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为了使静止型无功功率补偿器准确计算出系统非线性所需补偿的电流并进行实时补偿,分析了电压全周期过零检测电路的基本原理,给出了一种基于Protel 99SE仿真的无锁相环交流电压全周期过零检测电路,对所提出的电路进行了参数设计、仿真和实验,结果表明设计的无锁相环电压全周期过零检测电路的正确性和可行性。 相似文献
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本文构建了一种大功率网络模型,通过电流源对该网络进行冲击能够形成标准的罗兰 C 波形。文中分别对标准罗兰 C 电流波形的前沿阶段和后沿阶段的合成原理进行了分析计算, 同时仿真了网络模型在不同负载条件下的输入/输出特性,结合理论计算与仿真分析提出了较优的网络模型配置参数,并对适配天线的负载特性提出了设计要求。为罗兰 C 发射机系统的工程化研制提供理论及仿真设计支撑。 相似文献
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生物电阻抗扫描成像技术在妇女乳腺癌早期检查中要求采用高精度、多频率、相位可控的正弦激励源信号,输入到人体组织,通过检测响应信号来获取癌变组织的生理和病理信息。介绍了EIS(电阻抗扫描)的基本概念,重点介绍利用FPGA(现场可编程门阵列)实现DDS(直接数字频率合成)的原理;同时结合周期合成技术完成对激励信号和响应信号的采样,以满足EIS中成像需要,并给出了关键性Verilog代码。采用该方法设计的EIS激励源可以很容易地嵌入到EIS控制系统中,而不用专用DDS芯片,具有高性能、高性价比、电路结构简单等特点。 相似文献
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本文提出了一种用小波分析提取罗兰C信号周期识别特征的新方法,理论分析和计算机模拟结果表明新方法比传统的方法更能抗噪声,抗连续波干扰,采用该方法将有效的扩大罗兰C导航系统的作用距离。 相似文献
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一种基于BiCMOS工艺的差分压控振荡器 总被引:1,自引:0,他引:1
设计了一种Colpitts型LC振荡器。该电路采用差分结构,具有集成度高,噪声性能良好的优点。该设计基于0.8μm BiCMOS工艺,实现了中心频率为433MHz的Colpitts型差分压控振荡器(VCO)。电路采用3V电压供电,频率范围399.8~465.1MHz,偏离中心频率1MHz处的相位噪声是-137dBc/Hz。 相似文献
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基于IMS的全业务运营解决方案 总被引:1,自引:1,他引:1
IMS(IP Multimedia Subsystem,IP多媒体子系统)作为3G网络构架中的关键组成,将能更好地融合互联网和蜂窝网络。基于IMS,运营商将能够通过跨界漫游策略和多种接入方式,例如固网、移动网、宽带,来提供强大的多媒体服务,极大地增强用户的使用体验。本文将结合中国运营商的自身特点提出IMS全业务运营的组网方案,如何进行核心网络的改造和建设,来应对挑战。 相似文献
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This work describes the evolution of a CMOS based lateral high voltage (HV) technology concept, where the HV part is integrated in a low voltage (LV) CMOS technology. The starting point is an existing substrate related state of the art 0.35 μm LV CMOS technology (C35) which is optimized for digital and analog applications. The technology covers two different gate oxide thicknesses which allow to control two LV logic levels with different gate voltages and drain voltages (max.VGS=max.VDS=3.3V, max.VGS=max.VDS=5.5 V). The key requirement for the HV integration is to preserve the LV design rules (DR) and the LV transistor parameters. Only in this case it is possible to reuse the digital and analog intellectual property (IP) blocks. The major challenge of this integration is to overcome the relatively high surface concentration of the 0.35 μm CMOS process which defines the threshold voltages and the short channel effects. Because the HV devices use the same channel formation like the LV devices, a process concept for the drift region connection to the channel is the key point in this integration approach. A benchmark for the process complexity is given by the mask count (low volume production) and the number of alignments (high volume production). Starting from a very simple approach n-channel HV transistors are described which can be integrated in the substrate related LV CMOS concept without adding additional masks. During the next steps the LV CMOS process is modified continuously using additional masks and alignment steps. From each step to step the new HV properties are explained and the trade-off between process complexity and device performance is discussed. 相似文献
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王春华 《固体电子学研究与进展》1999,19(3):298-304
提出了一个基于单OTA的电压模式滤波器模型电路,该模型电路仅由一个OTA 及三个RC元件构成。由该电路可产生出一阶低通、一阶高通及二阶低通、二阶带通滤波器。各滤波器具有很低的灵敏度。与诸文献[1~5]的OTA滤波器相比,结构简单且三个RC元件中有两个接地,仅一个浮端,便于集成。文中还分析了各滤波器的截止频率和通频带,给出了电路的实验结果。 相似文献
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信息网格的研究中,关于客体的研究还相对较少且不成熟。文章结合中科院计算所织女星信息网格的工作,对信息网格客体——有效关系、虚拟关系和物理关系,运用全生命周期的方法进行了研究。文章提出了一种形式化表示方法,来刻画客体各个阶段的内部、外部行为和特点,其形式为:OLC(Operator,Data Schema,Operation,Context).该方法具有通用性,能够合理、有效的描述信息网格客体的全生命周期过程。 相似文献