可检测化学制剂和生物制剂的生物传感器

美国田纳西大学(位于美国田纳西州诺克斯维尔)的研究人员利用由生物工程技术制成的、存在杂质时会发出蓝绿辉光的微生物,开发成功一种基于芯片的环境生物传感器样品。这种被称为生物发光型生物指示器IC(bioluminescent bioreporter IC,简称BBIC)的器件技术可在众多的应用(从航天器到反恐)中巧妙地检测出氨、锌等各类化学物质。     

用硅二极管探测激光信号

1 问题 某客户需要采集硅二极管搜索激光束时输出的信号.这种典型信号所处的范围:幅度为20MV～1V,长度为0ns-15ns之间.     

用光学技术探测MEMS的性能

一种基于光压和干涉的激励／探测方法可表征微电机械系统(MEMS)万向反射镜阵列的特性。这种全光技术除能精确地完成非接触式的工艺监控，也使远距离操作微光电机械系统成为可能。     

光学和红外辐射的探测

本教科书主要阐述了光学和红外探测的原理,并且介绍了探测器的物理特性以及探测器若干应用。全书共有十一章:①热辐射和电磁波形;②理想光子探测器;③相干或外差探测;④放大器噪声及其对探测器性能的影响;⑤真空光电探测器;⑥半导体器件     

锗硅纳米晶材料光学性质的第一性原理研究

为了研究锗硅纳米镶嵌结构的光学性质与晶粒尺寸之间的关系,采用基于第一性原理局域密度泛函理论的平面波近似方 法对SiO2基质中的不同纳米晶粒模型进行了模拟计算,并分析了其能带结构、态密度和光学性质。结果表明,锗晶结构和硅晶结构分别 在费米能级以上3.3eV及4.3eV附近引入中间能级;微小尺寸晶粒的光吸收边随晶粒尺寸的增大先红移后蓝移。本文关于锗硅纳米晶结构 的可见光发射来自界面处缺陷的说法具有较高的可信度。镶嵌于SiO2基质中的锗纳米晶和硅纳米晶存在适用量子限制模型的最小尺寸限。 这些结论为改进材料的光学性能和深入研究纳米镶嵌材料的发光机理提供了一定的依据。     

用硅光电负阻器件产生光学双稳态

本文利用作者近期研制出的硅光电表面负阻晶体管（PNEGIT），首次提出并通过实验成功地实现了一种新的光学双稳态即以PNEGIT作为光输入器件，用它驱动一发光管（LED）作为光输出器件，由于PNEGIT具有负阻输出特性，致使LED输出光功率（POUt）一输入光功率（Pin）特性上出现光学双稳环．这种器件具有光开关、光逻辑、光存贮等多种功能，将为硅光电器件在光信息处理、光计算、光通讯等领域中的应用，开辟一条新途径     

用CO2激光制造化学催化和半导体掺杂用的超精细粉末

激光生产的超精细粉末，在许多潜在的应用方面目前已受到人们的注意。这些应用包括陶瓷制造，化学催化和半导体器件制造，可以把这些粉末制成均匀、亚微末大小的微粒，此微粒的特征是表面／体积比很大，这种表面／体积比很大的微粒在催化作用和陶瓷制作中很重要。粉末成团粒、容易压制成型，而且制成悬胶液仍然一样稳定，其化学成分也可以精确控制。     

用SAW延迟线振荡器探测微量化学气体

证明了SAW延迟线振荡器的谐振频率对淀积在延迟线表面上的有机薄膜很敏感。理论指出SAW器件对质量负载的灵敏度取决于谐振频率的平方。用谐振频率为31,51和112MHz涂有严格控制成分及厚度的有机膜的器件对这个关系进行了实验研究。若器件用上合适的吸附性涂层,可将SAW振荡器的质量灵敏度用于制造非常灵敏的化学传感器。从工作频率为290MHz的SAW延迟线振荡器(是迄今所报道过的最高频率的SAW化学传感器)得到的结果表明,要对浓度大体低于1×10~(-4)(以体积计)的有机气体进行快速探测是容易办到的。     

用硅离子注入SiO2层方法制备的纳米硅的光学性质

报道了用硅离子注入热氧化生长的SiO2 层后热退火的方法制备纳米硅样品,并在室温下测量了样品的光致发光谱及其退火温度的关系.实验结果表明,在800℃以下退火的样品的发光是由于离子注入而引入SiO2 层的缺陷发光.在900℃以上退火,才观察到纳米硅的发生,在1100℃下退火,纳米硅发光达到最强.纳米硅的发光峰随退火温度升高而红移呈量子尺寸效应.在直角散射配置下,首次观察到纳米硅的特征拉曼散射峰,进一步证实了光致发光谱的结果.     

