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用三维边缘元方法分析了有间隙Ⅱ-Ⅵ族半导体材料的散射特性.该方法直接从泛函变分出发,避开了其它方法中求解有损超薄介质填充波导本征值和本征函数的困难,简化了求解过程.计算结果与实验值的比较证实了本方法具有有效、可靠和精确的特点 相似文献
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用三维边缘元方法分析了有间隙Ⅱ-Ⅵ族半导体材料的散射特性,该方法直接从泛函变分出发避开了其它方法中示肯损超薄介质填充波导本征值和本片函数的困难,简化了求解过程,计算结果与实验值的比较证实了本方法具有有效,可靠和精确的特点。 相似文献
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用有限元和场匹配相结合的方法分析了Ⅱ-Ⅵ族半导体材料的散射特性。该方法能一次求出纵向模匹配所需要的所有本征模函数,并避开了多模网络方法中求解复超越方程的困难,简化了求解过程。本方法和多模网络方法计算的结果与多个样品的测试值进行了比较,彼此吻合得很好,表明本文方法不仅通用精确,而且具有很高的解题效率。 相似文献
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测量了Ⅱ-Ⅵ族半导体材料Hg1-xCdxTe、ZnSe等的远红外反射光谱,拟合得到样品的载流子浓度、迁移率、电阻率等参数 相似文献
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用分子束外延法在GaAs(100)衬底上生长了高质量的四元合金Zn1-xMgxSySe1-7薄膜,在对所生长的样品进行俄歇电子能谱、X射线衍射和喇曼散射后,提出了一种确定四元合金Zn1-xMgxSySe1-y组分的方法,即:利用ZnSySe1-y和化学配比的MgSe作为标准样品,通过X射线衍射和嘈曼散射测得标准样品ZnSySe1-y中的S组分,再根据ZnSySe1-y和MgSe的俄歇谱图,对各 相 相似文献
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第四届国际Ⅱ-Ⅵ族化合物会议于1989年9月17日至22日在联邦德国西柏林的柏林技术大学举行,这是一次大型的国际学术会议,约有20个国家和地区的300余人参加。会议交流的论文约250篇,以联邦德国的最多,约40余篇,其它依次是日本、法国、苏联、英国、 相似文献
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自旋电子学是凝聚磁学与微电子学的桥梁,从而将磁器件与微电子器件联系起来,而半导体自旋电子学是在自旋电子学基础上发展起来的一门新兴学科.近年来,由于磁性半导体的铁磁特性及磁光特性的研究迅速发展,使半导体自旋电子学的研究成为自旋电子学领域的一个重要分支,它着重于以磁性半导体为基本材料的新型电子器件的研究.本文主要介绍宽带Ⅱ-Ⅵ族半导体铁磁特性的研究进展及一些初步的研究工作. 相似文献
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本文简要介绍了我们在带宽Ⅱ-Ⅵ族半导体光电子学和发光学研究领域中取得的两大主要研究成果:第一,明确提出并实现了利用宽带Ⅱ-Ⅵ族晶体直接带跃迁来获在室温和电场激发下地发射的物理思想,第二,提出并实现了利用其超晶格的室温激子效应来实现在室温、蓝绿波段芡以及具有ns和ps量级响应的光双稳的物理思想。 相似文献
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宽带Ⅱ-Ⅵ族半导体材料,铍的硫属化物如BeTe,BeSe和BeS与ZnSe、ZnS和ZnTe等相比,有较强的共价键性(晶格硬度增大)和大的堆垛层错能,而且与GaAs有好的晶格匹配。因此认为ZnSe基半导体材料中加入Be对ZnSe蓝绿激光二极管寿命将有明显改善。本文介绍近几年这方面的研究成果和发展动态。 相似文献
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