微波MEMS移相器的特性分析与实现

从移相器的基本原理出发,分别介绍了开关线型、耦合器型和加载线型三种采用微机械加工技术制备而成的微波MEMS移相器的结构特点和工作原理。在此基础上,设计制备了CPW分布式加载线型MEMS移相器,并进行测试和分析,结果表明MEMS移相器较传统的移相器有微型化、低损耗、低成本、宽带等突出优点。     

一种铁氧体移相器控制系统的设计

首先,阐述了一种铁氧体移相器控制系统,包含波控与移相器驱动电路两部分;然后,由项目设计角度出发,详细介绍了基于FPGA的波控电路设计方法,以及移相器位数与单位脉宽的关系;最后,阐明了移相器工作原理和移相器驱动电路的构成.     

一种低磁化电流铁氧体移相器的研究

从理论上分析了双线磁化移相器的原理,并进行了实验验证,得出了双线磁化移相器比单线移相器有明显的优越性,其磁化电流是单线移相器的一半。文中列举了典型双线移相器的性能,其磁化峰值电流只需６～７Ａ,而其他性能没有明显变化,这对于相控阵雷达波控器和激励器长期、可靠、稳定地工作是一很好的措施。     

毫米波MEMS移相器模块用驱动电路研究

设计了一种4 bit毫米波MEMS移相器驱动电路,主要由24 bit串并转换电路、高压控制电路和升压电路组成。利用24 bit串并转换电路和高压控制电路,实现了波控机控制系统与MEMS移相器的接口转换,满足毫米波MEMS移相器对正反相驱动电压的要求。采用升压电路,实现了5 V电压向80 V毫米波MEMS移相器驱动电压的DC/DC转换。测试结果表明,设计的MEMS移相器驱动电路实现了对4 bit MEMS移相器的16态相移控制,驱动电路的静态电流仅为12.4 mA@5 V,满足了毫米波MEMS移相器对驱动信号的要求和相控阵天线演示系统对低功耗的要求,解决了毫米波MEMS移相器低成本驱动问题。     

太赫兹移相器研究现状

作为太赫兹(THz)相控阵的关键组件,实现实用的THz移相器是亟待解决的热点难题。本文以太赫兹移相器的实现手段为中心,着重介绍了依靠材料特性的液晶移相器和石墨烯移相器以及借助先进工艺技术的微机电系统(MEMS)移相器和InP基底移相器,并从应用角度分析比较了不同实现方法的优势和存在的问题。另外,本文还对MEMS技术实现较低频段太赫兹移相器的可行性和发展前景进行了剖析,阐明其制约因素和技术难点。     

光子学射频移相器的研究及进展

本文介绍了光实时延迟线移相器、光学外差SSB射频移相器和基于矢量和技术的光子学射频移相器,并对其各自的工作原理和技术特点做了分析.     

微波和毫米波铁氧体移相器

本文详细论述了微波频段普遍使用的三种铁氧体移相器(即双环铁氧体移相器、双模铁氧体移相器和旋转场铁氧体移相器)的性能,讨论了由铁氧体饱和磁化强度值所确定的这三种器件的使用频率。     

移相器对电调天线的影响分析

作为电调天线最核心的部件,移相器的选择将直接影响到天线整机的性能.目前,基站天线行业普遍使用的移相器主要有以下两种类型:介质移相器、带线耦合移相器.重点针对介质移相器和带线耦合移相器进行分析,研究探讨其对天线整机性能的影响,以及在设计和应用移相器的过程中需要关注的要点,为电调天线的设计和进一步发展提供参考.     

集成光学移相器波长相关性的比较研究

移相器是一种常用的集成光学结构,其相移值的波长相关性决定了移相器的工作波长范围。针对移相器的波长相关性,文中对两种集成光学移相器设计方案（长度差方案和折射率差方案）所设计的二氧化硅基集成光学移相器进行了实验研究。在马赫-曾德尔干涉仪（MZI）的两干涉臂之间,采用两种移相方案分别设计制作180移相器,通过测试MZI的插入损耗与波长的依赖关系对两种移相器的波长相关性进行了比较。研究结果显示,折射率差方案所设计移相器的工作波长范围大约是长度差方案的1.8~1.9倍。这一实验结果与理论计算吻合,证明了折射率差方案设计的移相器的相移值波长相关性更小,因而具有更宽的工作波长范围。     

过尺寸毫米波圆极化移相器

毫米波铁氧体移相器由于尺寸很小，铁氧体材料的脆性很大给加工和装配这种移相器带来很大困难。本文提出在毫米波移相器中采用过尺寸波导，使移相器截面尺寸增大了1．56倍，从而大大降低这种移相器的加工、装配困难，使整个相控阵天线的成本得以降低。     