光学和电子元件同时集成在硅上

罗切斯特大学的研究者已制出全硅的发光二极管。这些管子把驱动电路集成在同一硅片上。以前，硅仅能发弱光，所以发光二极管多数是用GaAs、GaN、Znse、SiC等材料。但这些材料需要外部驱动电子装置，要求的制作技术超过已建硅半导体厂的范围。硅发光二极管的优越性是用与微电子制作技术相同的技术制作。用新的多孔硅丝做成数字显示器两个关键成就是制成了稳定的材料和在同一晶片上集成了发光二极管及其微电路驱动器。“从来没有这样做过”，PhilippeFauchet教授说，“从实验室的样品到工业界感兴趣的技术需经过这样一个过程。”按Fauchct…     

硅纳米晶的制备和电荷储存特性

在Si/SiO2/Si衬底上通过真空热处理生长了硅纳米晶,利用原子力显微镜对硅纳米晶注入电荷,在静电力模式下研究了硅纳米晶的充放电特性.实验结果表明,硅纳米颗粒充电后电荷可以保存10h以上,同时可以在几秒内快速放电.电荷储存于纳米颗粒内部和表面,不会向外扩散.     

硅纳米晶的制备和电荷储存特性

在Si/SiO2/Si衬底上通过真空热处理生长了硅纳米晶,利用原子力显微镜对硅纳米晶注入电荷,在静电力模式下研究了硅纳米晶的充放电特性．实验结果表明,硅纳米颗粒充电后电荷可以保存10h以上,同时可以在几秒内快速放电．电荷储存于纳米颗粒内部和表面,不会向外扩散．     

掺硅InGaN和掺硅GaN的光学性质的研究

采用光致发光方法研究了采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)在蓝宝石衬底上生长的掺硅InGaN和掺硅CaN材料的光学性质。在室温下．InGaN材料带边峰位置为437．0nm，半高宽为14．3nm；GaN材料带边峰位置为363．4nm．半高宽为9．5nm。进行变温测量发现．随温度的升高．两种材料的发光强度降低，半高宽增大；GaN材料的带边峰值能量位置出现红移现象．与Varshini公式符合较好；InGaN材料的带边峰值能量位置则出现红移-蓝移-红移现象．这与InGaN材料的局域态、热效应以及由于电子-空穴对的形成而造成的无序程度增加有关．对大于140K的峰值能量位置的红移用Varshini公式拟合．符合较好。     

用激光化学方法制备镍系精细粉末材料

选用醋酸镍为原料,在CO_2脉冲激光作用下发生化学反应,得到了NiO、Ni和Ni_2O_3的精细粉末,粉末粒直径约为0.5μm.     

探测红外辐射用的非本征硅电荷耦合器件

本文讨论了红外探测器/电荷耦合器件集成结构的效果。采用了硅MOS/CCD工艺制备的CCD,它有8、16和32个探测器,是在硅衬底上掺镓(N_(Ga)=6×10~(16)/厘米~3)制得。在红外背景产生的电流在0.15～50微微安范围内,鉴定了器件的性能。测出的信噪比接近10~4,表明动态范围至少能达80分贝。背景抑制和过载保护电路已作在CCD上。在几种背景条件和钟频10千赫～100千赫进行了信号带宽测量。探测器的工作温度上限约20K。在低达8K时,未观察到反常的电荷转移效应。还讨论了探测器串扰。     

用传感器探测应变和温度

应变和温度可用一种全新的光纤传感器同时测量，这种传感器依靠对称放在单一外包层内的二根单模纤芯之间的串音进行工作。这种方法由美国联合技术研究中心发展而成。     

天文学用光学和红外探测器

一、红外探测器 1．由James Webb空间望远镜近红外探测器研制计划启动的4000×4000元HgCdTe天文相机(Donald N．B．Hall等) 2．宽场相机3用的红外探测器(Massimo Robberto 等) 3．可见光红外天文观测望远镜用红外探测器的表征 (Nagaraja Bezawada等) 4．James Webb空间望远镜NIRCam仪器用的 2000×2000元分子束外延HgCdTe探测器(James D．Garnett等)     

DVD/VCD光学头硅基单片集成光电探测电路的进展

本文介绍了用于DVD/VCD光学读取头的光电探测集成电路(PDIC)的结构和工作原理,分析并比较了硅基PDIC的关键技术和工艺,回顾总结了近年来的研究进展与成果,展望了今后的研究发展趋势.     

用参数法测量硅膜吸收限附近的光学常数

本文提出了一种新的计算方法,即参数法。用这种方法对硅膜吸收限附近的折射率及吸收系数作了测试和计算。一、引言随着薄膜应用领域的扩大,对吸收膜的研究日益广泛。吸收薄膜光学参数的测定,是一     

用椭圆偏振光谱法研究溅射无定形硅的光学性质

利用椭圆偏振光谱仪测定了无定形硅在可见光范围的光学常数.对不同工艺条件下由射频溅射制备的无定形硅样品进行测量,获得了n-λ、k-λ关系的数据,并由此计算出光学能隙、介电常数和反射率.文中还比较和讨论了本实验结果与别人用反射率法测得的蒸发制备无定形硅的结果.