TND—1特种耐磨软氮化工艺

ＴＮＤ－１（无污染低温盐浴钒氮硫共渗）新工艺能使钒原子在ＡＣ１温度以下渗入钢铁表面。用此工艺处理的４５钢和Ｗ１８Ｃｒ４Ｖ的表层硬度分别可达ＨＶ０．０５１０００和ＨＶ０．０５１５００，并具有优良的综合耐磨性能的应用前景。     

KNSBN:V晶体材料制备及光诱导吸收研究

成功地生长、制备出了一系列含不同掺钒浓度的钾钠铌酸锶钡（ＫＮＳＢＮ：Ｖ）晶体样品。测量了在不同光强、光偏振和掺钒浓度下ＫＮＳＢＮ晶体的光诱导吸收变化。实验结果显示,ＫＮＳＢＮ：Ｖ晶体存在较强的光诱导吸收,且其光诱导吸收变化明显依赖于泵浦束光强,探测束光偏振和晶体的掺钒量,对于探测束光偏振平行和垂直于ｃ轴的情况其值分别可达０．５５和０．２２ｃｍ＾－１。对实验结果进行了解释。     

酞菁类聚合物／硅太阳能电池的制备与研究

用熔融法和溶剂法合成了聚酞菁铜，聚酞菁氧钒等可溶性有机半导体。研究表明：酞菁类聚合物／硅太阳能电池具有良好的整流特性和光伏效应，整流比为１７。经过掺杂处理，光电转换性能有明显提高，当入射光强为０．８８ｍＷ／ｃｍ２时，开路电压为２１０ｍＶ，短路电流密度为０．７５ｍＡ／ｃｍ２，光电转换效率达３．９％（填充因子为０．２２），掺杂处理后的酞菁聚合物／硅太阳能电池有较好的稳定性。     

V_(0.91-x-y)Ti_xM_yNi_0.09(M=Cr,Si,Zr)系贮氢合金的电化学性能

本文研究了Ｖ０．９１－ｘ－ｙＴｉｘＭｙＮｉ０．０９（Ｍ＝Ｃｒ，Ｓｉ，Ｚｒ，Ｚｒ＋Ｃｒ，ｘ＝０．１８～０．５５，ｙ＝０～０．０９）系贮氢合金的相组成和电化学性能。结果表明，Ｖ０．９１－ｘＴｉｘＮｉ０．０９（ｘ＝０．１８～０．５５）合金系在吸氢时形成二种氢化物即单氢化物及双氢化物，但在通常放电条件下（截止电位为－０．７Ｖ）只能双氢化物放电，如果通过提高放电截止电位强制单氢化物放电，则合金中的Ｖ容易发生氧化。这样做虽然初始容量很高，却导致电极的循环寿命下降。分别用９％的Ｚｒ，Ｃｒ，Ｓｉ部分替代Ｖ０．９１－ｘ－ｙＴｉｘＭｙＮｉ０．０９合金中的Ｖ，导致合金的循环寿命变差，同时也使容量下降，三种元素对容量影响的次序为Ｓｉ＞Ｃｒ＞Ｚｒ。但同时用Ｚｒ、Ｃｒ替代Ｖ却可提高合金的电化学容量，Ｖ０．６４Ｔｉ０．１８Ｚｒ０．０４５Ｃｒ０．０４５Ｎｉ０．０９容量达到４２０ｍＡｈ／ｇ。     

V_2O_5熔体的微量氧化还原研究

将７００、８００、１１００℃三种温度下的Ｖ２Ｏ５熔体制得Ｖ２Ｏ５溶胶,在非晶玻璃基片上将Ｖ２Ｏ５溶胶制成Ｖ２Ｏ５凝胶薄膜试样．通过对Ｖ２Ｏ５凝胶薄膜试样的电阻随温度的变化测试和电子能谱（ＥＳＣＡ）和Ｘ射线衍射分析发现Ｖ２Ｏ５凝胶薄膜中有四价钒的存在,本文从Ｖ２Ｏ５熔体的微量氧化还原和晶体结构的角度分析讨论了微量氧化还原影响钒离子价态变化的机理．     

低价钒—锶氧化物系的相关系和电导率

研究了Ｓｒ－Ｖ－Ｏ系统内低价钒氧化物存在时的相关系。用Ｘ光衍射分析鉴定了相组成，并用标准直流四探针法测定了１００－１０００Ｋ温度范围内的组成相的电阻率。结果表明在该系统内，在还原气氛下形成的低价钒化合物有六方的Ｓｒ８Ｖ８Ｏ２５，立方的Ｓｒ２Ｖ２Ｏ５和Ｖ２Ｏ３，三在１５０Ｋ以上均具有１０＾０－１０＾１Ω·ｃｍ的电阻率。Ｖ２Ｏ３相在低于１５０Ｋ附近电阻率有一个约１０＾４数量级的跃升，显示了在降温时由     

