一种支持OLED亮度补偿的电流型PWM像素驱动电路

OLED(organic light-emitting diode,OLED)微显示器长时间工作在高对比度、高亮度的状态下,OLED像素衰退不一致,发光亮度衰退也不一致,会产生残影现象。因此,提出了一种改进的电流型PWM像素驱动电路,保持了对OLED像素衰退补偿效果,同时可以读出OLED阳极电压,计算得到OLED衰退信息,以便于对OLED亮度衰退进行有效的补偿。文章中分析了改进的电流型PWM驱动电路结构,及其对OLED衰退补偿和亮度补偿的原理。通过模拟仿真,得到几个影响OLED衰退补偿效果的关键参数。当OLED像素衰退电阻R_oled小于40 MΩ时,该电流型PWM驱动电路电流衰退度与传统2T1C驱动电路相比,只为其衰退度的50%。     

具有容错功能的OLED有源驱动电路

以有机电致发光器件(OLED)为基础的显示或照明器件,通常会受到短路故障的影响,从而使得像素失效,降低面板的亮度,进而严重地影响亮度的均匀性,并且会产生大量的功耗.本文介绍了一种新的有源OLED驱动电路,以自动检测在OLED中发生的短路故障并切换至备用OLED.该电路采用p型低温多晶硅薄膜晶体管制造.当发生短路故障时,本电路可以在不改变驱动电流的情况下,保持OLED像素的亮度维持不变.实验结果表明,本电路不仅具有容错功能,而且与标准电路相比可以显著地降低功耗.     

具有容错功能的OLED有源驱动电路

以有机电致发光器件(OLED)为基础的显示或照明器件,通常会受到短路故障的影响,从而使得像素失效,降低面板的亮度,进而严重地影响亮度的均匀性,并且会产生大量的功耗.本文介绍了一种新的有源OLED驱动电路,以自动检测在OLED中发生的短路故障并切换至备用OLED.该电路采用p型低温多晶硅薄膜晶体管制造.当发生短路故障时,本电路可以在不改变驱动电流的情况下,保持OLED像素的亮度维持不变.实验结果表明,本电路不仅具有容错功能,而且与标准电路相比可以显著地降低功耗.     

OLED的无源驱动技术

主要介绍了有机发光二极管(OLED)的无源驱动技术。分析了无源驱动电路的特点和驱动电路,即利用程控恒流源驱动OLED,达到不同灰度的显示。重点讨论了利用预充电技术提高无源OLED器件亮度的均匀性。     

一种大面积 OLED模组均匀调光技术研究

针对大面积OLED模组中出现的颜色漂移、亮度不均匀等问题,本文从三基色白光OLED光源的电源管理和RGB三基色亮度系数配比调节两方面着手,研究一种改善OLED模组色温及亮度均匀性的控制方法。首先,通过电源管理改变OLED模组的工作电压,从而对OLED模组的亮度进行粗调。然后,采用调节RGB三基色亮度系数方式,改变R/G/B三基色的配比及大小,实现对OLED模组亮度进一步地细调以及色温的连续调控。实验结果表明,该方法较好地解决了OLED模组中各个OLED色块由于负载、工艺制作等原因造成的色温和亮度差异,使得各个OLED色块之间亮度及色温的偏差分别缩小到5cd/m2、100K范围内。有效提高了OLED模组发光的均匀性,实现了OLED光源照明的大面积化。     

一种新型的OLED像素补偿驱动电路

为了防止有机发光二极管(organic light-emitting diode,OLED)显示器随着使用时间增加而造成OLED像素驱动电路发生阈值电压和电源电压漂移,从而引起显示屏亮度不均匀和不稳定的现象,本文对OLED像素补偿驱动电路进行研究。首先对通用型的2T1C驱动电路进行分析,找出引起显示器亮度不均匀和不稳定的原因,然后以目前使用较多的4T1C像素补偿驱动电路为例,对该电路进行了深入的分析,指出这种电路结构的缺陷,最后针对这些缺陷,提出了改进的5T1C像素补偿驱动电路,并且对该电路进行了仿真,验证了其可行性。仿真结果表明,在显示阶段,输出电流稳定在2μA。基本可以改善OLED显示器亮度不稳定和不均匀的缺点。     

采用垂直一列式原理制造OLED器件

本文推出了采用垂直一列式生产线制造有机发光二极管（OLED）的成果。此款OLED在6V电压驱动下可实现100cd／m^2的亮度，此时的电流效率和光效分别约为7cd／A和21m/W。基于预期之单层数据的均匀性，样品展现了出色的均匀性。其使用寿命与采用传统点源设备制造的OLED相当。同时展示了使用溅镀阴极可以达到的合理使用寿命。     

