CMOS单片集成恒带宽放大模块

基于电流模式信号处理技术和电流跟随器、CMOSAB类放大器、反相电流镜等理论模型，并有赖于特别的版图设计与一系列先进的3μm硅栅CMOS单片化集成技术，已经获得了一种具有300kHz～1MHz恒带宽、0～20dB可调增益、5．6mW功耗的新型集成模块，该功能块突破了放大器增益带宽积为常数的传统约束，并可用于系统集成、生物电子学、智能功率集成电路（SPIC）与模拟信息处理诸电子学领域．     

差分式连续时间CMOS OTA-C双二阶滤波器

应用信号流图法，提出了一种新颖的差分式连续时间电压模式CMOS跨导-电害双二阶滤波器，系统地生成了各种差分式电压模式二阶滤波器；讨论了滤波器的极点特征参数与灵敏度；面向实际电路完成了MOS管级的计算机仿真．仿真结果表明所提出的电路方案正确有效．适于全集成。     

基于0.25μm MS/RF CMOS工艺的光电单片集成接收机设计

设计了一种单片集成的光电接收机芯片.在同一衬底上制作了基于同一工艺的光电二极管与接收机电路,以消除混合集成引入的寄生影响.这种单片集成接收机采用了先进的深亚微米MS/RF(混合信号/射频)CMOS工艺,利用这种新型工艺提供的新技术对原有光电二极管进行了改进,使其部分性能显著改善,并对整个光电集成芯片性能的提高有所帮助.     

单片集成CMOS电阻真空传感器

设计了一种工作在恒电压模式的、微热板结构的单片集成电阻真空传感器芯片.提出了一种以CMOS集成电路中的介质层与钝化层为结构层、栅多晶硅为牺牲层、第二层多晶硅为加热电阻的微传感器单芯片集成工艺模式,制定了相应的工艺流程.采用0.6μm CMOS数模混合集成电路工艺,结合牺牲层腐蚀技术实现了单片集成真空传感器的加工,测试结果显示该芯片能够测量2～105Pa范围内的气压大小,且输出电压范围可调,验证了单片集成工艺的可行性.     

单片集成CMOS电阻真空传感器

设计了一种工作在恒电压模式的、微热板结构的单片集成电阻真空传感器芯片.提出了一种以CMOS集成电路中的介质层与钝化层为结构层、栅多晶硅为牺牲层、第二层多晶硅为加热电阻的微传感器单芯片集成工艺模式,制定了相应的工艺流程.采用0.6μm CMOS数模混合集成电路工艺,结合牺牲层腐蚀技术实现了单片集成真空传感器的加工,测试结果显示该芯片能够测量2～10^5Pa范围内的气压大小,且输出电压范围可调,验证了单片集成工艺的可行性.     

单片集成低通波数字滤波器

本文报告了采用硬件复用技术集成的波数字低通滤波器，其中所有的加、减法和乘法都在一个带超前进位链的ＡＬＵ单元上分时进行．采用全定制方式进行版图设计，并用３μｍＣＭＯＳ工艺（单层金属）进行流片，芯片面积为６．１２ｍｍ×５．２８ｍｍ，测试结果表明，该滤波器的通带纹波系数小于０．００００７ｄＢ，阻带衰减大于１１２ｄＢ．     

单片集成接收机的研究与发展

本文探讨了四种类型的单片集成接收讥的结构、性能,生产工艺的发展状况,以及存在的问题和未来的发展趋势。     

集成连续时间滤波器

本文阐述了连续时间滤波器的发展现状和几种技术的优缺点,并给出了性能的仿真比较,最后还着重讨论了在实现高频连续时间滤波器时要注意的几个问题。     

射频电路的单片集成¹

射频电路是无线通讯中的一个关键部分,其性能的好坏将直接影响到整个系统的性能,本文介绍了用CMOS工艺实现射频电路单片集成的可能性,难点,目前的情况和前景以及最终实现射频IP（Intellectual Property)的意义。并提出了一条适合国内发展射频电路集成的途径。     

光电子与硅芯片能单片集成吗？

ＧａＡｓ光电子器件与微电子器件的集成呈现出了一些兼容性问题,这些问题会严重影响硅ＣＭＯＳ的性能。     

可变带宽OTA—C连续时间低通滤波器设计

实现了一种全集成可变带宽中频宽带低通滤波器,讨论分析了跨导放大器-电容（OTAc）连续时间型滤波器的结构、设计和具体实现,使用外部可编程电路对所设计滤波器带宽进行控制,并利用ADS软件进行电路设计和仿真验证。仿真结果表明,该滤波器带宽的可调范围为1～26MHz,阻带抑制率大于35dB,带内波纹小于0．5dB,采用1．8V电源,TSMC 0．18μm CMOS工艺库仿真,功耗小于21mw,频响曲线接近理想状态。     

