MCM-C中厚膜电阻的寿命分布及退化规律的研究

重点研究了MCM-C基板的可靠性，包括厚膜电阻、基板布线以及互连通孔。试验采取加温度应力与电应力的双应力加速寿命试验。试验中发现，厚膜电阻的退化先于基本布线和互连通孔，故厚膜电阻的退化在MCM-C基板可靠性中起主要的作用；重点讨论了厚膜电阻在热电应力下的失效规律及寿命分布，试验结果表明厚膜电阻的寿命分布服从威布尔分布。     

低成本银基厚膜多层基板的研制

介绍低成本银基厚膜多层基板的材料系统，工艺流程，工艺特性以及基板的性能。     

厚膜片状电阻器及厚膜电阻浆料概述

本文对厚膜电阻器及由它构成的网络电阻器产品，包括性能及生产流程给出了一个简单介绍，着重地对厚膜电阻浆料特别是钌系电阻浆料的组成及性能作了讨论。     

干法刻蚀厚膜金导体细线技术研究

本文介绍了利用离子束刻蚀技术与厚膜技术相结合，进行干法刻蚀厚膜金导体细线工艺，使厚膜金导体细线条达到６２．５μｍ的高性能指标。讨论了该技术应用在厚膜多芯片组件中的优越性。     

高密度互连的厚膜MCM

普通的厚膜组件（MCM－C）已不能满足在军事与空间领域大量专用集成电路（ASIC）封装要求。通常，ASIC芯片是为高频设计的，具有较高的热损耗，有较多的输入／输出线，从而要求高密度互连。为了鉴别出可能采用的方案，研究了几种MCM技术，并进行了比较。模拟和测试的结果显示，一种新工艺（基于具有光成象能力的厚膜材料）可提供可靠性和较好的成本效果，取代先进的薄膜聚酰亚胺多层或硅－硅互连。本文将讨论一种新的封装工序，概括介绍高密度（0．127mm～0．254mm间距）、高频（2．5～600MHz）MCM的三个代表例。     

厚膜电阻例行可靠性实验噪声特性研究

厚膜电阻器是混合集成电路中最重要的元件之一。厚膜电阻器以其价格低廉、性能稳定和可靠性高而备受电路设计者的青睐。但是，厚膜电阻器的噪声大是不争的事实。为了能够在精密电路中应用，必须测量和控制电阻器的噪声。近年来，国内外学者发现厚膜电阻器的噪声与厚膜材料结构和质量有密切关系。本文通过厚膜电阻器例行可靠性实验中噪声测量和分析，与常规测量参数对比，探索噪声用于厚膜电阻器例行可靠性实验表征的可行性。     

厚膜多层布线基板用电阻浆料的研制

本文叙述了厚膜多层布线基板用电阻浆料的设计原理和工艺方法，对其关键技术进行了详细分析和讨论。对所研制的方阻分别为１０２Ω／□，１００Ω／□，１ｋΩ／□，１０ｋΩ／□，１００ｋΩ／□，１ＭΩ／□的六个品种进行了严格的鉴定测试，其性能与杜邦１９００系列相当。     

厚膜功率电阻的制作工艺及控制方法

本文从分析电阻浆料的性能及常用电阻图形的设计入手,对厚膜功率电阻的制作工艺进行了研究,提出了其工艺控制方法,并在实际工程中得到应用,得到了满意的效果。     

后续烧结工艺对激光微细熔覆制备厚膜电阻性能的影响

随着电子产品逐渐向微型化、多功能化和高密化的方向发展,传统的厚膜技术由于存在着大量的局限性,越来越不能满足这种快速发展的需求,因此,采用激光微细熔覆柔性直接制造技术在Al2O3基板上制备了高精度、高质量的厚膜电阻。然而,由于激光和物质的相互作用是一个急热急冷的过程,与传统的烧结工艺对厚膜电阻的作用不同,造成最终电阻的组织性能不同,因此,着重研究了激光加工工艺和后续烧结工艺对厚膜电阻的组织性能的影响,并对这种影响的主要机理进行了分析。结果表明,激光微细熔覆柔性直接制造的厚膜电阻比采用后续烧结工艺制备的电阻性能可靠、稳定,而且工艺简单灵活,效率高,不需要后续烧结过程,节省了能源,降低了成本。     

