锆钛酸铅95/5薄膜的介电性能与弛豫特征

采用溶胶-凝胶法制备锆钛酸铅95/5（PZT95/5）薄膜,通过分析介电温度谱、介电频谱研究薄膜的介电性能.研究结果表明：介电常数-温度曲线ε（T）的相变峰随着频率的增加而逐渐变得平坦.同时,介电常数倒数与温度曲线ε-1（T）在高频不符合居里外斯定律;采用普适弛豫定律公式,对不同温度下的介电频谱曲线ε（f）进行拟合,得到弥散系数随着温度的变化曲线,该曲线在铁电-顺电转变以及反铁电-铁电转变这两个特征温度附近出现异常,结合材料反铁电-铁电-顺电相变的微观结构变化规律对此现象进行了讨论.     

水泥水化产物的介电弛豫现象研究

为研究不同类型水分子对水化产物介电弛豫特性的影响,通过设置不同水灰比和烘干处理的方法,结合低频介电光谱、XRD和TG测试方法进行介电弛豫现象研究.结果表明:在水化产物内部水分子自身偶极矩作用引起的弛豫过程中存在R1、R2和R33个弛豫峰;在水灰比为0.5的水泥样品中,R1、R2和R3的活化能为0.39 eV、0.51 ...     

TbCrO3的合成以及磁、介电性能研究

为研究TbCrO₃低温下的磁相变和介电弛豫,采用溶胶凝胶自蔓延燃烧合成法制备了TbCrO₃材料,并对其磁、电性能进行了分析。利用X射线衍射仪、场发射扫描电子显微镜和综合物性测量系统对材料进行了物相和物性表征。X射线衍射结果表明,合成的TbCrO₃为单相多晶样品,空间群为Pbnm;直流磁化曲线表明,材料的奈尔温度TN=162 K,分子的有效磁矩理论值与通过磁化曲线高温顺磁段外推得到的实验值相吻合,说明样品的磁性遵循居里外斯定律,外斯常数为负值(-32.2 K),表明样品内部的反铁磁耦合特性;介电测量中,在低频、高温下,样品出现了介电色散和巨介电常数,归因于空间电荷极化。样品在200 K附近出现介电驰豫,损耗峰随着频率增大向高温移动,拟合出的活化能为0.358 e V,这与RCrO₃体系中其他样品的活化能接近。根据介电常数虚部与频率关系分析出驰豫为麦克斯韦-瓦格纳驰豫,由阻抗谱分析出驰豫是由晶界与晶粒共同作用的。TbCrO₃在低温下存在顺磁-反铁磁相变,介电弛豫显示出热激活行为。     

CaCu3Ti4O12陶瓷的高温介电弛豫研究

研究过渡金属氧化物在交变电场中的极化和弛豫行为有助于对此类化合物的输运机制的理解和介电、铁电等性能的优化。本文利用宽温宽频介电分析仪研究了CaCu₃Ti₄O₁₂(CCTO)陶瓷在室温以上的介电常数、弛豫和阻抗等性质。通过对阻抗谱的拟合分析表明,与室温以下介电弛豫机制不同,高温弛豫激活能与晶界电导激活能完全一致,说明高温下介电弛豫源于多晶陶瓷的晶界效应。     

CaCu3Ti3.95Zr0.05O12陶瓷的介电性质研究

CaCu₃Ti₄O₁₂(CCTO)陶瓷具有高介电常数,研究掺杂离子对其结构和性质的影响有助于理解并优化其介电性能。本文利用X射线衍射仪（XRD）研究了CaCu₃Ti_3.95Zr_0.05O₁₂(CCTZ)陶瓷的结构,并利用宽温宽频介电分析仪研究了其在不同温度下介电常数、弛豫、阻抗和电模量等性质。XRD结果表明,5%的Zr能够完全并入到CCTO晶格中;阻抗谱和电模量的分析表明,低温和高温范围内的介电弛豫分别与晶粒和晶界的电学性质密切相关。Zr掺杂造成晶粒激活能增大,而晶界激活能几乎不变。     

时域微分介电谱与 PET 结构相变及软模

在－１８７～６０℃范围内用微分时域介电谱方法测量了聚对苯二甲酸乙二醇酯的极化效应．实验证明空间电荷扩散理论给出的慢极化弛豫规律在极性聚合物中也成立．在样品的低温β转变过程中静态介电常数被分解为一个快项和三个慢项之和．在聚合物的结构转变中,快介电常数不出现奇异;但三个慢介电常数各自的倒数均出现抛物型软化．     

CaCu_3Ti_4O_(12)陶瓷的制备及低温介电弛豫研究

利用传统的固相反应法在不同条件下制备CaCu_3Ti_4O_(12)(CCTO)介电陶瓷,通过粉末XRD测试对其结构进行表征,以获得纯相CCTO陶瓷的合成条件.XRD结果表明,1 100℃/12 h烧结条件下制备的CCTO陶瓷结晶性好且为纯相;介电测试表明,样品在低温下存在介电弛豫,分析表明低温介电弛豫来源于晶粒的本征效应.     

(Ba 0.8Sr 0.2) 1-1.5x BixTiO3陶瓷的弥散相变和高温介电异常研究

采用传统固相法制备(Ba _0.8Sr _0.2) _1-1.5x Bi_xTiO₃ (x= 0.02,0.05,0.15,缩写为BSBT)陶瓷.在空气条件下1 473 K 保温2 h退火制得,并对陶瓷样品的结构、微观形貌和介电性能进行了测试.其中,在介电研究中不仅出现了弥散的相变,并且在高温区域观察到了弥散型的介电异常.根据居里-外斯定律的拟合结果,在样品x=0.05的BSBT陶瓷样品中出现相对较强的一个弥散相变.此外,通过阻抗分析,不仅表征了BSBT陶瓷的晶界电阻,还由此算出陶瓷样品的活化能和电导活化能.极化原理表明BSBT陶瓷的高温弛豫与氧空位引起离子的跳跃有关.而对于样品的高温介电异常,此处认为是一种介电弛豫行为,主要由弛豫强度变化所致.     

PI/Al-Si氧化物纳米杂化薄膜的制备及性能研究

以聚酰胺酸作为基体,通过正硅酸乙酯(TEOS)和异丙醇铝的水解缩合反应后,与聚酰胺酸发生溶胶凝胶的过程,从而制备出不同比例的A l-Si氧化物纳米掺杂聚酰亚胺薄膜.利用原子力显微镜,傅立叶红外光谱和介电谱,对其表观形貌和介电性能进行了表征和测试,考察分析了了相应的结构与性能之间的关系.     

无机纳米掺杂对聚酰亚胺薄膜的结构和介电性能影响

选取聚酰亚胺（PI）作为有机高聚物基体,通过正硅酸乙酯及异丙醇铝在聚酰胺酸的N,N-二甲基乙酰胺溶液中进行溶胶-凝胶反应,制备SiO2和Al2O3质量分数不同的聚酰亚胺杂化薄膜．并且分别利用原子力显微镜、傅里叶变换红外光谱、热重分析和介电谱对两种（原始的和掺杂的）薄膜的表面形貌、结构、热性能和介电性能进行了表征和测试．