纳米技术信息

<正>惠普获纳米专利 针头大小电脑指日可待 美国个人电脑（PC）及打印机大厂惠普和加州大学的研究人员,已为一项最终将制造出比针头还小的强力电脑技术申请了专利。     

速度提高数千倍HP最新芯片制造技术

随着分子电路技术的突破，惠普的研究员宣称，已开发出一种称为“交叉开关”的划时代装置，可用来执行微处理器中的运算功能，最终将取代现今的硅晶体管，并提高计算机的速度达数千倍。晶体管是计算机工业的基石。以分子取代硅作为制造电路的元素，惠普则希望借此改变芯片史，从中提升该公司的地位。     

惠普计划研制超小型电脑

据报道：美国惠普电脑公司和加州大学的研究人员已经一项技术申请了专利，这项技术最终将制造出比针头还小的电脑。IBM、惠普与加州大学洛杉矶分校的研究伙伴正在全力研究纳米技术。     

富士通电源管理晶片锁定行动装置应用

富士通（Fujitsu）推出适用于行动装置直流对直流（DC—DC）转换器晶片——MB39c326,并已进入量产阶段,该晶片可藉由自动切换升／降压模式,扩大工作电压范围。     

台积电新制程被阿尔特拉采用

台积电预计明年将导入量产的3D架构多晶片技术CoWoS,目前已获得可编程逻辑器件（FPGA）大厂阿尔特拉（Altera）采用,双方将整合晶圆制造及封装测试等技术,共同开发出全球首颗整合多元晶片技术的三维集成电路（Heterogeneous3DIC）测试晶片。     

美国英特尔推出新型笔记本电脑晶片

近期,记者从英特尔北京分公司公关部证实,该公司已于当日推出了最新的便携式电脑晶片Pentium M处理器,编号为Dothan。这是英特尔第一次应用90纳米电路设计技术研发的移动处理器,这种制造技术能降低生产成本并生产出更小的晶体管。首批Dothan处理器频率速度将包括2GHz、1.8GHz和1.7GHz等,并采用英特尔产品新命名方式命名为Pentium M755、Pentium M745与Pentium M735。这种新晶片除了将作为独立产品销售之外,也是Centrino套装晶片的一部分,能够使电脑实现与互联网的无线连接。英特尔表示,公司将开始加大向客户营销这种新晶片的力度,营…     

测量晶片调准误差的覆盖式系统

在半导体光刻过程中掩模与晶片的精密调准是至关重要的。随着电路零件体积的减小，这种加工要采用更加复杂的曝光技术，覆盖式计量设备的校准就显得更加重要了。美国国家标准技术研究所（NIST）的研究人员建立了一套光学覆盖式计量系统，它能够分辨出纳米级三维的掩模与晶片的调准误差。将使用高精度的设备为覆盖式计量系统标定一个用做参考的标准人工制品。研究人员认为，以前的设备有10um的误差，新系统有了一些改进，可望超过这个精度。组成该仪器的部件有哄焦光学显微镜；传送照明光的光纤；计量学的参考系统；光度计和CCD相机。所有…     

在分子级水平上构建芯片

惠普(HP)公司和美国加州大学(UCLA)获得美国颁发的有关结构复杂的逻辑芯片技术专利,利用该专利技术,能在分子级水平上构建芯片。现有芯片制造需要经过多重昂贵的工艺流程,以建立计算机电路的综合布线模式。该专利称,可通过一种简单的栅格形式进行布线——每一个布线仅有几个原子的宽度,然后,通过单分子的电子开关进行互连。实验     

激光微加工技术辅助制造

在以前的一系列文章中探讨了激光技术辅助半导体制造的许多方面,如光刻、计量、晶片测试和检查,以及电路修复．由于半导体工业进一步向小型化方向发展,因而半导体加工中仍将继续采用激光装置来制作许多商品中的集成电路（IC）．采用传统方式的加工技术,如打孔、焊接和切割,都必须加以小型化以便能加工基片或晶片上的电路．机械切削、打孔、焊枪及锯子等并不能在很小的工件上运用．本文探讨采用激光替代这些加工工艺时三个方面的应用：制造柔性电路（flexiblcircuits）时材料切除、焊接和打孔。1柔性电路柔性印刷电路是印刷电路板与连…     

SanDisk开发出32纳米NAND闪存技术

SanDisk和东芝公司日前宣布，两公司使用32纳米（nm）处理技术生产出32GB 3bits／单元（3-bits—per—cell）（X3）存储芯片，共同开发出多层式芯片（MLC）NAND快闪存储器。该项突破预期将很快为从存储卡到固态硬盘（SSD）等市场带来能够提高产品容量、降低制造成本的先进技术。32纳米是迄今为止最为先进的闪存技术，它需要先进的解决方案来管理性能规格的变化。32纳米技术将数种创新技术结合起来，与摩尔定律中的趋势线相比，模片区大幅度减小。     

WiSpry将首批RF专利产品发送给手机制造商

无线产业用的可编程RF半导体产品的领先制造商WiSpry有限公司，宣布已成功地将首批包含WiSpry可编程RF专利技术的定制产品发送给了世界上最大的手机制造商。该定制解决方案在真正的单芯片上（不含有外部元件）综合了WiSpry采用RF CMOS制造工艺的RFMEMS数字电容器专利技术与先进的模拟和数字支持电路。WiSpry推出了初始的标准产品WSC0805，该产品以2008年第四季度的数字可调谐电容器为特征。     

