MPOF的制备

微结构聚合物光纤(MPOF)是一种新型的光纤,有着良好的应用前景,为此介绍了MPOF的各种制备方法:毛细管堆叠法、铸塑法、钻孔法等;并用毛细管堆叠法和铸塑法分别制作了一种微结构双折射光纤和一种分段式包层结构光纤.还提出了一些具有创新意义的工艺手段,而这些工艺手段通过实验证明是令人满意的.     

MPOF用拉丝塔分区加热系统的设计

拉丝是制作微结构聚合物光纤（MPOF）的关键环节之一，而加热系统则是拉丝塔的关键组成部分。制作MPOF要求加热系统的温度场呈特殊分布，因此设计了一种基于微控制器（Microcontrol Unit，MCU）的分区加热系统。该系统温度曲线比较理想，满足了制作MPOF的需要。     

利用改进的堆积法制备微结构光纤

通过改进的堆积法,制备无间隙孔微结构光纤（MSF）。该方法包括3个步骤：1）通过传统堆积法,制备MSF的预制棒;2）对预制棒进行预定型处理,对其一端加热使毛细管熔死,再将预制棒放入高温炉中加热至1600℃,并对另一端加压加气,内部毛细管受气压扩张,进而膨胀使间隙孔受力消失．所有的包层毛细管熔到一起形成了一整体,这样有助于拉丝时保持光纤的结构;3）完成拉丝过程。用这种改进的堆积法进行MSF的制备,取得了很好的试验结果。     

MPOF切割机温度控制系统的设计

微结构聚合物光纤(MPOF)是一种新型的聚合物光纤,其主要特征是在包层中有形状、大小、排列不同的空气孔.因为材料的特性,聚合物光纤的切割以及端面处理要比石英光纤复杂得多,尤其对于具有微结构的聚合物光纤更是如此.影响光纤切割质量的因素很多,其中切割时切割机的温度是决定光纤切割质量的关键.因此,设计了一种以单片机作为核心部件的切割机温度精确控制系统.该系统工作稳定,性能可靠,能够满足实验需要.     

微结构光纤制备中的问题分析

分析了微结构光纤制备过程中存在的一些问题,简述了温度、空气孔中的空气压力、表面张力等因素对微结构光纤中毛细管形变的影响.建立了可行的制备技术工艺路线.同时比较了微结构光纤预制棒制作的不同方法,详细介绍了改进的堆积法方案.     

新型挤压法制备硫系玻璃光纤及其性能研究

选用组分为Ge15Sb20S65和Ge25Sb5Se70的两组硫系玻璃,制备了多种尺寸的高质量硫系玻璃,分析了两组玻璃的物理、热学和光学性能;利用复合层叠挤压法制备了硫系玻璃光纤预制棒,避免了钻孔法或其他机械加工引起的预制棒界面缺陷,且光纤端面结构可随模具尺寸自由设计,挤压后光纤预制棒结构整齐,内外界面整洁光滑;利用高温聚合物保护的预制棒具有良好的机械性能,用光纤拉丝机将具有保护层的预制棒拉制成光纤;利用普通光纤抛光机进行端面抛光,光纤端面结构均匀,界面无明显缺陷。傅里叶红外光纤光谱仪(FTIR)测试光纤损耗谱表明,在波长4.8μm处光纤的最低损耗为2.63dB/m。     

微结构光纤的制备及其技术进展

对微结构光纤(MSF)的分类及其制备方法的发展进行了较为全面的描述,详细介绍了多种微结构光纤的制备方法,并结合自己的实验结果,比较多种制备方法对光纤的制备加以总结说明.     

光纤预制棒(MCVD法)的工艺理论研究

本文对光纤预制棒(MCVD)的工艺机理进行了理论分析,建立了沉积过程中的微粒沉降模型,该模型的基本原理与实验观察一致。对渐变型折射率分布多模光纤的结构分析表明,MCVD法能精确地控制a参数和数值孔径,为提高沉积速率和生产效率开辟了应用途径。     

浅析大尺寸光纤预制棒(OVD法)的制备工艺

光纤预制棒的大型化是降低光纤拉丝成本的必要手段,本文介绍了利用OVD法生产大尺寸光纤预制棒的工艺方法,主要包括大尺寸光纤预制棒在沉积、烧结、保温过程中的设备与工艺介绍.     

