快速热退火对锑化铟表层化学配比的影响

锑化铟是一种窄禁带化合物半导体。近几年,它作为3～5μm红外探测器阵列的一种材料受到广泛的重视。为了制备高质量的锑化铟PN结光电二极管,铍注入与快速热退火(RTA)技术相结合是一种最佳的选择。本文借助俄歇电子能谱(AES)对在快速退火条件下锑化铟表层化学配比的偏离进行了系统的研究。     

锑化铟光伏器件温度特性分析

锑化铟光伏器件一般工作在７７Ｋ。本文介绍采用金属变温杜瓦瓶在不同温度下测试了锑化铟光伏器件的光电特性，其结果显示出锑化铟光伏器件在高于７７Ｋ一段温度范围内也能满足工作需要，因此为锑化铟制冷探测器的设计提供了一定的依据。     

N_2和NH_3退火对铪铝氧栅介质C-V特性的影响

采用原子层淀积(ALD)的方法在Si(100)衬底上制备了铪铝氧(HfAlO)高介电常数介质,并研究了N2和NH3退火对于介质薄膜的影响。改变原子层淀积的工艺,制备了三组含有不同Al∶Hf原子比的铪铝氧(HfAlO)高介电常数介质。电容电压特性(C-V)测试表明,薄膜的积累电容密度随着薄膜中Al∶Hf原子比的减少而增加。实验表明,用N2和NH3对样品进行淀积后退火,可以减小等效电容厚度(CET)、降低固定正电荷密度以及减小滞回电压,从而有效地提高了介质薄膜的电学特性。     

HgCdTe MIS器件制备及其C-V特性研究

通过在P-HgCdTe上生长阳极硫化膜和ZnS介质钝化层,制备出了性能较好的MIS器件,并通过对MIS器件C-V特性的分析,获得了ZnS/自身钝化膜/P-HgCdTe的界面特性.所测的界面电荷密度在1010～1011cm-2之间,平带电压在2 V以下.     

氧退火对钛酸锶钡薄膜介电常数的影响

采用氩离子束镀膜技术和硅平面工艺,在SiO2/Si衬底上淀积钛酸锶钡 (Ba1-xSrxTiO3)薄膜,研究在氧气氛中不同温度和时间的退火对薄膜的介电常数的影响。实验结果表明,在退火温度为600℃时,随着氧退火时间的增加,钛酸锶钡薄膜的相对介电常数减小;而在退火时间为30 min时,随着退火温度的增加,钛酸锶钡薄膜的相对介电常数增加。微观结构分析和极化理论解释了这一现象。     

铍离子注入锑化铟快速热退火的背散射沟道分析

本文借助背散射沟道分析技术系统地研究了Be离子注入InSb快速热退火后的剩余损伤,采用俄歇电子能谱仪分析了InSb表层组分的化学配比,并对背散射分析的结果进行了详细的讨论。     

HfTiO氮化退火对MOS器件电特性的影响

采用磁控溅射方法,在Si衬底上淀积HfTiO高k介质,研究了NO、N2O、NH3和N2不同气体退火对MOS电特性的影响。结果表明,由于NO氮化退火能形成类SiO2/Si界面特性的HfTiSiON层,所制备的MOS器件表现出优良的电特性,即低的界面态密度、低的栅极漏电和高的可靠性。根据MOS器件栅介质(HfTiON/HfTiSiON)物理厚度变化(ΔTox)和电容等效厚度变化(ΔCET)与介质(HfTiON)介电常数的关系,求出在NO气氛中进行淀积后退火处理的HfTiON的介电常数达到28。     

退火处理对纳米ZnO膜结构及气敏特性的影响

用X射线衍射和透射电镜表征了直接沉淀法制得的纳米ZnO粉体的晶型、晶格常数、粒径及形貌等。研究了退火对纳米ZnO粉体制成的膜气敏性质和微结构的影响。结果表明低温退火可以改善ZnO膜的微结构和气敏效应的稳定性。     

退火处理对纳米ZnO膜结构及气敏特性的影响

用X射线衍射和透射电镜表征了直接沉淀法制得的纳米ZnO粉体的晶型、晶格常数、粒径及形貌等.研究了退火对纳米ZnO粉体制成的膜气敏性质和微结构的影响.结果表明低温退火可以改善ZnO膜的微结构和气敏效应的稳定性.     

