动电路M57962L以及IGBT的过压、过流、过热保护等措施.这些措施实用性强,保护效果好.     

交流逆变器中IGBT的驱动与保护

系统地介绍了逆变器中IGBT的驱动与保护技术,给出了IGBT对驱动电路的要求,介绍了三菱公司的IGBT驱动电路M57962L以及IGBT的过压、过流、过热保护等措施。这些措施实用性强,保护效果好。     

大功率SiC MOSFET驱动电路设计

在实际工程应用的基础上,针对50k W/1MHz的高频感应加热大功率SiC MOSFET电路要求及SiC MOSFET开关特性进行开发研究。通过对SiC MOSFET的开通过程特性进行详细研究,得出使其可靠、安全驱动的要求,在现有已经成熟应用的Si MOSFET驱动电路基础上对其进行改进,研究适合工作在兆赫范围内的SiC MOSFET驱动电路。并采用双脉冲实验验证所设计驱动电路的基本特性及确定最佳门极电阻参数。     

混合集成IGBT驱动器的实验与分析

QP12W05S-37(A)是一种自带隔离电源的混合集成型IGBT驱动器,作为隔离放大器,可应用于任何需要栅极放大驱动的场合.通过光耦为功率开关器件提供必要的初/次级之间电气隔离.并且采用检测IGBT的集电极欠饱和压降的方法来实现过流及短路保护功能.文中主要分析IGBT的驱动和保护问题,详细介绍混合集成IGBT驱动器Q...     

IGBT驱动器在斩波串调系统中的应用研究

研究了以智能门极驱动模块IGD515E为核心的IGBT驱动电路在斩波式内反馈串级调速系统中的典型应用方法,可为该驱动电路的参数设计提供参考,此外给出了较为充分的试验波形予以证明该驱动电路工作稳定,具有优良的驱动和保护性能.     

基于IGBT串联运行的动态均压研究

绝缘栅双极晶体管IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)串联运行易于实现IGBT的扩容,但同时也带来了不均压的问题。设计了以L,R为感性负载的实验电路,采用仿真软件PSpiee仿真分析出IGBT串联运行时动态不均压原因是吸收电路参数不一致、门极驱动信号延时不同、门极驱动电路参数不一致引起的。并提出了IGBT串联运行动态均压措施(选同型号IGBT、吸收电路参数与结构一致、门极驱动信号同步、门极电路参数一致)。     

高频高压变极性矩形波发生电路设计

高频高压电路在科学仪器中应用广泛。利用MOS管、半桥驱动芯片LM27222、栅极驱动变压器等器件,设计了变极性矩形波发生电路。基本原理是使用高频低压逆变器,经变压器隔离驱动高压逆变器,来实现直流高压的高速开关。驱动电路具有低内阻,工作速度快,抗干扰能力强的优点。电路只需一路控制信号,矩形波频率和幅值均可调,最高工作频率可达2 MHz,幅值取决于所加直流电压。介绍了电路设计过程,给出了实验结果。实验证明电路运行稳定,具有实用价值。     

利用附加电感实现高频功率MOSFET谐振栅极驱动

通过在功率MOSFET栅极驱动回路增加附加电感,利用栅极电容与附加电感的能量交换实现谐振栅极驱动,从而降低驱动功率损耗.保证该电路可以在高频情况下正常运行.实验验证了该方法的正确性与实用性.     

一种线性大功率LED驱动电路设计

可靠而稳定的驱动电路是LED照明的关键.运用LED线性驱动芯片NUD4001设计了LED线性驱动电路.驱动3个2W的LED发光,驱动电流达600 mA.分析了电路的工作原理,并重点提出了包括LED驱动部分和PWM调光部分的详细设计方案.并对电路进行了相关参数的测试.结果表明,该驱动电路具有PWM线性度良好,性能稳定,纹波电流小,体积紧凑等优点.适用于各种LED照明场合.     

MOSFET谐振门极驱动电路研究综述

谐振门极驱动电路能够减小高频下MOSFET的驱动损耗。首先介绍了传统电压源驱动及其存在的诸多问题,引出谐振驱动技术。综述了目前现有的谐振门极驱动电路的拓扑结构,并分为电流源型、谐振型和耦合电感型三大类。对于电流源型和谐振型,分别介绍较早提出的拓扑结构及其优缺点,并与后期发展的各种拓扑作对比分析。耦合电感型是在电流源型或谐振型中加入耦合电感来传递能量,这也增加了拓扑的复杂度。考虑谐振门极驱动电路的复杂程度,将拓扑元器件集成到一个芯片中以达到优化。     

一种用于LED驱动的Boost DC/DC变换器的设计

本文设计了一种用于驱动白光LED的Boost DC/DC变换器,该变换器基于脉冲跳跃技术,并且在内部集成了振荡器、基准电路、电流调整电路和功率MOSFET等,可以方便地设定输出电流,并且具有负载轻时转换效率高及电路实现简单等特点,在很大程度上消除了由脉冲跳跃技术造成的电压突升或突降的缺点.采用0.6 μm BiCMOS工艺进行设计,通过Hspice电路模拟软件的仿真验证,具有非常好的温度性能和抗干扰特性,非常适合作为LED驱动.在典型工作状态下转换效率达到82%,纹波电流仅为2 mA.     

电动汽车双向功率变换器研究

采用双向功率变换器可以实现电动汽车的驱动行驶及再生制动的能量回收。详细叙述了大功率IGBT驱动板2SD315A的使用方法。通过计算和实验调整确定了功率开关管、缓冲吸收回路和驱动电路的相关元件参数。研究结果表明,双向功率变换器既可实现驱动时的降压变换,也可实现再生制动时的升压变换;变换器可长时间工作在不同工况下,其可靠性和稳定性得到了验证。