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相似文献
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1.
介绍了一种适用于语音信号处理的16位24 kHzΣ-Δ调制器。该电路采用单环三阶单比特量化形式,利用Matlab优化调制器系数。电路采用SIMC 0.18μm CMOS工艺实现,通过Cadence/Spectre仿真器进行仿真。仿真结果显示,调制器在128倍过采样率时,带内信噪比达到107 dB,满足设计要求。  相似文献   

2.
介绍了低电压开关电容∑-△调制器的实现难点及解决方案,并设计了一种1V工作电压的∑-△调制器。在0.18μm CMOS工艺下,该∑-△调制器采样频率为6.25MHz,过采样比为156,信号带宽为20kHz;在输入信号为5.149kHz时,仿真得到∑-△调制器的峰值信号噪声失真比达到102dB,功耗约为5mW。  相似文献   

3.
介绍了一个200kHz信号带宽、用于低中频结构GSM射频接收机的高精度∑△调制器.该调制器采用3阶单环单比特的结构,电路使用全差分开关电容结构实现,并在0.6μm 2P2M CMOS 工艺下流片验证.调制器使用全差分±1V参考电压,工作在26MHz采样频率,过采样率为64.测试结果表明,在200kHz信号带宽内,调制器达到80.6dB动态范围,峰值SNDR达到71.8dB,峰值SNR达到73.9dB.整个调制器电源电压为5V,静态功耗为15mW.  相似文献   

4.
传统的模拟麦克风由于自身抗干扰能力差,很难满足新一代音频系统对输入端的要求,文章提出了一种用于数字麦克风的CT-SC∑-△调制器技术,将CT积分器和SC积分器结合在一个∑-△调制器中,可以与驻极体麦克风进行无缝连接,能够将麦克风产生模拟信号直接转换成后续数字设计平台所需的数字信号.测试结果表明,CT-SC∑-△调制器动态范围达到88 dB,等效输入参考噪声为5 μV,正常工作功耗为540 μw,休眠模式下消耗电流不超过10μA;与传统模拟麦克风相比,CT-SC∑-△调制器构成的数字麦克风可以提供更好的信噪比、更高的集成度、更低的功耗和更强的抗干扰能力.  相似文献   

5.
适用于高阶∑△调制器的全差分运算放大器的设计   总被引:1,自引:0,他引:1  
比较了增益自举式共源共栅、折叠式共源共栅和套筒式A/A类三种常用的运算放大器结构.提出了一种可用于各种高阶∑△调制器的全差分运算放大器。采用SIMC0.35μm标准CMOS工艺.完成了含共模反馈电路的全差分套筒式运算跨导放大器的设计。仿真结果表明放大器的直流增益为84.5dB,单位增益带宽为199MHz,相位裕度为51°,电路工作可靠,性能优良。  相似文献   

6.
介绍了一个200kHz信号带宽、用于低中频结构GSM射频接收机的高精度∑△调制器.为了达到高线性和稳定性,调制器采用2-1级联单比特的结构实现.电路在0.18μm CMOS工艺下流片验证,核心面积为0.5mm×1.1mm.调制器工作在19.2MHz的采样频率,在3V电源电压下功耗为5.88mW.测试结果表明,在200kHz信号带宽,过采样率为64的条件下,调制器达到84.4dB动态范围,峰值SNDR达到73.8dB,峰值SNR达到80dB.  相似文献   

7.
采用开关电容技术设计∑△调制器适应了VLSI的发展本文提出了一种利用系数匹配原理,确定开关电容网络元件值,;实现传输函数的方法。  相似文献   

8.
实现了一种适用于信号检测的低功耗∑-△调制器.调制器采用2阶3位量化器结构,并使用数据加权平均算法降低多位DAC产生的非线性.调制器采用TSMC 0.18 μm混合信号CMOS工艺实现.该调制器工作于1.8V电源电压,在50 kHz信号带宽和12.8 MHz采样频率下,整体功耗为3 mW,整体版图尺寸为1.25 mm×1.15 mm.后仿真结果显示,在电容随机失配5‰的情况下,该调制器可以达到91.4 dB的信噪失真比(SNDR)和93.6 dB的动态范围(DR).  相似文献   

9.
张伟锋  邵丙铣 《微电子学》2001,31(4):260-263
文章对一阶和二阶单级电流模式∑-△调制器作了系统性能及稳定性分析,给出了两者的噪声传递函数。针对系统性能与稳定性这两个相对立的指标,给出了极点的指引。最后介绍了一个一阶调制器的设计实例。  相似文献   

