TiNiCu合金薄膜的制备及形状记忆性能

采用镶嵌靶、通过直流磁控溅射法在不加热的情况下于硅基片上制备了Ti-49．57％Ni-5．6％Cu合金薄膜。XRD图谱表明,该薄膜为非晶态。对其进行的退火晶化后的形状记忆性能研究发现:薄膜分别经550℃×0．5 h、650℃×0．5 h晶化处理后无残余塑变存在下的最大恢复应力、最大恢复应变分别为180 MPa、2．7％;90 MPa、1．4％。     

低温APCVD法制备氮化硅薄膜

本实验用常压化学气相沉积法（ＡＰＣＶＤ）在平玻璃基板上沉积了氮化硅薄膜,研究了基板温度、反应气体比例,热处理等对氮化硅薄膜制备的影响,发现在７００℃以下,ＮＨ３／ＳｉＨ４流量比例为１５／１时制得较纯的氮化硅薄膜,比常规ＡＰＣＶＤ法制备温度低大约１５０℃。     

离子束增强沉积制备p-ZnO薄膜

采用离子束增强沉积技术制备了ZnO薄膜,分析了退火温度、退火气氛对所制备ZnO薄膜的结构、电学特性和发光特性的影响。利用IBED法获得的薄膜p型N-In共掺ZnO薄膜在氮气下退火,随着退火温度的升高,薄膜电阻值先降低后升高,然后再降低。而在氧气下退火,即使退火温度只有400℃,薄膜的电阻很快变大。     

SrBi4Ti4O15薄膜的溶胶凝胶制备及其生长行为

以氯化锶、硝酸铋和钛酸丁酯为原料,柠檬酸为络合剂,配制了稳定的SrBi4Ti4O15（SBTi）前驱液.采用层层快速退火工艺,在Pt/Ti/SiO2/Si基片上制备了a轴取向增强的SBTi铁电薄膜,通过场发射扫描电镜、环境扫描电镜及X射线衍射等微观分析手段研究了保温时间和成膜次数对薄膜结晶性、微观结构和生长行为的影响.结果表明：层层快速退火工艺,可有效抑制焦绿石相的形成.随着退火时间的延长,薄膜的结晶性变好;但退火时间延长到30 min以上,薄膜的结晶性变差.由于SBTi晶体生长的各向异性及单层膜厚对晶体沿[119]方向生长的限制,随着涂覆次数的增加,SBTi薄膜（119）峰和（200）峰的强度逐渐增大,而（00l）峰的强度反而略有减少,从而使I（200）/I（119）、I（200）/I（0010）、I（119）/I（0010）逐渐增大.     

二氧化钒薄膜制备方法研究进展

VO_2是一种受人关注的功能材料,在68℃附近发生从高温金属相到低温半导体相的突变,且相变可逆。由于相变前后其电、磁、光性能有较大的变化,使得它在智能玻璃、存储介质和非制冷红外成像等方面有着广泛的应用。由于制备高纯度VO_2薄膜较为困难,因此人们对VO_2薄膜的制备进行了大量的研究工作。文章综述了VO_2薄膜的各种物理制备方法与化学制备方法以及他们的最新研究进展,根据对不同制备方法优缺点的分析及探讨,对二氧化钒薄膜制备方法的研究方向进行了展望。     

旋转涂覆法制备硫化砷玻璃薄膜及其光学性质的研究

利用旋转涂覆法在K9玻璃基片上得到硫化砷玻璃薄膜，并在不同的温度下对薄膜进行不同时间的热处理。简单解释了薄膜厚度和波长与薄膜折射率的关系，并说明了热处理工艺对薄膜折射率、禁带宽度和厚度等性质的影响。     

SmCo薄膜的共溅射制备及磁学性能研究

采用磁控共溅射方法制备了非晶态的SmCo磁性薄膜,用振动样品磁强计(VSM)分析了薄膜的磁学性能,并通过原位后退火处理研究了其磁学性能。结果表明,在600℃下退火30分钟,SmCo薄膜样品的矫顽力升高,并且磁化取向有从面内转向垂直方向的趋势。     

低温制备二氧化钛光催化剂薄膜的研究进展

详细介绍了化学浴、连续离子层吸附反应、液相沉积法、溶胶-凝胶法、粘结剂法和溅射法等低温制备TiO2薄膜的常用方法,概述了其制膜原理和薄膜性能,指出低温制备TiO2晶态薄膜技术目前存在的问题及未来的发展方向。     

纳米晶二氧化钛光催化薄膜的制备技术及表征

论述了纳米TiO2的光催化原理以及影响其光催化活性的主要因素；综述了近年来二氧化钛纳米晶光催化薄膜的制备技术和表征方法的研究成果，并对二氧化钛纳米晶光催化薄膜技术的发展方向进行了展望。     

破解薄膜印刷三难题

薄膜印刷想要得到理想的效果并非易事 ,尤其是印前处理、墨膜晶化、印膜起皱常令操作工头疼不已。有言道 :论事易做事难。深层的理论探讨往往会令人一时茫然 ;而本文综合这三方面的经验 ,均来自一线多年的日积月累所得 ,不妨一读     

Crystallization of Sol–Gel-Derived Barium Strontium Titanate Thin Films

Microstructural development of thin-film barium strontium titanate (Ba _x Sr_{1– x} TiO₃) as a function of strontium concentration and thermal treatment were studied, using transmission electron microscopy (TEM) and X-ray diffractometry (XRD). Thin films, ∼250 nm thick, were spin-coated onto Pt/Ti/SiO₂/Si substrates, using methoxypropoxide alkoxide precursors, and crystallized by heat-treating at 700°C. All films had the cubic perovskite structure, and their lattice parameters varied linearly with strontium content. Films with higher strontium concentrations had a larger average grain size. In situ TEM heating experiments, combined with differential thermal analysis/thermogravimetric analysis results, suggest that the gel films crystallize as an intermediate carbonate phase, Ba _x Sr_{1– x} TiO₂CO₃ (with a solid solution range from x = 1 to x = 0). Before decomposition at 600°C, this carbonate phase inhibits the formation of the desired perovskite phase.     