用于液晶背光源的双层掺杂白光OLED

制备了一种双层掺杂的白光有机电致发光器件(OLED),其中BAlq:TBPe掺杂层发蓝光,Zn(BTZ)2:Rubrene掺杂层发橙色光.器件在驱动电压5 V时就能发出白光,且在驱动电压5～15 V内色坐标变化较小,均在白光色域区,在15 V时亮度达到8 572 cd/m2,在电流密度50 mA/cm2时量子效率最高达到0.9%.对该白光OLED的发光和电学性能以及发光机理进行了深入的研究和探讨,进而制备了应用于液晶显示(LCD)背光源的近白光OLED,有效面积达到3 cm×3 cm,在10 V时平均亮度达到～1 300 cd/m2,发光亮度均匀性为90%,色度均匀性较好,很好地符合了LCD对背光源的要求.     

2T1C像素电路的AM OLED数字驱动方法研究

为了改善由于像素间TFT特性不同导致的有源矩阵有机发光显示(AM OLED)亮度不均匀现象,研究了基于2T1C像素电路的边寻址边显示(Address While Display,AWD)数字驱动方法,该方法采用等权重的11子场累积式发光方式,并用有序抖动方法实现256灰度级。通过在14cm(5.5in)的AM OLED模组上对该方法的实现和验证,结果表明,数字驱动方法在0~255灰度区间的不均匀性最大为28%,对灰度变化不敏感,而模拟驱动的不均匀性随灰度级的降低显著增大,最大为133%。数字驱动显示图像的均匀性显著优于模拟驱动,且采用基本的2T1C像素电路即可实现,降低了对像素电路和制备成本的要求。     

有源OLED像素电路的设计与仿真

设计了有源OLED显示用非晶硅薄膜晶体管恒流型4-TFT像素驱动电路，并给出了驱动方法。应用HSPICE仿真了恒流型像素驱动电路的工作过程，详细分析了源（Source）电压VDD、存储电容Cs，以及开关晶体管T1、驱动晶体管T3的宽长比等参数对电路的输出特性的影响。仿真结果表明，此电路可以在整个帧周期持续供给OLED器件电流，并且解决了由于各像素驱动管阈值电压的差异带来的OLED亮度的不均匀问题。     

Improvement of brightness uniformity by AC driving scheme for AMOLED display

We propose an AC voltage driving scheme which can improve the brightness uniformity of active-matrix organic light-emitting diode (AMOLED) displays. Through the use of a charge feed-through mechanism and an AC driving voltage, the voltage drop caused by the parasitic resistance can be compensated. A 2.2 in AMOLED panel with a resolution of 176/spl times/RGB/spl times/220 has been fabricated by low temperature polycrystalline silicon technology to evaluate the performance of the AC driving scheme. Experimental results show that a brightness uniformity of higher than 91.6%, achieved by the AC driving scheme, in contrast to that of 74% achieved by a DC driving scheme.     

三极FED分段复合衬底电极的特性和制作

结合丝网印刷技术、烘烤工艺和烧结工艺,采用印刷ZnO层和银浆层相结合的方案,进行了分段复合衬底电极的制作。该分段复合衬底电极能够降低无效的阴极电压降,增强三极场发射显示器的发光亮度并改善其发光均匀性,且制作成本低廉。分段复合衬底电极避免了过长过细衬底电极现象,促使碳纳米管提供更多电子,同时有效改善了碳纳米管的场发射均匀性。利用碳纳米管作为阴极材料,进行了三极场发射显示器的研制,并进行点阵图像显示,从而证实了这种分段复合衬底电极制作工艺的可行性。与普通银电极场发射显示器相比,分段复合衬底电极场发射显示器能够将开启场强从1.92 V/μm降低到1.81 V/μm,其最大场发射电流由1 332.5μA提高到2 137.8μA,具有典型的场致发射特性以及优良的图像发光均匀性。     

垂直结构GaN基LEDs电流分布计算分析

电流分布是影响大功率LEDs器件性能的重要因素,与传统结构GaN基器件比较,垂直结构器件通过采用上下电极分布,明显改善了LEDs器件内部电流分布均匀性。通过理论分析与数值计算,建立起了垂直结构GaN基LEDs电流分布模型,研究了垂直结构GaN基LEDs电流分布及I-V特性。结果表明,与传统平面结构比较,垂直结构GaN基LEDs的电流分布均匀性得到了明显改善,同时正向电压降低约7%。最后,通过晶片键合与激光剥离技术,制备了垂直结构GaN基LEDs,测试结果表明,实验结果和理论计算值相吻合。该结果对GaN基LEDs器件的优化设计具有重要指导意义。     

一种改善LED显示屏亮度均匀性的算法

基于显示屏控制技术与校正原理,提出了一种改善LED显示屏亮度均匀性的算法.通过CCD相机采集显示屏RGB图像,用数学形态学和模板匹配法确定灯点的位置并根据发光区域的灰度值计算其相对亮度,生成每个灯点的校正参数,用脉冲宽度调制控制灯点的亮度.实验结果表明提出的算法能有效改善显示屏的亮度均匀性,提高显示屏的显示质量并延长其使用寿命.     