退火温度对SOI材料与器件性能的影响

在注氧形成的SOI衬底上制作了P型MOSFET。本文研究了不同退火温度对材料形成与器件性能的影响。结果表明,1300℃以上的退火有利于改善SIMOX(Separation by ImplantedOxygen)材料性能,MOS晶体管具有非常低的漏电流。     

Annealing Effect on the Characteristics of Liquid Crystal Devices Containing Polymer Walls

In this paper, a novel method was proposed to fabricate a pure liquid crystal (LC) structure using the thermal annealing process, which successfully expel the residual monomers from the LC volume and considerably enhance optical properties of the polymer-wall LC devices. Using a series of experiments, the impact of annealing process on the purity of LC-rich domain and the electro-optic properties of a LC cell was evaluated. Based on the experimental results, the annealing technique is extremely potential for constructing the polymer wall LC cell in view of flexible display applications      

钝化膜应力对锑化铟器件性能的影响

随着InSb红外探测器关键尺寸的不断缩小,钝化膜应力的大小对器件I-V性能的影响越发明显。为了降低探测器芯片的应力,研究了一种由SiO₂ 和SiON组成的复合钝化膜体系。通过改变气体的射频时间,在InSb晶片上淀积厚度分别为300 nm、500 nm、700 nm和900 nm的钝化膜,测量并计算了不同厚度钝化膜的应力。当厚度为700 nm时,钝化膜的应力最小值为－1.78 MPa。研究了具有不同应力钝化膜的器件的I-V特性,发现厚度为700 nm时InSb芯片具有更加优异的I-V特性。通过调整复合钝化膜的厚度,降低了钝化膜的应力,有效地提升了InSb探测器的性能。     

CMOS器件的等时、等温退火效应

研究了辐射后CMOS器件的等温、等时退火特性,给出了nMOSFET和pMOSFET器件不同条件下的对比结果.研究表明:100℃等温退火是最有效的,等时退火所需的全过程时间最短,通过25℃与100℃等温退火结果的比较,可以确定此种器件的加速因子.相对于0V和浮空偏置条件,在+5V栅偏压退火情况下,阈值电压恢复速度快,恢复程度大.     

CMOS器件的等时、等温退火效应

研究了辐射后CMOS器件的等温、等时退火特性,给出了n MOSFET和p MOSFET器件不同条件下的对比结果.研究表明:10 0℃等温退火是最有效的,等时退火所需的全过程时间最短,通过2 5℃与10 0℃等温退火结果的比较,可以确定此种器件的加速因子.相对于0 V和浮空偏置条件,在+5 V栅偏压退火情况下,阈值电压恢复速度快,恢复程度大.     

用C—V法测试Cd在InSb中扩散层的杂质浓度及其分布

在光伏型红外探测器的生产中,扩散层的杂质浓度及其分布是十分重要的。及时了解杂质浓度及其分布,将有助于获得最佳性能的器件。本文研究了 C-V 法测试 Cd 在 InSb 中扩散层的杂质浓度及其分布,为浅结杂质分布的确定提供了一个新的方法。     

Characteristics of Metal-Insulator-Semiconductor Coplanar Waveguides for Monolithic Microwave Circuits

Using a full-wave mode-matching technique, an extensive analysis is presented of the slow-wave factor, attenuation, and characteristic impedance of a metal-insulator semiconductor coplanar waveguide (MISCPW) as functions of the various structural parameters. Design criteria are given for low-attenuation slow-wave propagation. By a proper optimization of the structure, performances comparable with or even better than those of alternative structures proposed in the literature are theoretically predicted.     

热退火对多晶硅特性的影响

为研究热退火对太阳电池用多晶硅的影响,在750～1150℃,N2和O2环境下分别对硅片进行热处理.用傅里叶红外光谱仪和准稳态光电导衰减法测量退火前后的氧碳含量和少子寿命的变化.为了比较,对有相同氧碳含量的直拉硅片进行同样处理.结果发现:在多晶和单晶片中氧碳含量下降很小,意味着没有氧沉淀产生,晶界对碳行为影响不大.多晶硅片在N2和O2环境下,850、950和1150℃下退火,少子寿命都有很大提高,并且在O2中退火比N2中退火少子寿命上升得更多,可能由于在高温退火时大量杂质扩散到晶界处,减少了复合中心.另外,间隙硅原子填充了空位或复合中心从而导致寿命提高.     

热退火对多晶硅特性的影响

为研究热退火对太阳电池用多晶硅的影响,在750～1150℃,N2和O2环境下分别对硅片进行热处理.用傅里叶红外光谱仪和准稳态光电导衰减法测量退火前后的氧碳含量和少子寿命的变化.为了比较,对有相同氧碳含量的直拉硅片进行同样处理.结果发现:在多晶和单晶片中氧碳含量下降很小,意味着没有氧沉淀产生,晶界对碳行为影响不大.多晶硅片在N2和O2环境下,850、950和1150℃下退火,少子寿命都有很大提高,并且在O2中退火比N2中退火少子寿命上升得更多,可能由于在高温退火时大量杂质扩散到晶界处,减少了复合中心.另外,间隙硅原子填充了空位或复合中心从而导致寿命提高.     

锑化铟p-on-n光伏器件的离子注入设计

通过理论分析计算获得了光伏型InSb红外探测器的的优化掺杂浓度及结深.利用LSS理论估算了Be+注入InSb的射程及标准偏差,同时设计了与优化掺杂浓度及结深相对应的注入条件.实验所得典型的R0A为值4.7×103～3×103 Ω·cm2,量子效率为0.65～0.7之间.实验R0A值及量子效率与理论结果基本吻合.此工作对离子注入工艺有一定的参考价值.