无铅器件逆向转化有铅器件工艺

通过对有铅焊料与无铅器件混用的工艺性问题与质量问题进行分析,论述了无铅器件逆向转化为有铅器件的必要性;介绍了无铅器件焊端材料以及对逆向转化工艺的影响;提出并重点论述了有引线无铅器件、无引线无铅器件和球形焊端无铅器件逆向转化为有铅器件的工艺方法.     

一种硅微波功率三极管的失效分析

描述了硅微波功率三极管的失效模式,给出了器件输出功率与器件耗损功率的关系,得出了微波脉冲电流与有效值的关系,证明了器件在规定的参数范围内能可靠工作,推论了器件失效发生时的状态。指出器件的失效是热电正反馈熔融烧毁所致,是使用问题而不是器件的本质失效;其分析过程对其它器件的失效分析有指导作用。     

半导体器件与工艺综合

利用器件与工艺综合的思想,开发出自顶向下的新的器件和工艺设计方法,实现了该设计方法的MOSPAD软件,并利用MOSPAD系统做出了一定的综合结果. 做出了关于器件与工艺综合的两个实例,即对FIB器件的器件综合和对阱形成工艺模块进行的工艺综合,并证明了自顶向下的器件与工艺综合思想的可行性.     

半导体器件与工艺综合

利用器件与工艺综合的思想,开发出自顶向下的新的器件和工艺设计方法,实现了该设计方法的MOSPAD软件,并利用MOSPAD系统做出了一定的综合结果. 做出了关于器件与工艺综合的两个实例,即对FIB器件的器件综合和对阱形成工艺模块进行的工艺综合,并证明了自顶向下的器件与工艺综合思想的可行性.     

RST"与"逻辑发光器件探索研究

RST(实空间电荷转移)逻辑器件已能够实现"异或"、"或"以及"与非"功能.文中在分析RST器件、LD器件基本结构与工作原理的基础上,提出了一种新的器件结构,该器件结构将光发射器件和"与"逻辑器件纵向集成在一起,实现了"与"逻辑光发射功能.     

半导体金刚石与器件

本文介绍了半导体金刚石材料的结构、光电特性及其器件的特点,总结了与器件制备相关工艺的发展和这种器件的研制历史与现状,同时还指出了金刚石器件走向实用化所需克服的困难。     

LDMOS开关在不同频率下的热安全工作

研究了LDMOS器件内部的最高温度与开关频率之间的关系.结果表明:在较高频率工作时,器件内部的最高温度与器件的热容、功耗、占空比和连续工作时间有关,而与器件的热阻和信号周期无关,器件会一直处于升温状态;在较低频率工作时,器件内部的最高温度还与器件的热阻和周期有关.所得结果可作为功率器件在各种频率下工作时热安全工作的参考.     

高压SOI PLDMOS的寄生双沟道特性分析及其改进结构

分析了存在于高压SOI PLDMOS器件中的寄生双沟道效应的产生机理,并提出了改进型的新结构.该结构有效地抑制了SOI PLDMOS器件的寄生双沟道效应,不但显著提高了器件的击穿电压,同时还改善了器件可靠性.借助二维器件仿真分析了器件耐压与电场分布和器件结构的关系.模拟结果表明,该结构使器件耐压由传统结构的109 V提高到213 V,突破了传统SOI PLDMOS器件的耐压值,明显地改善了器件特性.     

LDMOS开关在不同频率下的热安全工作

研究了LDMOS器件内部的最高温度与开关频率之间的关系.结果表明:在较高频率工作时,器件内部的最高温度与器件的热容、功耗、占空比和连续工作时间有关,而与器件的热阻和信号周期无关,器件会一直处于升温状态;在较低频率工作时,器件内部的最高温度还与器件的热阻和周期有关.所得结果可作为功率器件在各种频率下工作时热安全工作的参考.     

700V高压LDMOS器件瞬态失效机理研究

详细分析了700V横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件瞬态失效机理的特性。研究表明触发器件寄生晶体管开启的失效功率不仅与器件内部温度有关,同时也与电场分布有关。器件温度影响寄生阱电阻和衬底电流的大小,而电场分布影响器件内部碰撞电离。器件温度与电场分布均与栅脉冲参数有密切关系。为了阐述栅脉冲参数对器件温度的影响,模拟仿真了器件的热响应曲线。     

90 nm PDSOI MOSFET 热阻研究

对90 nm PDSOI MOSFET的热阻进行了提取与研究.以H型栅MOSFET为研究对象,将源体二极管作为温度敏感器,通过测量源体结电流与器件温度的关系以及源体结电流与器件功率的关系,获得MOS器件功率与器件温度的关系,从而获取MOS器件热阻值.实验结果表明,该工艺下PMOS器件的热阻比NMOS器件大,其原因是PM...     

