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根据马赫-曾德尔型热光开关的工作原理,提出了可以提高热光开关响应速度的过驱动方法并设计相应的驱动电路,使SOI4×4重排无阻塞热光开关阵列的响应时间从大于2μs提高到了亚微秒. 相似文献
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3.3英寸全集成多晶硅薄膜晶体管液晶显示器具有4个灰度级(64种颜色).经低温(<600℃)处理后,制做在玻璃基面上。所得到的对比度大于25。其中,集成数据驱动电路,由分离式矩阵开关、线性存储器和多级选择器组成。使用具有窄线性存贮电容的分离式矩阵开关,可获得高频驱动能力。4个灰度级电压由多级选择器产生。移位寄存器、电平移位器、小比率缓冲器和多路调制器构成集成扫描驱动电路.由于使用小比率缓冲器,实现 相似文献
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基于功率MOS型场效应管的4 kV纳秒脉冲源 总被引:2,自引:2,他引:0
为了用固体开关器件替代国外氢闸流管,开展了大功率高速高压半导体固体开关及与其相配的高速高压组合电路研究。利用功率MOS型场效应管的开关原理,提出了对功率MOS型场效应管的栅极"过"驱动技术,提高了功率MOS型场效应管的开关速度,研制出基于功率MOS型场效应管的输出脉冲幅度大于4 kV,前沿小于10 ns,脉冲宽度大于100 ns的高压快脉冲驱动源。 相似文献
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本文主要论述了一种以AT89S52单片机为控制器,利用PWM控制脉宽的反激型开关稳压电源的硬件设计原理及实现方法。该系统由主电路、控制与驱动电路、过流保护电路组成。主电路部分由交流电源整流滤波电路、DC—DC电路和负载电路构成,其核心是DC—DC变换电路的设计,该电路采用反激型电路控制方式,以电力MOSFET为开关器件,使负载获得稳定、可调的直流电。 相似文献
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介绍了一种PIN管开关驱动电路.该电路采用了控制信号与高压源相隔离的方法,可支持300 V以内的高压,并具有800 mA的电流驱动能力,驱动电路的开关切换时间小于2.6 μs.通过对高压器件的防击穿保护,并增加适当的延时电路,大幅度提高了驱动电路的工作稳定性.该电路可应用到高电压、大电流、高功率容量、高速切换的PIN管... 相似文献
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本文介绍了以电机控制专用芯片μPD78F0712为核心的E-BIKE用无刷直流电机控制器的设计,主要阐述了PWM控制电路结构及功率开关器件的选择,驱动电路,保护电路以及软件设计. 相似文献
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提出了一种用于单相无刷直流电机驱动芯片的软开关比较器电路,利用该电路实现了软开关换相区域的有效控制.该软开关比较器电路实现方式简单,只需一个比较器就能实现通常需要两个迟滞比较器方能实现的软开关控制功能.该软开关比较器电路已通过UMC 0.6 μm 5 V/12 V/30 V 2P2M BCD工艺流片验证.芯片样品测试结果表明,该软开关比较器电路能够简洁且有效地控制单相无刷直流电机的软开关换相区域. 相似文献
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设计并实现了一种高速大电流的开关驱动器,可用于驱动PIN开关以及IGBT开关等.开展了系统结构、电路和版图技术研究,并采用亚微米CMOS标准工艺进行设计和制造.通过采用一种带隙基准结构提供偏置的方式使电路兼容TTL和CMOS输入,保证良好的温度特性;通过采用传输门功率驱动电路实现三态控制,解决了高速应用时电容馈通效应问题.详细设计了TTL输入转换电路、基准和偏置电路、三态输出和功率驱动等电路;基于0.6 μm CMOS工艺重点设计了高速驱动器中功率开关版图.该高速大电路开关驱动器产品的传输速度达到了25 ns,驱动电流达500 mA. 相似文献
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采用反激升压电路与双向半桥驱动电路级联构成双级驱动电路,研制了一种纳秒级、高功率准分子激光器驱动系统。反激升压电路工作在DCM的条件下,保证输出稳定高压。双向半桥驱动电路采用输出电压信号与理想波形查找表比较,控制高低边开关产生控制脉冲,能够输出准分子激光器的任意驱动信号。通过软件仿真,分析了反激升压电路的励磁电感、开关频率、输出功率和驱动电压等工作条件对系统损耗的影响,并获得优化结果。实验表明,最窄驱动脉冲宽度为15 ns,峰值驱动电压为1000 V,脉冲上升/下降时间约为5 ns,峰值能量转换效率为68.5%,该驱动系统在实际应用中可行。 相似文献