MOS存贮器的测试、筛选、组装、及其可靠性

MOS存贮器是大规模集成电路乃至超大规模集成电路的一个十分重要的领域,由于其工艺简单、集成度高、成品率高、具有较好的性能价格比,因此获得了迅速的发展,它在半导体存贮器领域中已占了主导地位。各种MOS存贮器的广泛应用,正在大大地改变着电子计算机及其他信息存贮、信息处理系统的面貌。 随着MOS存贮器的迅速发展,对其性能的测试、老化筛选、合理组装、正确使用,愈     

存贮器的发展与新型存贮器介绍

本文回顾了近年来存贮器件的发展概况及趋势,简要地介绍了 Flash 非易失存贮器,NVRAM、Cache 产品以及 Latch RAM 等新型的专用存贮器件。文中还介绍了 IC 芯片技术发展所遇到的一些基本极限,讨论了存贮器技术的发展方向。     

存贮器模块可节省空间提高性能

在许多军用计算机和便携式计算机应用中,节省空间比节省成本更重要,一种有效的解决办法是采用存贮器模块。存贮器模块制造商,如Electronic Designs、Integrated Device Technologies和Harris Semiconductor,它们均采用了最新一代的静态RAM。这些静态RAM采用无引线芯片载体封装,并将它们中的一些装在陶瓷基片上,然后     

提高静态数据存贮器掉电保护可靠性的方法

工业控制计算机在电源启、停瞬间,CPU芯片引脚的不稳定电位,可能破坏掉电保护RAM区中的数据。本文介绍一种可有效地消除此类现象,又适用于单片机系统的方法,以提高数据保护的可靠性。     

虚拟存贮器与变换存贮器的区别

二种扩大计算机存贮器容量的方法,其名称常被混淆。这是二种完全不同的方法,各有优点和缺点 许多计算机使用者、销售者甚至分析者,对“变换存贮器”和“虚拟存贮器”就象附属于计算机的其它器件一样,常相混淆。不明确的地方在于这二种存贮器各做些什么工作和如何区别。许多厂把变换存贮器说成虚拟存贮器,是并不奇怪的,因这二种设计一般都包含变换的概念。     

磁泡存贮器

目前,在计算机系统特别是微型机系统中半导体存贮器芯片应用得非常广泛,但当国外研究出了磁泡存贮器后,许多人开始怀疑半导体存贮器芯片将来会不会被淘汰。磁泡存贮器是贝尔实验室研究出来的,目前多用正铁氧体、石榴石型铁氧体等材料制造。这些单晶强磁性薄膜或多晶台金磁膜在外加磁场作用下产生许多磁泡。磁泡在电路的控制下按规定方式移动形成存贮器件,其存贮密度可达1.6×10~5位/平方毫米。1979年,得克萨斯仪器公司、富士通、英特尔、洛克韦尔等公司就开始使用了磁泡存贮器,因这种存贮器很有前途,所以有许     

存贮器系统设计

引言 每个计算系统都有信息存取系统(hiera-rchy),即便是简单的计算机也采用一种由内寄存器和键控数据输入的外寄存器组成的两级存取系统,在典型的计算系统中人们还可以看到一种多级的存取系统,它里面有操作寄存器,随机存取主存贮器,直接存取装置,按序存取     

存贮器系统

微型计算机系统为了适应科学计算及数据处理等方面的需要,通常配有相当规模的存贮器系统。其中包括随机存取存贮器(RAM)和只读存贮器(ROM及EPROM)。RAM用于存放输入、输出数据及中间结果,而ROM用于存放程序。容量的配置一般占满地址总线     

新型半永久存贮器金属卡片存贮器

日本电气通信研究所为电子交换机的需要,研制了一种采用新原理的随机取数半永久存贮器——金属卡片存贮器。该种存贮器主要构成部分是作为存贮媒介体的金属卡片和由具有为数很多读取线圈的印制线圈板迭成的存贮体。情极信息的记录决定于金属卡片某位置上有无圆孔,信息的读出借助于线圈间的高频电磁耦合。在金属卡片上有孔和无孔的地方电磁耦合差值很大。     