微结构聚合物光纤制备材料的聚合工艺

针对制备微结构聚合物光纤（MPOF）所采用的反应系统，采用正交试验法，确定了影响甲基丙烯酸甲酯（MMA）本体聚合的主要工艺条件，改进了聚合工艺。实验结果表明在反应温度为135℃，反应时间为23h，引发剂量为0．01％，链转移剂量为0．06％的条件下，MMA的转化率为86％，分子量为7．3万。     

塑料微结构光纤拉丝塔分区加热系统的设计

加热系统在制作微结构塑料光纤(Microstructured Polymer Optical Fibers--MPOF)过程中是非常重要的,它直接影响最终拉丝结果的好坏.文章介绍了一种分区加热系统,该系统将预热区和高温区隔离开来,并采用隔板与外界空气隔离,可以达到比较理想的温度曲线,满足了制作不同结构MPOF时的需要.     

一种激光诱导灼蚀制备纳米硅的新方法

采用高强度激光灼蚀沉积(PLD)的方式,在流动N2做为保护气体的情况下,成功制备出Si纳米结构,并利用扫描电镜(SEM)、光致发光(PL)进行表征。结果表明,该方法制备的纳米Si尺寸在几nm到几10nm之间,同时它具有较强的发光,发光强度比同等测量条件下的多孔Si(PS)样品高10倍以上,而且方法比较简单。     

一种制备氧化钒薄膜的新工艺

采用两步法工艺,即先在衬底上溅射一层金属钒膜,再对其进行氧化的方法,在硅和氮化硅衬底上制备了高电阻温度系数的混合相VOx多晶薄膜。电学测试结果表明:厚度为50nm的氧化钒薄膜的方块电阻和电阻温度系数(TCR)在室温时分别达到50kΩ和0.021K-1。     

基于SDB技术的新结构PT型IGBT器件研制

报道了基于 SDB技术的新结构穿通 ( PT)型 IGBT器件的研制 .运用 SDB技术 ,实现了PT型 IGBT器件的 N+ 缓冲层的优化设计 ,也形成了 IGBT器件的正斜角终端结构 .研制出IGBT器件有较好的电击穿特性和关断特性 .     

基于SDB技术的新结构PT型IGBT器件研制

报道了基于SDB技术的新结构穿通(PT)型IGBT器件的研制.运用SDB技术,实现了PT型IGBT器件的N+缓冲层的优化设计,也形成了IGBT器件的正斜角终端结构.研制出IGBT器件有较好的电击穿特性和关断特性.     

光谱拟合反演法制备高显色指数白光LED的研究

荧光粉受激发产生的白光LED照明光源存在显色指数较低的问题.对此提出一种利用光谱拟合反演高显指目标光谱的方法,针对已知白光LED计算提高该光源所需补充的单色光LED种类及光谱系数.利用光谱拟合方法分析添加不同波段的光谱对白光LED显指和色温的影响.并通过拟合反演的方法进行补光设计,使用一到两种单色光LED,将冷白光源和中性白光源的显指分别提高至92.3和96.8.实验结果表明,使用红光与蓝绿光、低波长绿光LED补光后,大幅度提高了荧光粉受激发产生的白光LED光源的显色性.     

贴装用高热导率集成电路基板的水热法制备研究

针对当前SMT中集成电路基板散热难的问题,结合热设计方法,系统地研究了热液条件下在高纯度铝基片上生长氧化铝膜的技术,并对制成的基片电性能及其温度特性、表面形貌做了详细的测试与分析。结果表明:有氧化铝膜的铝基片既有高的散热性,又有好的电性能,完全符合SMT基板的要求,有广泛的应用前景。