LiNbO3电光调制器行波电极微波等效折射率的测量

LiNbO3电光调制器的设计中,行波电极的微波等效折射率是一个重要的参数。该文通过自行设计的微波探针架及探针,采用差值的方法,在微波网络分析仪上对样品CPW电极的微波等效折射率进行了测量,分析了实测值与理论计算值的偏差,给出了修正因子,研究了微波等效折射率随频率变化的色散现象,并对这种测量方法进行了误差分析,提出了减小误差的方法。     

用于光纤陀螺的LiNbO3集成光学器件

本文报道用于光纤陀螺(FOG)的LiNbO_3集成光学(IO)器件及其技术。介绍制作LiNbO_3波导的扩散和质子交换两种技术,叙述了国内外近年研制和生产的FOG用多功能集成光学芯片及LiNbO_3相位调制器,给出了它们的结构、性能和封装(光纤耦合)技术。对国内外发展状况的综述表明,在这个技术领域,国内研制的器件的性能,已接近国外80年代末的水平。     

LiNbO3电光调制器行波电极微波等效折射率的测量

LiNbO3电光调制器的设计中，行波电极的微波等效折射率是一个重要的参数。该文通过自行设计的微波探针架及探针，采用差值的方法，在微波网络分析仪上对样品CPW电极的微波等效折射率进行了测量，分析了实测值与理论计算值的偏差，给出了修正因子，研究了微波等效折射率随频率变化的色散现象，并对这种测量方法进行了误差分析，提出了减小误差的方法。     

LiNbO3电光调制器的优化设计与制作

铌酸锂晶体有良好的光声和电光性质,因而基于铌酸锂的集成光学器件已引起人们广泛关注。利用LiNbO3作为介质材料,设计M-Z干涉型强度调制器。选用低损耗的质子交换光工艺技术制备光波导。对质子交换铌酸锂光波导的制作工艺、波导特性及其应用进行了研究。对电极结构进行了优化设计。     

Ti:LiNbO3电光调制器中复杂截面形状行波电极系统微波损耗系数的计算和分析

本文给出了一种采用有限元法利用电感增量公式计算Ti:LiNbO3电光调制器中复杂截面形状行波电极系统微波损耗系数的计算方法.这一方法得到计算结果与其它计算方法所得的计算结果吻合较好.对本实验室和已发表文献中的一些调制器电极结构进行了计算,分析了计算和实测值偏差的原因,给出了在设计宽带Ti:LiNbO3电光调制器电极系统时微波损耗系数的修正因子.     

高速LiNbO3电光调制器的最新研究进展

综述了高速LiNbO3电光调制器的最新研究进展。重点介绍了近年来国外对调制器结构和工艺的改进,并报道了两种新结构形式的LiNbO3调制器。对高速LiNbO3调制器的商用化状况进行了概述,并对其在国内的研究方向提出了建议。     

脊波导结构LiNbO3电光调制器研究与改进

采用有限元软件Ansys、运用有限元法,对脊波导结构铌酸锂电光调制器进行了优化设计。通过将传统结构与脊波导的比较分析,提出采用聚四氟乙烯部分取代缓冲层中的二氧化硅的结构,能更好的实现微波等效折射率的降低以达到与光波折射率的匹配,同时能保持更大的特性阻抗以实现阻抗匹配,从而更好的提高器件性能。     

基于LiNbO3调制器的40GHz宽带调制光源的设计

介绍了基于LiNbO3电光强度调制器的40GHz宽带调制光源的设计.对其中的关键技术,如直流激光器稳态工作、调制器输出功率稳定性、频率响应预失真补偿以及整体设计等逐一加以分析,并提出解决方案.成功实现了基于LiNbO3电光强度调制器的宽带调制光源,并对该高速光源进行了一系列性能和指标测试.光源的频率响应3dB带宽达到40GHz,可用于40GHz频率范围内光电子器件频率响应特性测试,同时也满足SDH/SONET传输实验要求.     