量子点发光器件的制备与仿真分析

为研究量子点发光器件结构与性能的关系,制备了以CdSe/ZnS量子点作为发光层、poly-TPD作为空穴传输层,Alq3作为电子传输层的量子点发光二极管,对器件结构及性能参数进行了表征,结果显示器件具有开启电压低、色纯度高等特点.结合测试数据,对量子点发光二极管进行了器件结构建模,利用隧穿模型及空间电荷限制电流模型对实验结果进行了分析,研究了器件中载流子的注入与传输机理.器件测试与仿真结果表明:各功能层厚度会影响载流子在量子点层的注入平衡,同时器件中载流子的注入与传输存在一转变电压,当外加电压低于转变电压时,器件中载流子的注入主要符合隧穿模型;当外加电压高于转变电压时,器件中载流子的注入主要符合空间电荷限制电流模型.研究结果验证了器件结构建模的合理性,可以利用仿真的方法进行器件结构优化并确定相关参数,这对器件性能的提高具有指导意义.     

RTD与PHEMT集成的几个关键工艺

在新型的共振隧穿二极管(RTD)器件与PHEMT器件单片集成材料结构上,研究和分析了分立器件的制作工艺,给出了分立器件的制作工艺参数.利用上述工艺成功制作了RTD和PHEMT器件,并在室温下分别测试了RTD器件和PHEMT器件的电学特性.测试表明:在室温下,RTD器件的峰电流密度与谷电流密度之比提高到1.78;PHEMT器件的最大跨导约为120mS/mm,在Vgs＝0.5V时的饱和电流约为270mA/mm.这将为RTD集成电路的研制奠定工艺基础.     

微波功率器件及其材料的发展和应用前景

本文介绍了微波功率器件的发展和前景,对HBT、MESFET和HEMT微波功率器件的材料的特点和选取,以及器件的特性和设计做了分类说明。着重介绍了SiGe合金、InP、SiC、GaN等新型的微波功率器件材料。并对目前各种器件的最新进展和我国微波功率器件的研制现状及与国外的差距做了概述与展望。     

1×10硅雪崩光电二极管单片列阵

随着空间高密度通信技术的不断更新和发展,将发光器件和光电探测器件列阵化已成了当务之急。因为与用相同数量的分立器件组合起莱的装置相比,列阵化后的器件装置不仅体积小,而且比较容易实现与纤维光缆耦合。此外,列阵上只加一个电压源就能得到与分立器件同样好酌特性,这就大大地减少了分立器件组合装置所需的电源。     

蓝宝石衬底AlGaN/GaN共栅共源微波HEMTs器件

报道了蓝宝石衬底AlGaN/GaN共栅共源器件的制备与特性.该器件包括栅长为0.8μm共源器件与栅长为1μm的共栅器件.实验表明,共栅器件的第二栅压会显著影响器件饱和电流与跨导特性,从而控制功率增益.与共源器件相比,共栅共源器件表现出稍低的fT、较低的反馈、显著增加的功率资用增益及较高的端口阻抗.     

液晶材料与STN型液晶盒制造工艺的适应性探讨

本文叙述了在TN型液晶器件制造过程中,液晶材料的选择特点,STN型液晶器件与TN型液晶器件液晶材料选择的区别及STN型液晶器件的液晶材料选择要点,最后本文还对STN型液晶器件制造过程中液晶材料的选择与配制作了简要概述。     

硅基PIN光电探测器结构参数对其性能的影响

对硅基PIN光电探测器器件模型进行了理论分析,讨论了硅基PIN光电探测器的I-V特性与器件的i层厚度和整体宽度的变化关系,并进行了仿真分析。实验结果表明,随着i层厚度从5μm增加到70μm,器件的正向电流逐步减小,且i层厚度与其正向电流成反比;随着器件宽度从50μm增加到90μm,器件的正向电流逐步增大,且器件宽度与其正向电流成正比;引入保护环结构可以明显降低器件的暗电流。对PIN器件的结构参数进行了优化设计,结果表明在所设置的器件工艺条件下,当器件的i层厚度为50μm、整体宽度为70μm时,器件的性能最佳。     

SiGe器件及其研究综述

阐述了ＳｉＧｅ器件的主要研究方向以及国内外对ＳｉＧｅ材料和器件的研究情况,并对ＳｉＧｅ器件与Ｓｉ器件和ＧａＡｓ器件的发展前景进行了比较。     

蓝宝石衬底AlGaN/GaN共栅共源微波HEMTs器件

报道了蓝宝石衬底AlGaN/GaN共栅共源器件的制备与特性.该器件包括栅长为0.8μm共源器件与栅长为1μm的共栅器件.实验表明,共栅器件的第二栅压会显著影响器件饱和电流与跨导特性,从而控制功率增益.与共源器件相比,共栅共源器件表现出稍低的 f T、较低的反馈、显著增加的功率资用增益及较高的端口阻抗.