低价钒－锯氧化物系的相关系和电导率

研究了Ｓｒ－Ｖ－Ｏ系统内低价钒氧化物存在时的相关系．用Ｘ光衍射分析鉴定了相组成，并用标准直流四探针法测定了１００～１０００Ｋ温度范围内的组成相的电阻率．结果表明在该系统内，在还原气氛下形成的低价钒化合物有六方的Ｓｒ８Ｖ８Ｏ（２５），立方的Ｓｒ２Ｖ２Ｏ５和Ｖ２Ｏ３，三者在１５０Ｋ以上均具有１０ｏ～１０１Ω·ｃｍ的电阻率．Ｖ２Ｏ３相在低于１５０Ｋ附近电阻率有一个约１０４数量级的跃升，显示了在降温时由导电性向绝缘性的突变．     

VCD小影碟机市场通讯

ＶＣＤ小影碟机市场通讯傅清华时下，ＶＣＤ小影碟机已成为家电消费的热点，市场上数十种品牌的ＶＣＤ机可谓琳琅满目。ＶＣＤ的版本由１．０．１．１到目前最新的Ｖｅｒ２．０。由单一制式到ＰＡＬ和ＮＴＳＣ双制式兼容，并具有卡拉ＯＫ、数字回声、追唱替换等功能，尤其...     

SI—GaAs中的EL2和EL6缺陷团簇相关性研究

用光致电流瞬态谱（ＰＩＴＳ）方法研究了ＬＥＣＳＩ－ＧａＡｓ原生单晶经常规退火和等时快速退火（ＲＴＡ）深能级缺陷的变化。缺陷ＥＬ２（Ｅｃ－０．８２ｅＶ）ＥＬ１２（Ｅｃ－０．７９ｅＶ）表现出类似的ＲＴＡ特性，应属于ＥＬ２缺陷团簇；缺陷ＥＬ６（Ｅｃ－０．３８ｅＶ），ＥＬ８（Ｅｃ－０．２７ｅＶ）和ＥＬ９（Ｅｃ－０．２４ｅＶ０亦具有相似的ＲＴＡ特性，属ＥＬ６缺陷团簇。实验发现，在热退火中，ＥＬ２团簇缺陷密度     

V2O5干凝胶的制备新方法

采用溶胶－凝胶（ｓｏｌ－ｇｅｌ）法,用酸化方法生成的多钒加入到Ｖ２Ｏ５水溶液中,引发Ｖ－ＯＨ、Ｖ－ＯＨ２的无机聚合反应,制备Ｖ２Ｏ５干凝胶（ＶＸＧ）,且简便快速。ＩＲ及ＸＲＤ分析表明,用这种方法制备的ＶＸＧ的结构,介于无定型与结晶态之间,整体呈无定型状态,局部规整,维持了结晶态的层状结构。ＶＸＧ的层间距为１．６ｎｍ,有序区域大小为５．２５ｎｍ,约为多钒酸自聚合方法的ＶＸＧ有序区域的一半。     

虚拟设计环境建立与OpenGL和VRML的研究开发

本文在分析ＯｐｅｎＧＬ平台和ＶＲＭＬ语言特征的基础上,探讨了虚拟设计环境的特点,提出了通过ＶｉｒｔｕａｌＣ＋＋５．０和ＯｐｅｎＧＬ Ｏｐｔｉｍｉｚｅｒ开发产品虚拟设计系统的方法与思路,建立了虚拟设计和场景浏览器ＶＲＣＡＤＥ１．０,该系统具有三维造型、材质与表观设计、场景编辑等功能,并支持ＶＲＭＬ２．０。     

JK-10型耐电压测试仪综合校验仪

一、技术指标摘要电压部分 :交直流高压数表 ,测量范围１０ｋＶ、２０ｋＶ或３０ｋＶ三种。准确度等级为０．３%～０．５%。电流部分 :测量范围１００μＡ～１００ｍＡ内部测量表 ,准确度等级为０．５% ;外部表测量 ,准确度等级为０．２%。容量部分 :最高做２０ｋＶ耐电压测试仪的标称容量 ,准确度等级为０．５%。时间部分 :可测量包括浮地高压在内的驻留时间 ,测量范围０．００１ｓ～９９Ｈ５９Ｍ,准确度等级为读数的０．２%±２个字。特点 :重量轻 ,便于现场检测 ;价格低 ,可全配 ,也可单配某一部分。二、售后服务 :保修期１８个月 ,维修…     

SI－GaAs中EL2和EL6缺陷团簇相关性研究

用光致电流瞬态谱（ＰＩＴＳ）方法研究了ＬＥＣＳＩ－ＧａＡｓ原生单晶经常规退火和等时快速退火（ＲＴＡ）深能级缺陷的变化。缺陷ＥＬ２（Ｅｃ－０．８２ｅＶ）和ＥＬ１２（Ｅｃ－０．７９ｅＶ）表现出类似的ＲＴＡ特性，应属于ＥＬ２缺陷团簇；缺陷ＥＬ６（Ｅｃ－０．３８ｅＶ），ＥＬ８（Ｅｃ－０．２７ｅＶ）和ＥＬ９（Ｅｃ－０．２４ｅＶ）亦具有相似的ＲＴＡ特性，属ＥＬ６缺陷团簇。实验发现，在热退火中，ＥＬ２团簇缺陷密度减少，则ＥＬ６团簇缺陷密度增加；反之亦然，取决于退火温度的高低，表明ＥＬ２，ＥＬ６团簇在原子结构上相关。文中由此讨论了两个主要缺陷ＥＬ２和ＥＬ６的可能构型。     