最新网络三层分组交换技术及其应用

分析了局域网中网段划分所带来的网段中子网路由必须依赖传统路由器所造成的网络”瓶颈”问题 ,详细介绍了网络三层分组交换技术的基本原理和拓扑结构 ,给出了其软硬件实现的原理图 ,并指出了它的特点。最后 ,简要讨论了三层分组交换技术在各类网络中的应用及其发展前景     

后整转时代中小城市数字电视的发展

提出后整转时代中小城市广电网络公司如何继续发展数字电视并保持竞争力问题,同时指出"巩固整转率,提高定购率,提升满意率,增强竞争力"是当前切实可行的举措。     

三网融合产业发展探析

介绍了三网融合的基本概念和发展历程,简析了三网融合的行业实践特点,探讨了其发展的意义和产业前景,最后概述了三网融合试点方案的核心内容,指出三网融合的发展方向。     

Design of a 16 way radial microwave power divider/combiner with rectangular waveguide output and coaxial inputs

In this paper, design of a radial power combiner at microwave frequencies has been presented. This structure combines 16 coaxial inputs together and creates one rectangular waveguide output of type WR-187. Although complexity of the proposed combiner compared to combiners with coaxial output has increased, its return loss and VSWR have been improved. In order to achieve a good matching in its high frequency response, a fast tune technique has been applied to design procedure. In its design, a rectangular waveguide has been used together with its radial structure but symmetry among its ports and its phase and amplitude deviations have remained at standard values. Also, in its design, in order to avoid corona breakdown strength of electric field has been controlled and reduced.     

电子货币的关键技术及其研究进展

电子货币由于具有匿名等特性,一直是电子支付工具研究的热点之一。本文描述了这一研究热点的基本概念,归纳其主要特性和研究中应用的关键技术,最后介绍它的研究进展。     

集成光收发芯片中激光器调制特性研究

文章从理论上研究了一种应用于光纤到户(FTTH)网络中的基于单片集成的双端口光收发芯片,结合器件的结构和参数分析了该产品的直接调制特性,计算了其驰豫振荡、增益抑制和频率啁啾,得到了该器件的直接调制频率限制和频率啁啾效应下的输出光场表达式,并通过仿真分析得出了高频直接调制频率啁啾下的输出光频谱.     

数字HDTV地面广播传输方法──第六讲 正交频分复用技术的应用

正交频分复用（ＯＦＤＭ：ＯｒｔｈｏｇｏｎａｌＦｒｅｑｕｅｎｃｙＤｉｖｉｓｉｏｎＭｕｌｔｉｐｌｅｘｉｎｇ）因其在抗多径衰落方面的优越性能，并且实现起来比较简单、频谱利用率高，得到了广泛的应用。本文介绍了ＯＦＤＭ的原理及其利用ＦＦＴ技术实现的方法，然后介绍了ＯＦＤＭ在数字化ＨＤＴＶ４面广播中的应用。     

利用可编程技术实现交流自动卸载

叙述通信机房的交流供电系统负荷过载引起的问题及其原因，提出利用可编程控制技术实现交流供电自动卸载的方法，并且论述了实现该方法的工作原理和电路设计及其应用意义。     

微电铸技术及其工艺优化进展研究

随着微机电系统(MEMS)和微影微电铸微模铸(LIGA)两种技术的发展,微电铸工艺正逐渐展现着其独特的魅力和发展潜力。然而,现有工艺中存在的缺陷也严重阻碍了其进一步发展。因此,对微电铸工艺进行深入研究,突破其工艺瓶颈,将对微加工工艺的应用和推广起着重要作用。着眼于目前微电铸工艺中存在的不足,从工艺缺陷的理论形成机理出发,总结了近期微电铸领域在工艺缺陷的改进方面所做出的努力及成果,并对微电铸工艺未来的发展趋势提出了一些看法。     

毫米波GaAs pin单刀单掷开关单片

采用GaAs pin二极管,完成了15～40GHz的单刀单掷开关单片的设计、制作.GaAs pin二极管SPST开关单片具有低插损、高隔离、高功率的特点,在15～20GHz带内插损0.6dB,驻波优于1.5,隔离度大于40dB;在20～40GHz带内插损小于1.1dB,驻波优于1.35,隔离度大于35dB.pin二极管SPST开关单片的1dB功率压缩点P-1大于2W.GaAs pin二极管开关单片采用MOCVD生长的GaAs 纵向pin二极管材料结构,76mm GaAs圆片工艺加工制作.