电流模式高阶OTA-C高通滤波器的设计

提出了一种新的电流模式高阶OTA—C高通滤波器的设计方法。由该方法导出的滤波器具有最少的元件．n阶滤波器仅需n个OTAs和n个电容，所有的电容均接地，便于集成且与VLSI工艺兼容。文中给出了6阶滤波器设计实例，PSPICE仿真结果与理论分析相吻合，验证了该设计方法的可行性。     

基于CMOS的OTA—C带通滤波器设计

针对红外接收芯片对带通滤波器参数可调的要求,提出了一种二阶带通连续时间滤波器,该滤波器的中心频率、带宽和通带增益均可调,并可在0.5μmn阱CMOS工艺下实现集成。设计过程是基于现有的理论以及实际要求的综合考虑,采用了合理的电路结构,在cadence环境下仿真并得出了适用的结论.     

一种适用于心电信号检测的高阶连续时间OTA-C滤波器设计

提出一种适合心电信号（ECG）检测的OTA-C滤波器。为了达到低功耗、低截止频率、高直流增益、高阻带衰减、低谐波失真的目的,滤波器采用五阶巴特沃斯全差分低通滤波结构和高增益的两级单端输出OTA,其中OTA电路采用亚阈值区驱动、电流分流和源极负反馈等技术。采用SMIC 0.18-μm 1P6M CMOS工艺进行电路、版图设计及优化。仿真结果表明,滤波器在静态功耗为17.6 μW,截止频率为240 Hz,直流增益为-6 dB,阻带衰减为120 dB每十倍频,三次谐波失真小于-62 dB@ 400 mV,适合应用于心电信号检测模拟前端。     

A CMOS Monolithic Image-Reject Filter

A CMOS inductorless image-reject filter based on active RLC circuitry is discussed and designed with the emphasis on low-noise, low-power, and gigahertz-range circuits. Two -enhancement techniques are utilized to circumvent the low characteristics inherent in the simple feedback circuit. The frequency tuning is almost independent of tuning, facilitating the design of the automatic tuning circuitry. The stability and the tuning scheme of the filter are also discussed. Simulations using 0.6 m CMOS technology demonstrate the feasibility of the tunable image-reject filter for GSM wireless applications. Simulation results show 4.75 dB voltage gain, 9.5 dB noise figure, and –20 dBm IIP3 at a passband centered at 947 MHz. The image signal suppression is 60 dB at 1089 MHz and the power consumption is 27 mW.     

采用MEMS技术高选择性、电子调谐式低温滤波器

描述了一种使用HTS/AuMEMS 开关电容器阵的低插损电子调谐式滤波器。同步将每个谐振器的电容值以相同变化量变化,两极滤波器就得到调谐。单极谐振器在3500～5000之间的K 系数得到了证明。在77K 平均Q 值为7000 时的总调谐范围大约为25%。     

全平衡式OTA－C连续时间滤波器性能研究

本文讨论全平衡式ＯＴＡ—Ｃ滤波器的性能特点，分析表明，这种滤波器的优点是提高电源抑制比，提高信噪比，克服非平衡结构的高频畸变等。ＳＰＩＣＥ程序模拟结果证实了理论分析的正确性。     

基于单片机的多路模拟量采集模块设计

模拟量采集模块历来是工业电路设计中很常用的模块,是数字控制器与现实的接口转化单元,故该课题具有很好的实用价值。该系统的硬件部分以单片机为核心,还包括多路模拟电子开关模块、信号放大模块、模-数转换模块和串行接口模块。该文主要是要实现一个工业标准的16路模拟量采集模块。     

基于可编程跨导运算放大器POTA低通有源滤波器设计

该文给出了基于可编程跨导运算放大器(POTA)的有源滤波器设计方法,能在一定范围内实现跨导值程控调节, 提高调节精度和准确度。并且利用Jacobi法求解相似对角形矩阵,避免解高次方程的难题。所设计的有源滤波电路不易受分布电容的影响,稳定性好、灵敏度低。本文给出了设计实例,显示了该方法的优点。