国家电压副基准近年来的变化：用约瑟夫森电压标准进行监测

自１９９３年１Ｖ结阵约瑟夫森电压标准正常运行以来，就开始对国家电压副基准进行了连续的监测。经过近四年的连续测量发现：国家副基准电池组０５１中的十个标准电池的电动势都呈上升趋势，其中最大的０５１－２达到０．２０４μＶ／年，最小的０５１－８达到０．０４４μＶ／年，十个标准电池的电动势的算术平均值的变化速率为＋０．０８１μＶ／年，并且随时间几乎成直线上升关系。     

合成淬火剂PVA在钢制飞机刹车零件热处理中的应用

研究了不同浓度的聚乙烯醇（ＰＶＡ）淬火介质对３０ＣｒＳｉＭｏＶＡ钢制刹车零件的性能的影响。结果表明，选用０．３％￣０．５％浓度的ＰＶＡ淬火剂能满足刹车零件的技术要求。     

氯化聚乙烯及其接枝氯乙烯悬浮液粘度的研究

本文采用搅拌法测量氯化聚乙烯（ＣＰＥ）及氯化聚乙烯（ＣＰＥ）接枝（－ｇ－）氯乙烯（ＶＣ）悬浮液的粘度，与含固率建立关系，用Ｍｏｏｎｅｙ和Ｒｏｂｉｎｓｏｎ方程式进行关联。由悬浮液表观粘度ηａ与含固率ψｖ的关系曲线得出临界含固率ψｃ，结果发现ψｃ与悬浮液沉降层体积Ｖｐ呈线性关系：ＣＰＥ：ψｃ＝－０．４５５Ｖｐ＋１．４５６；ＣＰＥ－ｇ－ＶＣ：ψｃ＝－０．１８６Ｖｐ＋０．７５２     

电镀铜—镍合金时的阴极行为研究

用线性电势扫描法研究了含有Ｃｕ＾２＋，Ｎｉ＾２＋离子＋柠檬酸钠以及Ｃｕ＾２＋离子＋柠檬酸钠，Ｎｉ＾２＋离子＋柠檬酸的溶液中，铂电极和铜电极上的阴极行为。结果表明：（１）在－０．０７Ｖ（相对Ｓ．Ｃ．Ｅ）左右有铜配离子的还原。此过程受铜配离子的扩散控制。在－０．３０～－０．６０Ｖ之间是铜－镍合金形成区，在－０．７０～０．９０Ｖ之间是镍配离子的还原区。（２）向含有Ｃｕ＾２＋离子，Ｎｉ＾２＋离子的溶液中加     

制备V_（1－x）M_xO_2（M＝Cr、Ti、Mo、W，0≤x＜0．2）陶瓷的湿化学方法──氧钒（Ⅳ）碱式碳酸铵掺杂母体法

利用ＶＯ（２＋）与ＮＨ４ＨＣＯ３反应生成对氧颇稳定的氧钒（Ⅳ）碱式碳酸铵晶体的特性，分别掺入Ｃｒ（３＋）、ＴｉＯ（２＋）、ＭｏＯ（３＋）、ＷＯ杂质离子合成ＶＯ２掺杂母体；母体在Ｎ２气氛下、≤４００℃时，热分解制得活性大的标题化合物，再经压片、１０５０℃高温烧结０．５ｈ得到陶瓷．合成试样相变时，电阻率改变约３个数量级，与传统固－固合成法的相同，但温化学法与固－固合成法比较具有节能、简便、设备要求较低、成本低的优点．     

RF等离子体CVD合成氮化碳薄膜的XPS研究

采用射频等离子体化学气相沉积技术合成氮化碳薄膜，测量其Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ），获得两组Ｃ（１ｓ）电子和Ｎ（ｌｓ）电子结合能，它们是Ｅ（Ｃ＾１）＝３９８．０￣３９８．７ｅＶ，Ｅ（Ｃ＾２）＝２８４．６￣２８４．８ｅＶ；Ｅ（Ｎ＾１）＝３９８。０￣３９８．７ｅＶ，Ｅ（Ｎ＾２）＝４００．０￣４００．９ｅＶ。证实了薄膜中碳原子存在ｓｐ＾３杂化轨道成键和ｓｐ＾２杂化轨道成键两种键合形式。该方法合成的氮化碳薄     

炮射导弹测试弹数据分析与处理方法研究

本文介绍了炮射导弹测试弹的数据分析与处理方法，论述了数据的读取方式和处理手段，针对目前最新的面向对象的Ｖｉｓｕａｌ Ｃ＋＋５．０语言，文中介绍了基于Ｖｉｓｕａｌ Ｃ＾＋＋５。．０下的数据分析和处理程序的编程方法。