R—600瓷料的试制

以BaTiO_3为基的BaTiO_3-La_2O_3·2TiO_2-SrTiO_3系统的R—600瓷料,性能稳定,介电常数ε≥750,介电常数温度系数α_c为-(4700±800)×10~(-6),介质损耗为(3～5.5)×10~(-4),抗电强度≥8KV/mm,比体积电阻为10~(12)Ω·cm以上,是生产小体积、高电压电容器的较为理想的陶瓷材料。 本文较详细地叙述了该陶瓷材料的配方试验、工艺探索及试验结果。     

低介电常数U组瓷料的试制

采用介电常数小而电气特性好的镁橄榄石瓷料为基料,用SrTiO_3作为温度系数调整剂,制得了相对介电常数为15,温度系数为-750×10~(-6)/℃的低介U组瓷料,该瓷料可用于制造小容量、大温度系数的热补偿高频电容器。     

空气隙对瓷介微调电容器温度系数的影响

<正> 电子工业部标准(SJ650-80)规定,CCW3型圆片瓷介微调电容器的电容温度系数应在-(200～800)×10~(-6)/℃范围之内。但在实际生产中,会出现电容温度系数比-200×10~(-6)/℃大或比-800×10~(-6)/℃小的现象,其原因除了介质材料的影响外,是由于零部件加工和微调电容器装配等过程中造     

一种用于多层片式电容器的X7R瓷料

研制成功一种供多层片式陶瓷电容器(MLC)用的中温烧结X7R瓷料,其组成为BaTiO_3-PbBi_4Ti_4O_(15)-PbNb_2O_6,烧成温度1080℃,ε_r≥1600,tgδ≤70×10~(-4),ρ_v≥10~(13)Ω·cm,绝缘强度≥10V/μm,△C/C≤±10×10~(-2)(—55～+125℃)。该瓷料已用在MLC引进线上制做片式电容器,电容量从4700pF至10000pF,性能符合CT41—2X1标准。     

CSBT-BNT-NT系高介瓷料α_ε系列化的研究

进行了具有高介电常数的 (Ca,Sr,Ba) Ti O3(CSBT) - Ba6 - 3x Nd8+ 2 x Ti1 8O5 4 (BNT) - Nd2 Ti2 O7(NT)系瓷料介电常数温度系数 (αε)系列化的研究 ,采用多相混合控制技术 ,按李赫涅德凯混合法则 ,调整该三元系瓷料αε系列。研制的瓷料介电性能 :εr=90～ 15 0 ;tgδ( 2 0℃ ,1 MHz) ≤ (0 .5～ 5 .0 )× 10 - 4 ;αc( - 2 5～ + 85℃ ) =((0～ - 75 0 )± 6 0 )× 10 - 6℃ - 1 ;ρv( 2 0℃ ,DC 1 0 0 V) ≥ 10 1 2 Ω· cm。     

添加剂对CaTiO_3陶瓷性能的影响

研究了Nb2O5、La2O3、ZnO、NiO的加入对CaTiO3陶瓷的烧结和介电性能的影响,并对影响机理作了初步探讨。结果表明:选择合适种类和数量的添加剂能够降低CaTiO3烧结温度并能在1260～1300℃之间烧结,该材料的温度系数为–1000×10–6℃–1,在10kHz～20MHz的相对介电常数为175、介质损耗为10–4,是一种理想的高频热补偿电容器材料。     

S波段介质稳频调制器

本文介绍了一种采用A_7介质谐振器制成的S波段介质稳频调制器的设计和实验结果。采用加载带阻滤波稳频获得了良好的稳频效果。在-40℃～+50℃温度范围内,输出功率为10毫瓦时,频率稳定度为±0.4×10~(-4)～±1.46×10~(-4),输出功率≥40毫瓦时,频率稳定度为±3×10~(-4)。调频范围大于600千赫,电调灵敏度为200千赫/伏,调频非线性<6％;体积仅有(60×60×30)立方毫米,可以同时传送遥控(遥测)和话音。     