Effect of the Pb/Ti Source Ratio on the Crystallization of PbTiO3 Thin Films Grown by Metalorganic Chemical Vapor Deposition at Low Temperature of 400oC

Crystalline PbTiO₃ thin films were successfully deposited on (111)-oriented Pt/Ti/SiO₂/Si and on (200)-oriented Pt/SiO₂/Si by metalorganic chemical vapor deposition at a substrate temperature of 400°C, using a β-diketonate complex of Pb(tmhd)₂ (tmhd = 2,2,6,6-tetramethyl-3,5-heptanedionate) and titanium isopropoxide as source precursors. The dependence of the formation of crystalline PbTiO₃ phase on the Pb/Ti input precursor ratio is qualitatively described. The structure of the films deposited at 400°C changed from amorphous to polycrystalline with an increase of the Pb/Ti ratio from 1.1 to 5.0, including a partially crystallized structure at some intermediate ratio. Partial crystallization of as-grown PbTiO₃ film was analyzed by scanning electron microscopy, micro-Raman, and Auger electron spectroscopy measurements. It was found that the control of excess Pb precursor through a change in the Pb/Ti ratio is the key process parameter for the formation of crystalline PbTiO₃ phase in the low-temperature MOCVD process.     

高气压条件下MPCVD法快速制备金刚石膜

近年来研究表明,在微波等离子体化学气相沉积法(MPCVD)制备金刚石的过程中,增大反应气压和微波功率是提高金刚石生长速率的有效途径.本文采用自主改进的圆柱谐振腔式MPCVD装置,以H2-CH4为气源,在反应气压30 kPa、微波功率5.8 kW、CH4浓度不同的条件下进行了多晶金刚石膜的制备研究,并采用扫描电镜、X-射线衍射和激光拉曼光谱技术对所制备样品的表面形貌、物相及品质进行了分析.结果表明,CH4浓度由2.5％提高至5％,金刚石膜的质量较好,沉积速率由7.5μm/h提高至27.5μm/h.     

氟硅酸钠制备多晶硅研究进展

本文概述了多晶硅的用途、重要性和主要研究方法,重点介绍了采用氟硅酸钠制备多晶硅的方法,该方法由于能耗低、污染小将是具有良好发展前景的太阳能级多晶硅制备方法.论述了氟硅酸钠制备多晶硅的研究进展与存在的难点,并提出了要实现制备太阳能级多晶硅产业化需解决的问题.     

Transient Photoinduced Absorption in Ultrathin As-grown Nanocrystalline Silicon Films

We have studied ultrafast carrier dynamics in nanocrystalline silicon films with thickness of a few nanometers where boundary-related states and quantum confinement play an important role. Transient non-degenerated photoinduced absorption measurements have been employed to investigate the effects of grain boundaries and quantum confinement on the relaxation dynamics of photogenerated carriers. An observed long initial rise of the photoinduced absorption for the thicker films agrees well with the existence of boundary-related states acting as fast traps. With decreasing the thickness of material, the relaxation dynamics become faster since the density of boundary-related states increases. Furthermore, probing with longer wavelengths we are able to time-resolve optical paths with faster relaxations. This fact is strongly correlated with probing in different points of the first Brillouin zone of the band structure of these materials.     

PECVD制备富硅氮化硅薄膜的工艺条件及其性质的研究

采用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)以SiH4和N2为反应气体,分别在射频功率、硅烷稀释度[SiH4/N2]、衬底温度为变量的情况下制备了富硅氮化硅薄膜材料,利用X射线衍射谱(XRD)、傅里叶变换红外谱(FTIR)、紫外-可见光吸收谱(UV-Vis)对薄膜材料进行了表征,并研究了薄膜材料的微结构和晶化状况、光学特性等.实验结果表明,所沉积薄膜都为富硅的非晶氮化硅材料,改变射频功率、硅烷稀释度和衬底温度可以控制氮化硅薄膜中N元素的含量、光学带隙的大小和薄膜的折射率,并制备出最适宜富硅氮化硅薄膜,为进一步退火析出硅量子点奠定了基础.     

多晶硅产业现状及发展趋势

介绍多晶硅国内生产企业的现状、市场需求、技术水平以及未来的发展趋势。     

多晶硅产业现状及发展趋势

介绍多晶硅国内生产企业的现状、市场需求、技术水平以及未来的发展趋势.     

西门子法生产多晶硅过程中尾气的分离及综合利用

综述了多晶硅生产过程中尾气的分离方法,经过精馏分离后副产物中SiHCl3、HCl和H2可循环利用。并介绍了SiCl4和SiH2Cl2的处理方法,通过分析前人所做的结果发现:副产物SiCl4可用锌还原法进行处理,这样就形成西门子法与锌还原法相结合生产多晶硅的合理方法,既能降低成本,又能回收利用SiCl4,且能完全闭路循环;SiH2Cl2可用来进一步制备多晶硅。     

硅粉密相气力输送技术在多晶硅生产中的应用

介绍某多晶硅厂对硅粉加料采用密相气力输送技术的输送方式和工艺流程,分析了该气力输送系统中主要设备和管道、阀门选型及设计时的考虑因素。