多晶硅太阳电池表面化学织构工艺

用化学腐蚀方法织构多晶硅片的表面，利用SEM分析了化学腐蚀后多晶硅片表面状态，通过反射谱的测试，分析了多晶硅片表面陷光效果。结果表明酸溶液腐蚀的硅片表面相对平整，有均匀的腐蚀坑，反射率很小。在没有任何减反射膜的情况下，在500-1000nm波长范围内，反射率在16％以下，有较好的表面陷光效果。而用碱溶液和双纪念品构腐蚀方法得到的多晶硅表面陷光作用都不很理想，反射率高于酸溶液腐蚀硅片，腐蚀后的硅片表面状态也不利于扩散和丝网印刷工艺。     

多晶硅常识一二三

·硅在自然界中分布极广,地壳中约含27.6%,仅次于氧。·冶金级硅是二氧化硅与焦炭在电弧炉中反应形成,其纯度在97%～99%,用于冶金或化学工业。·太阳能级多晶硅用冶金级硅提纯,其纯度达到99.9999%以上。·太阳能级多晶硅生产主要使用改良西门子法、硅烷法、冶金法等生产。     

多晶硅氢化炉及还原炉的研发

通过分析我国多晶硅生产现状,改良西门子法的原理和国内运行存在的问题,研制具有特色的氢化炉／还原炉,实现多晶硅生产的减排降耗。     

多晶硅还原炉高频交流电加热机制研究

以多晶硅还原炉硅棒焦耳电加热过程为研究对象,考虑辐射、对流以及化学反应热3种热量传递形式,耦合频率控制的电磁场模型,建立硅棒焦耳电加热模型.基于该模型,分析不同频率下24对棒还原炉内、中、外环上硅棒内部温度及电流密度分布.研究表明,交流电频率越高,硅棒内部温度分布越均匀.当相对频率RF＞10时,硅棒中心附近存在恒温区,...     

多晶硅酸制绒工艺研究

利用化学腐蚀法制备多晶硅绒面,根据不同酸液配比研究了硅表面暗纹形成情况及对电池电性能的影响。实验结果表明：在富HNO3的环境下可有效减少暗纹的生成,通过实验优化工艺得出较佳的酸液配比为HF：HNO3：H2O=1：4,5：3.2,在此配比下眼池片外观正常,电性能稳定性较好。     

多晶硅还原炉电气系统研制及其实际应用

介绍了多晶硅还原炉电气系统的主要设备,着重分析了预热调压器和还原调压器的工作原理,并且提出了一种新型的还原调压器设计思想,减少了谐波含量,提高了功率因数.最后说明了多晶硅还原炉调压器的计算机操作系统的功能.     

基于多晶硅金刚线切割工艺的光伏生命周期分析

金刚线切割工艺已经成为当今光伏产业硅片生产的主流技术.该文采用生命周期分析方法,以1 kW多晶硅太阳电池光伏发电系统为模型,研究使用金刚线切割工艺替代原来的砂浆切割技术后,这一技术更新所带来的光伏产品的能耗和碳排放量的降低效应.计算表明:应用金刚线切割工艺的光伏系统生命周期碳排放为1358.53 kg/kW,金刚线切割...     

整合创新助多晶硅产业闯关

据中国有色金属协会数据显示:自201 1年下半年以来,中国多晶硅产业出现严重的库存积压,已投产的43家多晶硅企业仅剩8家企业尚在开工,停产率已高达80%。除了国际市场环境的恶化之     

快速热处理工艺下金属杂质对铸造多晶硅少子寿命的影响

利用离子注入技术在铸造多晶硅中分别引入铜、铁、镍杂质玷污,用微波光电导衰减(μ-PCD)仪测试技术研究了铜、铁、镍杂质对硅片少子寿命的影响.研究发现:原生铸造多晶硅片和离子注入铜、铁、镍杂质的多晶硅片经1000℃常规热处理2h后少子寿命值都会降低,下降幅度基本一致.原生硅片在低中温条件下,少子寿命值呈现先下降后上升的趋势;当硅片经高温RIP后,其少子寿命值得到明显改善.低中温RTP条件下,经铜、镍杂质玷污的硅片随着退火温度的升高,少子寿命变化不大.高温RTP条件下,经铜、铁、镍杂质玷污后硅片的少子寿命迅速下降.实验结果表明高温RTP能够提高杂质含量较低硅片的少子寿命,而对杂质含量较高硅片的少子寿命有负面影响.     

2010年冶金法太阳能级多晶硅产业技术进展

随着光伏发电成本的降低,光伏电池的产量和应用量越来越大,对太阳能级多晶硅的需求也越来越大。目前的太阳能多晶硅原料绝大多数都是采用金属硅为原料,用盐酸反应成三氯氢硅后气化精馏提纯,得到纯三氯氢硅后,再用氢气还原得到纯硅。这就是西门子法多晶硅,通常,其纯度可以达到9N以上。西门子法多晶硅原来主要用于制作半导体器件,光伏应用发展起来以后,也开始成为光伏电池所用的太阳能级多晶硅的主要生产工艺。但太阳能级多晶硅的最佳纯度应当是6N(99.9999%),因为纯度在7N以上的多晶硅电阻率过高,通常在     

