真空炉金锡封焊

文章在介绍半导体金锡焊料封装工艺的基础上,重点对金锡焊料、炉温曲线设置等工艺技术问题进行了深入研究。基于大量的金锡焊料真空焊接封装实验及理论分析,研究了器件气密封装技术。讨论了封焊夹具、管帽镀层、合金状态、封接面表面、压块、焊料厚度以及加热程序对焊接质量的影响。密封后的产品在经过环境试验和机械试验考核后,封装气密性能很好地满足要求。并且结合应用背景证明了所采用的合金及封装工艺的可行性。     

基于平行缝焊工艺的AuSn合金焊料封盖技术研究

为了解决聚合物粘结电路的质量与长期可靠性问题,提出了一种采用平行缝焊工艺对AuSn合金焊料熔封器件进行封盖的新方法。通过对平行缝焊工艺的深入研究,解决了该类器件封盖的气密性与外观质量问题,从而找到了一种有效解决熔封外壳组装的低温聚合物粘结电路水汽含量、抗剪强度、键合强度控制的新方法。     

提高多芯片微波模块气密性的研究

伴随着现代微电子技术的高速发展,在一些特殊环境条件下使用的各种微波模块,需要进行密封封装,以防止器件中的电路因潮气、大气中的离子、腐蚀气氛的浸蚀等引起失效,采用气密性封装以延长器件的使用时间。密封的实现方式根据具体要求采取不同的措施,对于密封要求相对较低,可以采用锡封的方式实现;对于密封要求相对较高的,可以采用平行封焊的方式实现。影响平行缝焊质量的有诸多因素,盖板与平行缝焊的关系是相当重要的,在壳体性能稳定的情况下,盖板质量的好坏直接影响着器件的气密性,盖板和管壳之间的匹配、工艺参数的设置、电极表面的状态等对平行缝焊的质量都起着重要的作用。     

VLSI低温合金焊料气密封帽技术

一、概述由于环境条件的恶劣，用于宇宙空间、舰船雷达等领域的IC产品通常要求采用高可靠的气密封装形式。一般说来，气密封装可分为金属、陶瓷一金属和陶瓷一玻璃一陶瓷几大类。按其封帽方式又可分为突缘电阻焊、平行缝焊、激光焊接、冷压焊、低温玻璃封帽（俗称“黑瓷”）和低温合金焊封帽等几种。其中，突缘电阻焊主要用于TO封装系列；激光焊接用于大腔体外壳的混合电路封状；VLSI封装主要采用手行缝焊、黑瓷和低温合金焊料焊接几种方式。由于黑瓷封装是采用玻璃作为封接材料，机械强度不能满足军用要求；尽管平行缝焊有诸多优点，但…     

硅基密封气密性及结构强度研究

探讨了硅基气密性封装的可行性,将电镀镍-金镀层的柯伐盖板、密封区金属化的硅基板用金锡焊料片通过熔封形成密封。硅是一种脆性材料,在硅基气密性密封结构中,需要研究气密性封装腔体大小对结构强度的影响(规律),以及可承受的压力。试验结果表明,腔体小于11 mm×27 mm时(腔体高度不限),350μm厚度的硅基板可直接与柯伐盖板密封,密封结构中的硅基板不会碎裂且可承受至少0.1 MPa的压力。     

微电子器件精密金属封装技术研究

文章重点讨论了影响金属器件封装的各种因素。同时对如封焊电流、压力、基座、盖板材料及封焊电极等影响气密封装结果的各种因素做了详细的分析。这些因素为保证器件的气密金属封装提供了可靠的工艺参考，     

Li2O-ZnO-SiO2系结晶型低熔点封接玻璃的研究

研制了一种用于与软质玻璃和金属合金封接、以Li2O-ZnO-SiO2为基础的三元系结晶性低熔点玻璃焊料.通过不同的热处理制度以及DSC,纽扣试验等分析手段,对该体系焊料玻璃进行了研究.结果表明,玻璃焊料在600～640℃的流散性良好,能与金属合金、平板玻璃封接.同时探讨了封接温度、封接时间、金属合金预处理的程度以及保护气氛等工艺参数对封接质量的影响.     

平行缝焊工艺抗盐雾腐蚀技术研究

抗盐雾腐蚀是提高集成电路封装可靠性的重要手段之一.根据金属腐蚀机理,通过优化封焊工艺和AuSn合金焊料平行缝焊封盖工艺,以及在封盖后再次进行电镀修复损伤等措施,提高了平行缝焊集成电路的杭盐雾腐蚀能力.     

MCM组件盒体与盖板气密封装倒置钎焊工艺方法

提出了MCM组件盒体与盖板气密封装的一种倒置钎焊工艺方法.将盒体、焊片、盖板预装在一起,倒置在加热台上,盖板直接接触热台,借助夹具、合适的盒体结构形式以及适当的焊接工艺参数,能够实现盒体底部温度低于封盖焊料熔点30 ℃以上且实现气密封装,经测试,组件的电性能在封装前后没有明显变化,该方法操作简单、可靠,易于组件返修.     