分段圆型碳纳米管阴极结构的三极FED制作

利用钠钙平板玻璃形成阴极板;结合丝网印刷技术在阴极板上制作了分段圆型碳纳米管阴极结构。烧结固化的银浆层用于分别构成矩形底电极和圆型底电极,其良好的导电性能确保阴极电势能够被顺利传导给碳纳米管。对矩形底电极采取了分段条形电极形式,多个分段条形电极整体排列在阴极板表面,形成分段条形电极矩阵,改进的矩形底电极能够有效降低整体显示器的无效电压降;而制作的圆型碳纳米管层和圆型底电极用于提高碳纳米管的场发射性能。结合分段圆型碳纳米管阴极,研制了三极结构的场致发射显示器。该显示器具有良好的场致发射特性和高的图像发光亮度,能够正确显示简单的字符图像,其开启场强为2.16 V/μm。     

一种卤素灯分档功率稳定控制新方法

分档功率稳定控制系统通过对市电电压进行AD采样,根据输入电压的变化,采用一种中间相位控制的新方法,控制MOS开关输出相应的脉宽,从而使得灯两端的电压稳定在特定的值,卤素灯在各分档需求中都能以稳定功率输出。     

Novel frame buffer pixel circuits for liquid-crystal-on-silicon microdisplays

A 32 /spl times/ 16 liquid-crystal-on-silicon (LCOS) backplane with novel frame buffer pixels is designed and fabricated using the AMI Semiconductor's 0.5-/spl mu/m double-poly triple-metal CMOS process. The three novel pixel circuits described herein increase the brightness of an XGA LCOS microdisplay by at least 36% without sacrificing image contrast ratio. The increase of brightness is attributed to maximizing overall image view time, allowing an image to be displayed at full contrast while the next image is buffered onto the backplane. The new circuits achieve this by removing charge sharing and charge inducement problems shown in previously proposed frame buffer pixel circuits. Voltages on the pixel electrodes measured through rail-to-rail operational amplifiers with negative feedback vary from 0 to 4.25 V (6-V power source). All data voltage levels remain constant over a frame time with less than 1% drop, thus ensuring maximum contrast ratio. Modeling and experimental measurement on the fabricated chip show that these pixel circuits outperform all others to date based on storage time, data storage level, and potential for highest contrast ratio with maximum brightness.     

n型聚合物掺杂p型聚合物单层电致发光器件

成功制备了可溶性n型聚合物PPQ掺杂的可溶性p型聚合物PDDOPV的单层发光器件。与具有相同厚度的纯PDDOPV的单层器件相比，起亮电压从4.5V降低到2.6V；在电压相同的条件下，掺杂的单层器件的电流和纯PDDOPV的单层器件在同一个数量级，但亮度和发光效率均高出1个数量级以上。在10V时，掺杂器件与未掺杂器件的电流、亮度和发光效率的比值分别是1.95,30.9和16.0。掺杂器件亮度和发光效率的大幅提高被归因于在PDDOPV中掺杂PPQ降低了少子的注入势垒，提高了少子注入水平。这一结果表明，在可溶性p型聚合物中掺杂可溶性n型聚合物是提高器件性能的有效方法。     

铟镓氮超高亮度蓝色发光二极管

从材料、器件、结构、特性及其应用等方面介绍了ＩｎＧａＮ超高亮度蓝色发光二极管，这种器件峰值波垂为４５０ｎｍ，外量子效率是２．７％，在正向电流２０ｍＡ时，亮度达１．２ｃｄ，正向压降为３．６Ｖ，比市售的其它蓝色发光二极管的亮度提高１００倍，其在上全色显示方面具有广阔的应用前景。     

Diode operation of a transistor in functional blocks

Many functional blocks have a basic double-diffused three-layer n-p-n or p-n-p structure to permit the incorporation of transistors. If diodes are also to be incorporated in the block, it is often more convenient to connect the transistor structure already present as a diode so that "batch" processing can be used. There are five different ways to connect a transistor as a diode, either by opening certain electrodes or by short-circuiting a pair of electrodes. The different connections are compared both analytically and experimentally on the basis of forward voltage drop, recovery time and reverse characteristics. It is found that the shorted collector -base connection has the shortest recovery time, comparable to fast computer diodes, and a lower forward voltage drop than the open collector diode connection. The performance is almost equivalent to a diode with a metallic contact in place of the collector. The shorted emitter-base connection has the lowest forward voltage drop. There is good agreement between theory and experiments. The applications of this analysis to the design and fabrication of a high-speed nonsaturated diode-emitter follower AND gate functional block will be illustrated.