低耗无污新工艺“蒸”出低价太阳能级多晶硅

2010年6月18日,由南阳迅天宇硅品有限公司、中科院上海技术物理研究所联合研发的物理法太阳能级多晶硅全流程工艺,通过了中科院上海分院专家的成果鉴定。这项技术填补了国际上没有专门面向光伏产业的多晶硅工业技术的空白,标志着我国已经超越发达国家,在节能环保的低成本太阳能级多晶硅制造新技术领域取得了重大突破。     

电力线路拉线制作工艺技术提升

随着电力系统的飞速发展,电力线路的常规运行、施工中必须要用到的电力拉线制作工艺已经无法适应新要求了.传统的电力拉线制作工艺,流程复杂,操作繁琐,需要两人以上配合完成,制作效率较低,因此有必要开发一套电力线路拉线制作工具,对制作工艺进行升级改造,提高电力拉线制作质量和制作效率.本文以电力线路拉线在电力系统中所起到的作用以...     

格尔木—拉萨±400 kV直流线路鼠笼式V型跳线安装工艺

格尔木—拉萨±400 kV直流线路工程采用鼠笼式V型跳线,与交流线路鼠笼式Ⅰ型跳线安装有所区别.通过耐张金具串长、转角度数、横担长度、跳线钢管与导线挂线点相对位置等参数,计算Ⅴ型鼠笼跳线四分裂导线中2根上子线引流板角度,归纳比较了鼠笼式Ⅴ型跳线安装不同工艺方案的优缺点,为同类工程提供借鉴,并提出了鼠笼跳线设计和安装改进建议.     

中印输电线路规范风荷载比较

面对越来越多的国外工程设计的需求,了解、熟悉并掌握国外规范及其与国内规范的异同,对于在国外工程中更好地采用国外规范进行设计是很有必要的。从实际工程出发,对印度输电线路规范IS 802和中国输电线路规范GB 50545-2010的风荷载计算进行分析和比较。结果表明,中印规范在风荷载重现期、平均时距、风载体型系数、风振系数以及线路和杆塔风荷载计算值上都有些差别。     

COREX工艺软件的研究与开发

简述开发COREX工艺软件的设计方法与功能。工艺软件分为五大模块,通过Visual Basic与Access数据库的接口,实现数据的保存和传送。根据COREX工艺操作设定输入参数,模型能够计算出原料和熔剂消耗、渣量及成分和产生煤气量及成分。软件能够检验操作参数和原料化学成分和配比的改变对COREX工艺物流和能流的影响。软件能够给出详细的工艺分析和工厂操作的调整,因此可以用来改善工厂操作。     

10kV与35kV配电线路防雷技术比较

介绍了雷电过电压的分类,分析了10kV和35kV配电线路防雷技术的特点,提出了相应的防雷措施。实践应用的结果表明,10kV配电线路应重点考虑感应雷击过电压的防护,35kV配电线路则应同时考虑感应雷击和直击雷的防护。     

红土镍矿金属化球团直接还原工艺研究

采用转底炉直接还原工艺处理红土镍矿制备金属化球团,通过正交实验探索对红土镍矿选择性还原的影响因素,找出最佳工艺参数。实验表明,可以通过调整温度、还原时间和(C)/(O)来实现选择性还原。从金属化球团扫描电镜观察及XRD衍射分析得知,金属晶粒成长不规则,分布不均匀,(Fe)约为80%,(Ni)约为8%,球团中铁主要以金属铁与硅酸铁的形式存在;镍主要以金属形式存在。当铁金属化率到53.81%时,XRD衍射分析已测不出镍氧化物的存在。     

输电线路暂态信号检测方法比较分析

输电线路发生故障产生的暂态行波是一个突变的、具有奇异性的信号,正确检测出信号的突变点即暂态行波波头是利用行波进行保护和测距的核心。对电网中断路器操作、电容投切、一次电弧、单相短路、雷击等产生的暂态信号进行了仿真．并分别利用小波变换模极大值、小波变换Lipischitz a、小波变换能量谱检测行波波头进行比较分析。EMTP仿真分析表明,三种方法均有提取行波特征,且采用小波能量谱检测输电线路暂态行波波头到达的时刻最精确,故障定位精度最高。     

TOPCon太阳电池中多晶硅层磷掺杂工艺的优化及其对电性能的影响

随着光伏行业的飞速发展,PERC太阳电池技术已无法满足太阳电池光电转换效率的进一步提升,TOPCon太阳电池因具有高光电转换效率,被认为是下一代太阳电池技术的可选方案。针对TOPCon太阳电池的多晶硅层的磷掺杂量、推进温度及推进时间对多晶硅层、硅衬底中磷掺杂特性及电性能参数的影响进行了研究。研究结果显示：在隧穿氧化层及多晶硅层厚度分别设定为1.5和130.0 nm的条件下,磷掺杂参数设置为通源流量为1400 sccm、通源时间为25 min、推进温度为880℃、推进时间为30 min时,既保证了钝化效果,也保证了欧姆接触和寄生吸收在合理的区间,TOPCon太阳电池的光电转换效率达到了最大值,为24.48%。     

Midrex气基直接还原工艺的发展

对Midrex气基直接还原工艺及其发展历程进行了介绍,随着工艺的发展,Midrex工艺的生产率逐步提高.对Midrex工艺的多样性进行了阐述,随着工艺多样性的发展,Midrex工艺能够满足用户的不同需求.