新品展馆

０．１７μｍ ＤＲＡＭ批量生产 三星电子设备有限公司准备批量生产第三代Ｒａｍｂｕｓ动态随机存取存储器芯片（ＲＤＲＡＭ）。ＲＤＲＡＭ使用０．１７μｍ设计规则，其电路尺寸仅为人发截面的１／６００。该公司生产的这种ＲＤＲＡＭ存储器容量有１２８Ｍｂ、１４４Ｍｂ和２８８Ｍｂ三种。安装在一个单一系统上的４块２８８Ｍｂ组件支持的存储器容量可高达２Ｇｂ。第三代０．１７μｍ设计规则的应用意味着在一块晶片上安装的芯片数要比采用第二代技术生产的多２５％。三星公司的下一代批量生产技术将使芯片尺寸缩小，并将缩短芯片内部信号…     

国际动态

TI计划 2005 年推出65 纳米半导体工艺技术样片日前,德州仪器 (TI) 宣布了 65 纳米半导体制造工艺技术的详细信息,与90纳米技术相比,采用该技术可将晶体管体积缩小一半,性能提高 40%。此外,TI 的新型技术不仅可将空闲晶体管的功耗降低 1000 倍,而且还同时集成了数亿个晶体管,以支持片上系统 (SoC) 配置的模拟与数字功能。该公司目前已经有 4 MB SRAM 内存测试阵列投入正常使用,并计划于 2005 年第一季度推出采用新工艺技术构建的无线产品样片。JA108大幅提升手机Java应用处理速度通信晶片公司Nazomi3月22日宣布索尼爱立信采用该公司…     

技术合作将提高客户的工作效率，降低虚拟基础架构的成本

LSI公司（NYSE：LSI）宣布其已与惠普（HP）达成了共同利用LSIStore Age SVM（存储虚拟化管理器）的技术合作协议。惠普利用SVM解决方案的产品开发功能开发出全新的HPStorage Works SAN虚拟化服务平台（SVSP），为客户提供了一款可提高性能、降低成本的异构存储整合与数据迁移解决方案，该方案同时具有高度灵活的灾难恢复功能。     

微捷码层次化RTL-to—GDSII参考流程正式面市

微捷码（Magma）设计自动化有限公司近日宣布，一款经过验证的支持CommonPlatform联盟32／28纳米低功耗工艺技术的层次化RTL—to—GDSII参考流程正式面市。这款自动全面的解决方案可为以32／28纳米先进工艺节点制造的具有200万个单元级电路及更大型的片上系统（SoC）提供可预测结果并降低其开发成本。     

通信设备及其他

静止磁盘、动态磁头的“录放装置”查询号２５０随着磁性记录技术的发展，一种构造新颖的录放装置专利技术由海拉尔力普机械电子研究所北京分所推出。利用该技术制造的录放装置与现有录放装置结构不同，它采用静止的磁盘（片）做记录载体，其表面贴放的磁头按不同半径做螺旋状旋转运动，以动态方式在磁盘（片）的磁道上寻迹，配合录放电路实现录放功能。采用这一技术可开发多种实用产品，如有声儿童读物、盲文辅助学习器、电子信件、产品有声说明书、环形码记录与读出装置等。其中有声儿童读物的使用方法是在每张画面的适当位置涂敷一层磁浆…     

研究人员以低温材料制造低成本的3D IC

正人们一提到3D晶片就会联想到采用硅穿孔(TSV)连接的晶片堆叠。但事实上,还有一些技术并未采用TSV,如BeSang公司最近授权给韩国海力士(SKHynix)的垂直晶体阵列技术。此外,由半导体研究联盟(SRC)赞助加州柏克莱大学最近开发出采用低温材料的新技术,宣称可带来一种低成本且灵活的3D晶片制造方法。该技术直接在标准CMOS晶片上的金属薄层之间制造主动元件,从而免除     

Altera率先采用冗余技术生产高密度可编程逻辑器件

Altera Corporation宣布率先在其高密度可编程逻辑产品中采用冗余技术,为可编程逻辑器件(PLD)的制造技术带来新突破。该公司已获得五项有关冗余技术的专利。 冗余技术一方面可增加半导体晶片的可用电路元件,另一方面可藉著复原受粒子破坏的电路片而令成本降低。虽然这种技术现正使用于记意体器件,例如高密度     

英特尔研发出三闸极式电晶体料大幅提升晶片效能

美国晶片大厂英特尔 (Intel)已研发出所谓的三闸极式电晶体 (晶体管 ) (tri- gate transistor) ,此种更强力的电路料将些助英特尔与业界推进晶片运算能力。电晶体是微处理器的基本分子 ,当电晶体快速开启与关闭时 ,便赋予了晶片运算的能力。英特尔表示 ,这款实验性的电路可能在 2 0 0 6年至2 0 1 0年间开始量产。三闸极式电晶体是兆赫(terahertz)电晶体架构的三次元延伸。顾名思义 ,此种电晶体有 3个闸极 ,不同于目前的单闸极式电晶体。让电流通过闸极或阻挡电流通过 ,便会产生电脑二进位数位语言的 0与 1。英特尔指出 ,由于单一电晶体拥有…     

纳米岛光刻技术及其应用

介绍了一种基于微加工技术的新方法——纳米岛光刻技术。利用该技术制造出几十纳米到微米尺度的岛结构，然后利用剥离、刻蚀等微加工技术，将该岛转化成纳米孔、纳米岛、纳米井等结构。该技术的特点是能够制造出具有各种密度的纳米结构(最高覆盖率可达50％以上)，且开发成本低，工艺性能优越，是一种有效制造纳米岛结构的专业方法。