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三端电压控制型负阻器件(1)郭维廉(天津大学电子工程系300072)负阻器件从1952年埃伯斯(J.J.Ebers)[1]提出和1956年摩尔(J.L.MOMi)等[2]研制出晶闸管和1958年江崎[3]发现隧道二极管到现在已经近四十年了。在这一段时... 相似文献
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三端电压控制型负阻器件(6)郭维廉(天津大学电子工程系300072)第六章新型“∧”负阻晶体管[21]新型“∧”负阻晶体管(NewLambdaNegative-ResistanceTransistor),简称NLNRT,是近几年来新提出的一种三端负阻... 相似文献
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三端电压控制型负阻器件(7)郭维廉(天津大学电子工程系300072)第八章电压控制负阻MOS器件[2’j电压控制负阻MOS器件(Voltage-ControlledNegati、ResistanceMOSDevice)也称作“A”微分负阻MOSFET... 相似文献
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三端电压控制型负阻器件(4) 总被引:1,自引:0,他引:1
三端电压控制型负阻器件(4)郭维廉(天津大学电子工程系300072)第四章“∧”双极晶体管[13,14]“∧”双极晶体管(LambdaBipolarTransistor),简称LBT。是以一n沟增强型MOS管作为反馈器件与一npn型纵向双极管(主器件... 相似文献
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双管S型负阻器件的研究 总被引:4,自引:0,他引:4
模拟电路实验证明用两个同极性的晶体管以多种电路接法都能获得具有S型负阻特性的两端器件。在此实验基础上研制得到一种双向两端S型负阻器件(TBNRD器件)。本文还对该器件产生负阻的原因进行了理论分析。 相似文献
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提出并研制成一种新型硅三端负阻器件。该器件由一n沟耗尽型MOS管、一横向pnp双极晶体管和一个电阻集成而得。它具有“双负阻”特性和正阻区阻值易于控制等特点。由理论计算出的器件I_c—V_(CB)特性和负阻参数与实验结果符合良好。 相似文献
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介绍了一种利用集成互补结型场效应管的简单复合而构成的负阻器件,并且对该负阻器件的温度特性进行了分析,为设计具有温度稳定性的负阻器件提供了有益的参考。 相似文献
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双向负阻器件的数值模拟 总被引:2,自引:0,他引:2
本文通过对双向负阻器件进行数值模拟,分析了其产生负阻的内部图象,模拟结果表明,高阻集电区厚度的减小或衬底杂质浓度的增加使负阻曲线的摆幅增大,而基区掺杂浓度的提高将使负阻曲线的峰值减小。 相似文献
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DUBAT负阻参数的推导和功率DUBAT的设计与研制 总被引:2,自引:0,他引:2
本文第一部分用较简单而不同于文献[1]的方法推导出双基区晶体管(DUBAT)有关的负阻参数,与实验结果符合良好;第二部分对功率型DUBAT进行了设计并初步制成这种器件。 相似文献
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硅光电负阻器件的构成原理与分类 总被引:1,自引:0,他引:1
郭维廉 《固体电子学研究与进展》2002,22(1):120-126
将三端负阻器件与硅光电探测器相结合 ,通过新的构思成功地提出并构成了一类新型光电器件——硅光电负阻器件。文中报道了该器件构成的一般性原理 ,以及依据此构成原理确定的分类方法 相似文献
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光电负阻晶体管的初步研究 总被引:11,自引:1,他引:11
本文对“λ”双极晶体管型光电负阻晶体管,首次给出了完整的等效电路,并以此等效电路为基础,用PSPICE电路模拟程序,对PLBT的Iph-VcE特性进行了模拟。模拟结果与从PLBT实验性器件实测的Iph-VCE特性吻合得很好,初步研究还表明,此器件除了作为光探测器外,还具有光生振荡和光控调频等功能。 相似文献