X切LiNbO3脊形结构集成电光M-Z型调制器

采用X切LiNbO3 基片 ,设计并研制了脊形结构集成电光Mach Zehnder(M Z)波导调制器 ,实验研制过程包含关键的LiNbO3 基片湿腐蚀刻槽技术和大厚度电极制作技术。研究结果表明 ,脊形结构调制器与传统的平面结构调制器相比 ,在大幅度提高调制带宽方面 ,有着明显的优越性     

Mach—Zehnder型GaAs／GaAlAs行波光调制器的微波特性分析

提出利用n^ 重掺杂层的慢波效应研制Mach-Zehnder干涉型行波光调制器,并通过在相对介电常数εr中引入与电导率有关的虚部σ/ωε0,拓展了直线法对介质损耗的计算,文中指出在这种共面微带线中奇模和偶模的不同作用,重点分析和研究了器件行波电极的微波特性,从而设计出理论上可达46GHz带宽的高速光波导调制器。     

基于LiNbO3调制器的40GHz宽带调制光源的设计

介绍了基于LiNbO3电光强度调制器的40GHz宽带调制光源的设计.对其中的关键技术,如直流激光器稳态工作、调制器输出功率稳定性、频率响应预失真补偿以及整体设计等逐一加以分析,并提出解决方案.成功实现了基于LiNbO3电光强度调制器的宽带调制光源,并对该高速光源进行了一系列性能和指标测试.光源的频率响应3dB带宽达到40GHz,可用于40GHz频率范围内光电子器件频率响应特性测试,同时也满足SDH/SONET传输实验要求.     

基于铌酸锂调制器的超短光脉冲源的研究

提出了一种基于商用化的铌酸锂调制器产生超短光脉冲的方法.直流光依次经过相位调制器和强度调制器调制,利用色散补偿光纤(DCF)和梳状色散光纤链(CDPF)对调制产生的光脉冲分别进行啁啾补偿、非线性压缩.压缩后的光脉冲注入高非线性光纤(HNLF),利用其自相位调制效应(SPM)展开脉冲光谱后滤波,可以有效地消除光脉冲的基座,实现光脉冲的整形.获得了10GHz的1.8ps无基座近变换极限光脉冲.     

160GHz带宽LiNbO3电光调制器微波损耗的限制

本文通过模拟LiNbO3电光调制器的电传输特性,提出了厚电极共面波导（CPW）行波电极微波损耗的经验公式,在此基础上研究了带宽为160GHz的调制器的微波损耗因素。结果表明,辐射损耗将占重要地位,而且小的电极尺寸更易实现宽带调制。     

铌酸锂波导调制器的相位漂移机理

铌酸锂波导调制器的相位漂移是其主要失效模式之一.分析了外电场、温度、机械应力等外场作用对铌酸锂波导调制器相位稳定性能的影响,并提出了相应的解决措施,以提高铌酸锂波导调制器的调制相位稳定性.     

铌酸锂马赫-曾德调制器零点漂移特性的研究

对铌酸锂马赫-曾德调制器(MZ-LN)调制特性曲线、半波电压和零点电压进行了测量.实验表明调制特性曲线存在一定的偏移,调制器的零点电压存在严重的漂移现象.实验研究了零点漂移对NRZ码和DPSK信号的影响,指出零点漂移与调制器的残留电压有关,产生原因来自于内部结构存在的电荷储存效应.     

用于微波光子系统的铌酸锂集成电光调制器研究

设计和制作了一种高速铌酸锂电光调制器。波导采用双Y定向耦合器型结构以提高线性度,同时能够提高工艺容差;电极采用CPW行波电极结构。通过分析比较不同相速匹配程度及微波损耗程度对电极系统带宽的影响,选择合适的设计参数及工艺参数,制作的调制器样品插入损耗为3dB,开关消光比为34dB,偏置电极半波电压为7V,行波电极半波电压为5.5V,电反射小于-10dB,6dB调制带宽约18GHz,可实现0～18GHz模拟调制。     

脊形结构LiNbO3光波导调制器的扩展点匹配法分析

将点匹配法扩展应用于脊形结构LiNbO3光波导调制器电极的准静态分析中。将调制器各区域的势函数表示为该区域中满足Laplace方程的一系列基函数的级数，匹配边界上有限个点的边界条件以确定出级数项的系数。通过势函数得到脊形结构LiNbO3光波导调制器结构中电场分布的解析表达式，利用求得的电场可以得到调制器特性阻抗及有效折射率。所得的特性阻抗和有效折射率与采用有限元法得到的结果十分吻合。这一分析方法简便快捷，精度高，能够处理电极有一定厚度的多层光波导调制器结构。     

集成光学M—Z调制器的行波电极电场的有限元分析

报道了一种运用MATLAB语言对集成光学M－Z调制器行波电极的电场进行有限元分析的方法,得到了令人满意的计算结果,程序的运算时间缩短到原来的1／12。