稀土掺杂和Ti/Sr比对SrTiO_3电容器电参数的影响

采用空气中一次烧成新工艺,系统地研究了稀土掺杂和化学计量比对SrTiO_3晶界层电容器陶瓷显微结构和性能的影响。得到了介电常数ε≥50000、介质损耗tgδ≤0.010、介电常数温度系数(-25～+85℃)a_ε=(±10～±12)%的La掺杂SrTiO_3电容器。实验结果表明:掺杂稀土元素的种类和数量的不同以及取不同的Ti/Sr比,对SrTiO_3电容器电参数均有很大的影响。     

节能灯专用中高压铝电解电容器的工作电解液

开发了节能灯专用铝电解电容器的高压工作电解液(σ30℃≈1.5×10–3S/cm,Us≥480V)和中压工作电解液(σ30℃≈3×10–3S/cm,Us≥400V),分别应用于400V、15μF(φ12.5mm×20mm)和250V、33μF(φ12.5mm×20mm)电容器中,制得的电容器具有低阻抗、低漏电流、耐高频高纹波,耐高温长寿命,在带负载的耐久性试验中通过了125℃,3000h考核,适用于电子节能灯线路。     

四硼酸锂单晶的热电和压电性能

在50—-150℃的温度范围内测量了Li_2B_4O_7(LTB)单晶的热电、压电和介电性能.室温时,LTB的介电常数K_3约为10(100kHz),介电tgδ约为1(10kHz),液氮温度下,tgδ降到～10~(-3),室温时测得的热电系数约为-30μC/m~2·K,而当温度为-150℃时,热电系数增至-120μC/m~2·K,并显示出能与室温下获得的TGS的值相媲美的热电品质因素p/K值,测量结果表明,Li_2B_4O_7的一次和二次热电分量为独立分量,其一次效应对热电效应起主要作用.压电测量表明,Li_2B_4O_7的g_(33)值((?)270×10~(-3)V·m/N)和g_h值((?)100×10~(-3)V·m/N)大,预示着Li_2B_4O_7在压力传感器领域的应用前景.     

声表面波器件用的压电陶瓷材料

如果一种材料被认为适合于作声表面波(SAW)器件,则材料的技术性能就必须满足一些基本的要求.这就是在+20到+60℃温度范围内低的声速温度系数(TC<70×10~(-6)/℃)、能保持阻抗高于50欧的低介电常数(ε<300)、能提供高清晰度电极结构的光滑表面.本文叙述了研究假四元系统Pb(Cu_(1/4)Nb_(3/4))O_3-Ph(Ni_(1/4)Nb_(3/4))O_3-PbTiO_3-PbZrO_3的三角晶相所得到的实验结果.Pb(Cu_(1/4)Nb_(3/4)_(0.067)(Li_(1/4))Nb_(3/4))_(0.023)Ti_(0.024)Zr_(0.67)O_3+0.5重量%MnO_2组成具有适合于SAW器件应用的最佳材料技术性能,其性能如下:耦合系数Kp=0.26介电常数ε=285机械品质因素Q=3600TC_ε=4.7×10~(-3)/℃TC_v=50×10~(-6)/℃老化速率V≤0.5×10~(-3)/+年ε≤2.2%/+年在这种组成的陶瓷基体上已经实现了电视中频(f_0=36兆赫)用的声表面波滤波器.与计算曲线相比较可知滤波器的通带、陷波的频率和斜率都很合适.只有陷波衰减和远端选择性在计算曲线和测量曲线之间有差别.     

一种高精度低压差线性稳压芯片的实现

文中介绍了一种提高低压差线性稳压芯片输出电压精度的技术,该芯片使用了能隙基准的温度补偿技术,克服了能隙参考电压在通常使用的温度范围(10℃～100℃)内的温度漂移,从而使稳压芯片输出电压的温度系数从普通的约100×10~(-6)℃降至20.2×10~(-6)℃。     

对中医师承制研究生学位论文质量的分析

采用固相反应法制备了(Mg0.93Ca0.05 Zn0.02)(Ti1-xAl)O3介质陶瓷.研究了Zn-Al共掺杂对0.95MgTiO2-0.05CaTiO3(95MCT)陶瓷性能的影响.结果表明,Zn-Al共掺杂的95MCT陶瓷的主晶相为MgTiO3和CaTiO3两相结构,有第二相CaAl2O4出现;Zn-Al共掺杂能有效降低95MCT陶瓷的烧结温度至1300℃,且得到致密的晶粒结构,改善介电性能,并对介电常数温度系数具有调节作用.当掺杂Zn2+、Al2+的摩尔分数均为0.02时,在1300℃烧结2.5 h获得最佳性能:介电常数为20.35,介电损耗为2.0×10-6,介电常数温度系数为-1.78×10-6.     