10.
许长喜 《微电子学》2006,36(2):154-158
在简要介绍高阶1位量化∑-△A/D转换器基本原理的基础上,分析了∑-△调制器的噪声特性;介绍了传统线性模型下的噪声传递函数的设计方法.同时,结合实际高阶模拟∑-△调制器的开关电容实现电路,重点对影响调制器性能的非理想因素进行了详细分析,并采用程序建模仿真的方法指导电路设计.与传统设计方法的结果对比表明,文中的方法可以为电路设计提供更加可靠的依据.  相似文献   

11.
提出了一种应用于无线传感网络 SOC过采样率(OSR)为128的单环三阶单比特量化∑△调制器.通过采用新型前馈结构,降低了系统对运算放大器性能的要求;通过采用新颖的两级Class A/AB运算放大器实现积分器电路,有效降低了电路的功耗;为了进一步降低电路功耗,对调制器中的第二级、第三级运放进行了缩放.该调制器采用华虹0.18μm CMOS工艺,输入信号带宽为8 kHz ,工作电压1.8V .后仿真结果表明:在输入信号频率为5 kHz、采样时钟为2.048 M Hz时,调制器的信噪比(SNR)达到96dB ,整个调制器的功耗仅为180μW ,芯片总面积为0.51 mm2.  相似文献   

12.
提出了一种稳定的5阶∑-△调制器的设计与调试方法.电路采用5阶级联结构,主要用CMOS开关电容技术实现,文章重点放在调制器结构的设计及几种防止系统发散和改进性能的途径上.模拟实验表明,经过改进的系统有较好的性能.  相似文献   

13.
韩俊  王卫东 《微电子学》2011,41(3):354-358
基于0.18μm标准CMOS工艺,设计并实现了一个单环三阶开关电容∑△调制器.电路采用具有加权前馈求和网络的积分器级联型拓扑结构,采用优化的具有正反馈的单级A类OTA来降低功耗.在设计中,采用电流优化技术来降低运算跨导放大器(OTA)的功耗.∑△调制器的过采样率为128,时钟频率为6.144 MHz,信号带宽为24 k...  相似文献   

14.
高阶∑—△调制器中运算放大器(OTA)的设计   总被引:1,自引:0,他引:1  
介绍了五阶∑-△调制型模数转换器中放大器的设计过程。引入一种新型的采用交叉耦合差分输入负电阻负载的运放。  相似文献   

15.
设计了一个100 kHz信号带宽、80 dB SNDR、3.3 V电源电压的单环三阶∑△调制器.电路采用AB类运放,可在较低静态功耗下实现较高的压摆率.电路采用UMC 0.18μm CMOS工艺制作,版图面积为1.7 mm×1.3 mm.芯片测试结果显示:在12 MHz时钟频率、60倍过采样下,调制器可达到100 kHz信号带宽,75.7 dB SNDR和98 dB SFDR.  相似文献   

16.
一种14位、1.4MS/s、多位量化的级联型∑△调制器   总被引:1,自引:0,他引:1  
在0.6μm CMOS工艺条件下设计了一种适合DECT(Digital Enhanced Cordless Telephone)标准的1.4MS/sNyquist转换速率、14位分辨率模数转换器的∑△调制器。该调制器采用了多位量化的级联型(2—1—1 4b)结构,通过Cadence SpectreS仿真验证,在采样时钟为25MHz和过采样率为16的条件下,该调制器可以达到86.7dB的动态范围,在3.3V电源电压下其总功耗为76mW。  相似文献   

17.
设计了应用于低中频GSM接收机的三阶单环单比特结构∑-△A/D转换器。调制器采用全差分开关电容积分器实现。仿真结果显示,在工作电压为3V、信号带宽200kHz、0.35μmCMOS工艺的条件下,过采样率选择为64,信号/噪声失真比(SNDR)达到85dB,功耗不超过11mW。  相似文献   

18.
设计了一款工作在1.8 V电源电压下、功耗仅为1.8 mW、精度为16 bit ,优化系数(FOM )达170的音频sigma-delta调制器.其过采样率为128,采用3阶噪声整形.为了降低功耗,采用前馈结构以及单比特量化.通过采用PM OS管实现局部反馈,有效提升了调制器性能.调制器采用SM IC 0.18μm工艺实现,通过对系统结构和运算放大器、比较器等电路子模块的分析,完成整体电路和版图设计.在SS工艺角下,仿真表明本文设计的调制器性能良好,在20kHz的带宽内可达到100.8dB的信噪比(SNR),折合有效位16 bits精度要求.  相似文献   

19.
20.
本文给出了一种基于无源RC网络的二阶连续时间低通∑△调制器结构.这种调制器电路结构简单而且能够不受运算放大器性能的限制,并且能够达到不错的性能.本文分别给出了系统级和电路级的仿真结果,电路用TSMC 0.18CMOS工艺实现,在1.8V供电电压下,采样时钟为1GHz,输入信号带宽为5 MHz,最高SNDR为48.9949dB.  相似文献   

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