真空灭弧室一次封排结构设计的探讨

本文作者针一次封排真空灭弧室的特点,对灭弧室瓷过屿盖板的封接结构,一次封排工艺过程中焊料的蒸发,一次封排工艺结构设计等三个问题进行了试验探讨。     

陶瓷-金属封接用钛银铜合金焊料含钛量及其封接工艺的研究

正 (一) 前言 几十年来电真空器件一直采用钼锰金属化或涂钛粉的陶瓷金属封接工艺。该工艺比较复杂,同时封接质量又不易保证。我们研究了用钛银铜(Ti-Ag-Cu)活性合金焊料直接封接的工艺;试验了合金焊料中活性元素钛含量和封接温度等参量对封接质量的影响;给出了合金焊料的合适合钛量和封接的工艺规范。实验表明,钛银铜合金焊料直接封接工艺,方法简单,质量稳定,是值得推广应用的     

铝合金封装微波组件的激光焊接密封技术

介绍了激光焊接机理和特点,分析了铝合金的激光焊接工艺特性,设计了激光焊接密封接头结构.通过对铝合金封装壳体的激光焊接密封工艺试验和分析,研究了装配间隙、材料表面状态、焊接工艺参数和工装夹具等因素对焊接密封质量的影响,成功实现了良好焊缝质量的焊接,达到微波组件氦气泄漏率低于1×10-8 Pa·m3/s的密封要求.     

金-锡合金电镀及其在微波器件上的应用

本文研究了电镀金-锡低共熔合金的方法,并采用这一新工艺,在微波器件上进行了有成效的试验.如用作封帽,较过去熔融压铸合金框工艺简便节约;用于焊接管芯,可以代替金-锗合金焊料等等.     

覆Ag层对用于LD封装的In焊料性能的影响

In焊料由于其优越的可塑性以及优良的导电、导热特性,被广泛用于半导体激光器(LD)的封装。但是In焊料遇空气易氧化,尤其在焊接加热的过程中,氧化现象更加明显,因此一般当天制备当天使用。为防止氧化,可以在In焊料表面镀一层Ag或Au作为保护层,因为Ag成本较Au低,可作为首选的保护层。关于In-Ag合金性能的研究已有过相关报道,但关于In-Ag合金的表面形貌及Ag层厚度对内部In的影响的报道还很少。文章通过扫描电子显微镜、XRD对不同样品进行了表面和成分的分析,得到了关于Ag对内部焊料的影响以及不同冷却速率下焊料的表面形貌。     

Analysis of the reaction between 60Sn-40Pb solder with a Pd-Pt-Ag-Cu-Au alloy

We present the results of a metallurgical study of a 35Pd-30Ag-14Cu-10Au10Pt-1Zn (wt. %) alloy soldered with 60Sn-40Pb for glass-to-metal sealing applications. Mechanical tests were performed on the Pd-Ag-Cu-Au-Pt-Zn alloy and showed that it retains ductility, with an increase in strength, after heat treatments that simulate the glass-to-metal sealing temperature profile. Wetting characteristics of the alloy with 60Sn-40Pb solder were found to be adequate for pin joining applications. The formation and growth of the interfacial interme-tallic between 60Sn-40Pb and the Pd-Ag-Cu-Au-Pt-Zn alloy were characterized. The matrix of the intermetallic layer consists of PdSn₄ with platinum and gold substituting for the palladium in the crystal structure. Also present were precipitates of Cu₃Sn and Ag₃Sn. Nano-indentation hardness tests showed that the intermetallic layer has mechanical properties similar to the base metal while retaining good ductility. The intermetallic was also found to have good wettability under solder reflow conditions. We conclude from these tests that the Pd-Ag-Cu-Au-Pt-Zn alloy is a suitable option as a pin material for glass-to-metal sealing applications.     

焊料与金属材料对陶瓷/金属封接强度的影响

对焊料与金属材料对陶瓷/金属封接强度的影响进行了初步分析与探讨。发现:用AuCu、AuNi焊料焊接陶瓷/可伐时,因为封接件的断裂模式为大量Mo-Ni分层,所以平均封接强度只有80MPa;用AgCu、PdAgCu焊料焊接陶瓷/可伐时,封接件的断裂模式为Mo-Mo分层或Mo-Ni分层,平均封接强度在100MPa左右;用Ag、Cu焊料焊接陶瓷/可伐时,封接件的断裂模式为粘瓷或瓷断,平均封接强度达150MPa。用AgCu、PdAgCu、AuCu焊料焊接陶瓷/无氧铜时,因为封接件的断裂模式为粘瓷或瓷断,所以平均封接强度在150MPa左右,比用同种焊料焊接陶瓷/可伐时最高提高了80%。     

半导体AuSn焊料低温真空封装工艺研究

介绍了半导体金锡(AuSn)焊料焊接封装的影响因素:焊接气氛、镀金层、焊料,在低温真空焊接封装的基础上,重点探讨了AuSn焊料真空钎焊封装的影响因素、AuSn焊料本身的组分比及其浸润性等对焊接封装的影响、AuSn焊料真空焊接封装炉温曲线设置及焊接温度和时间的正交实验、AuSn焊料真空焊接封装中真空度的影响因素、真空度对...     

一种高性能实用型Sn-Cu无铅电子钎料

研制了一种具有自主知识产权的高性能无铅电子钎料CWB—07系列。它采用在Sn-Cu基体合金中加入Ni、Re、P等多种改性元素的方式,全面改善和提高了钎料的综合性能。经检测、对比和应用试验,证明本产品具有较高的性价比和较强的实用性。抗拉强度达到45MPa,超过Sn-3.5Ag,经济指数优于Sn-3.5Ag和Sn63Pb。