存贮器系统

<正> 3.1 概述 DJS 186计算机采用高速缓冲存贮器来提高对中央处理机对主存系统的访问速率。从功     

提高生产率的五点建议

如今,无论你去哪里,都希望效率越高越好,麻烦越少越好。当我考虑是什么让我提高生产率时,我发现CPU的能力、磁盘的转速或者显示器的色彩数量都不是主要问题。下面是如何提高生产率的一些产品和措施。     

如何提高知识工人的生产率

管理学大师德鲁克认为,20世纪生产率提高,除了机器、电力、流水线等工程方面的原因外,主要得益于20世纪初泰勒科学管理的贡献。然而,德鲁克敏锐地发现,“提高知识工人生产率的工作几乎没有做过。” 现如今的公司结构,包括法律支柱、治理体系、管理体系、会计制度等,都建立在工业化时代的公司模型基础上。对于信息社会、知识经济而言,这个模型是不切实际的。     

具有程序存贮器和记号存贮器的数据流计算机结构

本文提出了使用两种存贮器——程序存贮器和记号存贮器的一种新的数据流计算机结构。程序存贮器(PM)存贮数据流程序或图以指明指令间数据相关性。在程序执行期间不需要改变PM,对每一个处理或操作部件需要复制PM 的内容。记号存贮器(TM)主要存贮当前需要的数据值并起到类似传统计算机上的累加器或寄存器的作用。要求TM 的容量相对地小,因为数据值在TM 中占留的时间是非常短的。在我们的结构中由于采用小容量的TM,从而可以减少操作部件和存贮器之间开关机构的复杂性以及控制电路的规模。     

高速MOS存贮器

作为现代电子计算机和电子交换机等信息处理装置的主存贮器和缓冲存贮器,半导体集成电路存贮器正受到注视。本文描述关于采用廉价的MOS集成电路作存贮单元而用双极集成电路作外围电路所构成的超高速缓冲存贮器的可能性的探讨、各个电路的设计、大规模集成(LSI)电路的构成和使用这样LSI电路存贮装置的试制研究结果。LSI是在同一陶瓷基片上把读出线和位线分离的MOS存贮单元和双极外围电路(矩阵、读出放大器)用梁式引线连接起来的多片形式。得到的高性能水平是单个512位LSI的取数时间为6毫微秒,1K字节存贮装置的取数时间为30毫微秒、周期时间为35毫微秒。从存贮装置的特性研究中判明了这次采用的电路形式和LSI的构成方法,对于高速化、高密度化是非常有效的。     

巨型存贮器件

在国际固态电路会议上,首次展出了1/4兆位的动态随机存贮器件(RAM)和64K位的静态随机存贮器件。东京的日本电气株式公社—东芝(NEC—Toshiba)信息系统公司和日本电信电话公社—武野藏(NTT—Musashino)电气通讯实验室都提供了256K×1位的动态RAM。NEC片子的存取时间为160毫微秒,周期350毫微秒。而NTT的存贮器用钼加速信号传     

电荷泵随机存取存贮器

用MOS晶体管作为负载电阻器的限制是众所周知的,要得到低的维持功耗就需要大电阻,从而要求器件面积大。在动态存贮器中,完全取消了负载电阻而避免了这个问题。单元状态利用寄生结点电容暂态保存至数据再生周     

高速缓冲存贮器

<正> 8.1 概述 186机的高速缓存是一个与主存相比容量上较小而速度上又较快的存贮器,它配制在处理机之内,是处理机的一部分,同时又是主存贮器的一部分。(见图9.1)。因此,也可以把它看成主存贮器的缓冲存贮器。 如果所有的指令和数据均放在主存贮之     

微程序存贮器的结构

微程序设计的中心问题是控制存贮器的结构——用来存贮被执行的微程序。该存贮器的结构,对目标机实现的经济性(时间和存贮空间),对主机结构的复杂性,以及对微程序没计的能力都有很大的影响。本文介绍控制存贮器结构的一些样式,包括微指令字的结构以及不同定时方案对控制存贮器和主机结构复杂性的影响。