搭接量对激光微细熔覆柔性直写厚膜电阻组织性能的影响

采用激光微细熔覆柔性卣写技术在陶瓷基板上制备厚膜电阻。该技术的优点是精度高、速度快、不需要制作掩模板等。大量研究结果表明．搭接量的改变对电阻的组织性能影响很大，而组织性能对最终整个器件的质量起决定作用。因此，获得最佳搭接量制备出性能优良的电阻元件成为重要的研究课题。针对陶瓷基板，系统地研究了搭接量对厚膜电阻的组织性能的影响规律，获得了形成电阻膜的最佳搭接量为单道扫描光斑直径的3／5，并对影响组织性能的主要机理进行了分析。     

复合无机粘结剂对钌酸铋/银基厚膜电阻性能影响

采用钙铝硅玻璃和硼硅酸铅玻璃组成的复合体系作为无机粘结剂制备厚膜电阻浆料,研究复合无机粘结剂对厚膜电阻各性能的影响。结果表明,二组元在复合体系中体积分数的改变影响钌酸铅“过渡层”的存在状态和无机粘结剂中晶相和玻璃相的比例,使厚膜电阻的方阻和电阻温度系数随之变化,当二组元体积分数均为50%时,制备的电阻膜性能稳定,重烧变化率为2.7%。     

可靠性强化试验及其在雷达研制生产中的应用

可靠性强化试验技术正是一项新型的试验技术,通过引入加速试验条件,可以提高可靠性试验的费效比,在产品设计中,使用高加速寿命试验与高加速应力筛选技术,有助于设计出成熟的产品。文中对可靠性强化试验技术进行了简要的介绍,讨论了可靠性强化试验对于加强雷达质量控制的作用,并对如何深入开展可靠性强化试验的应用工作提出了建议。     

互连铝通孔电迁移特征及其可靠性研究

研究了超大规模集成电路铝互连系统中铝通孔的电迁移失效机理及其可靠性寿命评价技术.试验采用CMOS和BiCMOS两种工艺各3组的铝通孔样品,分别在三个温度、恒定电流的加速条件下试验,以通孔开路为电迁移失效判据,最后得到了在加速条件下互连铝通孔的电迁移寿命,其结果符合标准的威布尔分布,试验准确可行.通过电迁移模型对试验数据进行了拟合,得到了激活能、电流加速因子和温度加速因子,计算出了正常工作条件下通孔电迁移的寿命,完成了对铝通孔电迁移的研究和寿命评价.     

ULSI多层铜互连线的碟形坑问题研究

介绍了ULSI多层铜互连线中的碟形坑问题,对其产生的原因及影响因素进行了分析。针对影响因素中的工艺条件,分别进行了不同压力、温度、流量的试验,得到了上述各因素对抛光速率的影响。基于上述试验结果,确定了铜互连线化学机械抛光(CMP)的工艺条件,并进行了不同抛光液配比的试验,从而找出一种合适的方法,使不同材料的抛光速率达到一致,有效降低了碟形坑出现的几率。     

电子产品加速寿命试验研究

电子产品的使用者希望在其工作寿命内尽可能少发生甚至不发生故障,这对电子产品的可靠性提出了较高的要求。制造者为了确保电子产品的可靠性,必须针对产品作一系列的可靠性试验,加速寿命试验是可靠性试验中最普遍和重要的项目。本文简要介绍加速寿命试验的各种模型和它们的适用条件,分析各种加速寿命试验的优缺点。基于加速寿命试验的基本原理...     

HALT在引信寿命评估方面的应用

通过对引信寿命评估试验和高加速寿命试验（HALT）的特点进行分析,针对目前引信寿命试验的不足之处,提出了利用HALT中的有效信息来改进引信寿命评估的方法,例如：通过选择积极的加速因子和估算试验所需的时间来改进加速寿命试验,使之能够快速、精确地评估产品的寿命;在引信的研制过程中,当样本量较小时,可以利用改进的加速寿命试验来进行引信寿命的评估,使之能够快速地评估引信的中位寿命。     

电子元器件的贮存可靠性及评价技术

综述了国内外元器件的贮存可靠性研究现状,分析了元器件贮存失效模式及原因,表明减少元器件自身缺陷、改善固有可靠性是提高其贮存可靠性的关键。并从应用性角度出发,对现场贮存、长期自然贮存试验、极限应力、加速贮存寿命试验等贮存可靠性评价技术进行了对比分析。