温度稳定的低噪声前置放大器

叙述了用2P303zh 场效应晶体管的温度稳定低噪声前置放大器电路,介绍了各种类型负反馈电路的温度特性。在-10°～+40℃温度范围内,增益不稳定性为0.04～0.05％/℃,电压从9伏变到15伏时δK/K<2.5×10~(-2)。在1千赫下,源阻抗为5欧姆时,前置放大器噪声电平在4～5×10~(-9)伏赫~(-1/2)。     

一次烧成SiC边界层陶瓷电容器性能研究

选用导热性能优良、半导化的a-SiC作为边界层电容器基体材料,利用氧化铝、滑石、粘土和长石组成的低共熔混合物作为晶界绝缘材料,通过常压一次烧结工艺制备边界层陶瓷电容器。烧成温度范围为1 280~1 320℃,最高温度下保温4 h。获得的边界层电容器电阻率大于1010 cm,在50 Hz频率下相对介电常数r为260,介质损耗tg为1.27×10-4,两者均随频率的增大而减小。     

C波段介质谐振器稳频FET振荡器

本文运用电磁场理论对圆柱形介质谐振器进行了分析和计算,并设计制作了C波段反馈型介质谐振器稳频FET振荡器,其工作频率f_0=7.4GHz,输出功率P≥30mW,频率稳定度为±2×10~(-5)(-10～+50℃),频率温度系数为0.67ppm/℃。     

一种宽输入范围高电源抑制比的带隙基准源

基于CSMC 0.5 μm BCD工艺,设计了一种具有高电源抑制比的带隙基准电路。此电路可以在较宽电源电压(4~36 V)范围内实现较小的温度系数变化,－40 ℃~125 ℃范围内的温度系数为8.93×10-6/℃~9.02×10-6/℃。通过将基准参考点设置于负反馈环路中,能够有效地提高基准电路的电源抑制性能。当电源电压为4~36 V时,电源抑制比分别为－132~－98 dB@dc,－54.7～－55.5 dB@1 MHz,线性调整率为0.009%/V,满足DC-DC转换器的应用需求。     

BaTiO_3基高介交流高压介质材料的研究

本文通过大量实验和机理性研究提出:细晶、致密的BaTiO_3基陶瓷介质是制做彩色电视机用高介交流高压陶瓷电容器的理想介质,并给出用普通方法制备细晶致密的BaTiO_3基介质的合理工艺。用该法制得的陶瓷电容器(直径12.2mm、厚度0.86mm)的主要电性能指标为:ε≥5000;tgδ≤100×10~(-4);R≥10~5MΩ;在-25～+85℃范围内,△C/C在-40％～+10％之间;耐交流高压3000V。工艺重复性好,产品合格率≥90％。     

低烧高频多层陶瓷电容器工艺改进

以低烧高频多层陶瓷电容器为例,分析比较了原国产线和引进线的工艺和原材料消耗,论证了采用引进线来生产原国产线产品的可能性和必要性。并通过工艺试验进一步证明了转线生产的可行性。由于新线采用了流延浇注成膜工艺,不但可节约原材料60％以上,且产品的容量命中率、工艺一致性及电性能均有提高:绝缘电阻R_i>10~(11)Ω,tgδ<10×10~(-4),>kV,α_c<60×10~(-6)·℃~(-1)。     

PTC热敏电阻器阻温特性的自动测量

<正> 一、前言众所周知,PTC陶瓷热敏电阻器在某一温度区间,阻值随温度升高迅速增大。如开关型热敏电阻,其最大、最小值之比达10~3～10~7;在该温度区间,温度系数可达(10～100)×10~(-2)/℃。这种温度特性使PTC