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本文在表面基模型基础上,借用半导体物理中复合/产生概念,提出了表现基/复合中心,工研究了含两种类型表面基的Si3N4绝缘体及其两种面基的比率对Si3N4栅PH-ISFET敏感性能和性的影响,其结果与实验结果相符。对改善PH-ISFET传感器的敏感特性具有实际指导意义。 相似文献
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用激光化学气相沉积法制备出平均粒径为10nm的 a-Si_3N_4纳米粒子,对不同浓度的 a-Si_3N_4纳米粒子溶液进行了紫外吸收及荧光光谱测试,并首次在3.0~4.1 eV范围发现6个荧光峰.根据吸收及荧光光谱研究其能级结构,描述了a-Si_3N_4纳米粒子的物理结构图像,验证了硅悬挂键Si~O在a-Si_3N_4纳米粒子光谱性质中的主导作用. 相似文献
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Si3N4绝缘栅中两种表面基对pH—ISFET器件敏感特性的影响 总被引:3,自引:1,他引:2
在表面基模型理论基础上,本研究了含两种表面基的Si3N4绝缘体主其两种表面基的比例系数对pH-ISFET器件敏感特性的影响。在硅西/胺基=7/3附近时,得到电解液-绝缘体界面势对pH值的灵敏度最大,且线性响应范围宽。 相似文献
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采用传统的固相烧结工艺制备3种不同摩尔比的(1-x)BiFeO3-xCoFe2O4(简称(1-x)BFO-xCFO,x为摩尔分数,且x=0.1,0.3,0.5)复合陶瓷样品,并分析了其在室温和变温下的介电性能。研究结果表明,室温下陶瓷样品的介电常数和介电损耗均随CFO含量的增加而降低;当频率大于100kHz时,样品的介电常数随CFO含量的增加而变化不大;当x(CFO)=0.1时,样品在高频时介电损耗变小,而当x(CFO)=0.3或0.5时,陶瓷样品的介电损耗明显大于纯BFO陶瓷的介电损耗。在高温情况下,由于CFO的添加使陶瓷样品存在更多的缺陷活化及CFO所造成的漏电流,使样品在低频时的介电常数与介电损耗都变得很大。在100kHz频率下的交流导电率均随着温度的增加而减少;且相同温度下样品中包含的CFO含量越大其交流导电率也越大。当x(CFO)=0.3和0.5时,复合陶瓷样品的交流导电率随温度的变化规律几乎相同,且它们在相同温度下的交流导电率比纯BFO的大5~6个数量级。 相似文献
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Ti-6A1-4V表面激光熔覆钛基复合涂层的微观组织及形成机制 总被引:2,自引:0,他引:2
Titanium matrix composite coatings were fabricated on Ti-6A1-4V substrate by laser cladding using powder mixtures of Ti Cr3C2 and Ti TiB2, respectively. The chemical compositions and mi-crostructures of the coatings were analyzed using scanning electron microscope (SEM), energy dispersive spectrometer (EDS) and X-ray diffraction (XRD). Microhardness was measured by a microhardness tester. The results showed that Cr3C2 particles were dissolved and deposited to form dendritic TiC in the upper section and spherical grain TiC in the bottom of Cr3C2 Ti coating. Most of TiB2 was dissolved in the molten pool by laser irradiation, then formed TiB with fine needles and coarse needles in the TiB2 Ti coating. A few quasi-melted TiB2 particles with irregular shape at the bottom of the coating were observed. The average microhardnesses were approximately HV850-V1000, HV800-V1050 in the Cr3C2 Ti and TiB2 Ti coating, respectively, which were 2-3 times higher than that of Ti-6A1-4V substrate. 相似文献
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氮化硅晶须显微结构的研究 总被引:5,自引:0,他引:5
利用透射电子显微镜对气固相法制备的α-Si_3N_4和β-Si_3N_4晶须的显微结构进行了研究。实验发现α-Si_3N_4晶须具有何(1010),(1011)和[0001]三个生长方向,并且α-Si_3N_4晶须中有大量的生长缺陷。而β-Si_3N_4晶须的生长方向只有(1010)一个,且几乎观察不到任何缺陷。 相似文献
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开发了一种全新的等离子增强化学汽相淀积氧化硅和氮化硅薄膜制作技术,并首次将其成功地用于半导体功率器件芯片的钝化工艺,提高和保证了器件的性能和可靠性。 相似文献
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薛舫时 《固体电子学研究与进展》2011,31(4):319-327
把Si3N4/AlGaN界面看成新的异质结,自洽求解薛定谔方程和泊松方程,建立起原位钝化和CATCVD钝化异质结构的新能带模型.运用这一模型,研究了原位钝化和CATCVD钝化异质结沟道阱的电子气密度、能带结构和输运性能,解释了相应的实验结果.在此基础上研究了这些新钝化异质结沟道阱能带的优化设计.优化设计的钝化复合势垒沟... 相似文献
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采用sol-gel法在FTO/玻璃底电极上制备了BiFeO3/Bi4Ti3O12多层薄膜。研究了室温下薄膜的结构,铁电和漏电流性质。结果表明,相对于纯的BiFeO3薄膜,BiFeO3/Bi4Ti3O12多层薄膜具有更低的漏电流,表现出较强的铁电性,在4.40×105V/cm的测试电场强度下,剩余极化强度为3.7×10–5C/cm2。在2.00×105V/cm的测试电场强度下,BiFeO3和BiFeO3/Bi4Ti3O12薄膜的漏电流密度分别为10–5和10–7A/cm2。 相似文献
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(Bi4-x,Lax)Ti3O12铁电陶瓷性能研究 总被引:2,自引:0,他引:2
采用溶胶-凝胶(Sol-Gel)技术制备了(Bi4-x,Lax)Ti3O12(BLT)干凝胶粉体,并用此粉体制备了陶瓷。利用XRD、SEM等手段分析表征了陶瓷的结构、表面形貌及介电性能。结果表明,采用本文工艺技术制备的陶瓷为类钙钛矿结构,表面致密,陶瓷的极化场强约为4.5kV/mm;BLT陶瓷介电性能为:介电常数ε=425(1kHz),介电损耗tanδ=0.05(1kHz)。掺杂量的研究表明,当x≥0.4时,La的引入对介电常数和介电损耗有较大的影响,即使介电常数升高,介电损耗降低。 相似文献