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不管集成电路如何发展,分立器件永远不会被集成电路完全取代。而在分立器件中,高一颗小功率管产量占有相当大的比重。但直到现在,高频小功率管的生产基本上仍然是沿用了传统的老工艺。因此,对于这类器件生产工艺的改进就有着带普遍性的非常重要的意义.我们针对现行小功率管制造中存在的问题,以3DG142为代表品种,试验使用LPCVD多晶硅薄膜工艺,以掺杂多晶硅发射极结构取射传统的池发射极TIAI结构,改善了器件性能,提高了成品率和可靠性,取得了良好的结果。一、问题高濒,尤其是超高频小功率晶体管,芯片几何尺寸细微,以致做好… 相似文献
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报道了用低压化学汽相淀积生长掺砷多晶硅的实验结果。应用掺砷多晶硅作发射板材料,研制出C波段连续波输出功率大于3W的晶体管和L,P波段100W的脉冲功率晶体管。 相似文献
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本文描述了一种实现亚100nm基区宽度的晶体管结构。加工工艺类似BSA(硼硅玻璃自对准)技术,可实现亚100nm的基区结深,还可解决自对准器件在横向和纵向按比例缩小时所遇到的困难。与离子注入工艺相比,这种工艺可轻易地解决诸如高剂量离子注入所产生的下列问题:二次沟道效应对基区结深减小的限制及晶格损伤。晶体管采用了多晶硅发射极,RTA(快速热退火)用于形成晶体管的单晶发射区,为提高多晶发射区的杂质浓度 相似文献
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多晶硅发射极晶体管的低温频率特性研究 总被引:1,自引:0,他引:1
本文考虑低温下半导体中载流子冻析效应和浅能级杂质的陷阱效应等因素,分析了多晶硅发射极晶体管的低温频率特性,研究表明,受载流子冻析效应的影响,基区电阻在低温下随温度下降接近于指数上升,使晶体管的频率性能变坏;而由于浅能级杂质的陷阱效应,低温下基区和发射区渡越时间变长,截止频率下降,这些因素在低温器件设计中应予重视。 相似文献
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多晶硅发射极晶体管直流特性研究 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了砷注入多晶硅发射极晶体管的直流特性,并与采用常规平面工艺制作的晶体管性能进行了比较.结果表明多晶硅发射极晶体管具有较高的发射效率,高的电流能力,改善了EB击穿和CB击穿.电流增益依赖于淀积多晶硅前的表面处理条件. 相似文献
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本文建立了能直接用于SPICE电路分析程序中的PET-GP模型。研究表明:可以采用两种方法来使用PET-GP模型。本文利用所研究器件的结构参数计算了PET-GP模型参数βF和特征频率fT。fT的计算和实验结果符合较好。βF的计算表明,所研究器件的多晶硅/硅界面复合较强,复合速度SP达到10^6cm/s。 相似文献
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77K下工作的双层多晶硅发射区RCA器件和电路 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了掺磷双层多晶硅 RCA器件和电路的制备工艺及其温度特性 .在工艺中采用自对准双极结构 ,生长一层 RCA超薄氧化层 ,并用快速热退火处理 RCA氧化层 .研制的多晶硅发射区 RCA晶体管不仅具有较低的电流增益 -温度依赖关系 ,而且还具有较快的工作速度 .首次制备出多晶硅发射区 RCA ECL静态二分频器在室温下其工作频率为 1.1— 1.2 GHz,在液氮温度下能够正常工作 ,工作频率可达 730 MHz. 相似文献
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首次采用多晶硅发射区 RCA技术制备出微波功率晶体管。在工作频率为 3 .1 GHz时 ,该器件输出功率达到 6W,功率增益达到 1 0 d B。与普通多晶硅发射区 HF晶体管相比 ,此种晶体管具有电流增益 h FE随温度变化小、并且在一定温度下达到饱和的优点 ,从而可以在一定程度上抑制微波双极功率晶体管由于温度分布不均匀导致的电流集中。文中还讨论了不同的杂质激活条件对 RCA器件直流增益的温度特性的影响及对微波性能的影响 相似文献
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射频功率晶体管发射极宽度的设计研究 总被引:2,自引:1,他引:1
本文以发射极电流集边效应理论的精确解为出发点,通过计算有效发射区宽度Seff,提出了射频功率晶体管发射极宽度的设计。作为应用实例,给出了工作频率分别为30MHz、108MHz、400MHz和1000MHz四个系列产品的发射极宽度优化设计的典型数据。 相似文献
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文章通过分析总剂量辐照机理和三极管结构总剂量辐照的瓶颈部位,比较普通和多晶发射极VNPN晶体管结构上的区别,指出多晶发射极结构具有更强的总剂量辐照能力。多晶发射极结构总剂量辐照能力增强是由于该结构EB之间存在多晶+薄氧化层的结构,该结构中多晶屏蔽了顶部厚氧化层辐照效应的影响,而普通结构EB之间则是厚氧化层结构,总剂量辐照能力弱。在对多晶发射极结构总剂量辐照关键部位的分析过程中,对多晶发射极三极管局部结构进行了进一步优化设计,最后给出了多晶发射极结构三极管的辐照实验结果,并对实验结果进行了分析。 相似文献
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S波段100W硅脉冲功率晶体管 总被引:2,自引:1,他引:1
报道了一种高增益高效率 S波段硅脉冲功率晶体管的研制结果。该器件在 f=2 .4~ 2 .6GHz,D=1 0 % ,τp=1 0 0 μs,Vc=36V条件下输出功率 1 0 0 W、增益 9d B、效率 50 %。在 f=2 .6GHz短脉宽条件下输出功率 1 60 W、增益 8.0 d B、效率 60 %。 相似文献