a—Si TFT AMLCD中湿法刻蚀技术的研究

本文全面地介绍了ａ－Ｓｉ ＴＦＴ ＡＭ－ＬＣＤ制备工艺中的湿法刻蚀。通过改变刻蚀液的配比和刻蚀条件,达到了优化湿法刻蚀的目的。并达到了高的选择比,解决了沟道刻蚀困难的问题。而且克服了湿法刻蚀的刻蚀液不配比不当出现的针孔,以及刻蚀时间过长,渗透光刻胶的边缘出现的钻蚀。在单管器件的制备中做到了实际的应用。     

NiCr薄膜的沉积及其湿法刻蚀

片式薄膜电阻一般采用平面磁控溅射NiCr薄膜沉积在三氧化二铝陶瓷基片上,然后通过光刻工艺来实现电阻图形,通过使用扫描电子显微镜观察不同溅射功率、溅射时间下的NiCr膜层形貌,分析了溅射功率、溅射时间对溅射的影响,同时使用湿法刻蚀做出所需要的电阻图形。     

808nm高功率VCSEL刻蚀工艺研究

为提高808nm高功率VCSEL的光电性能,对不同实验条件下的氧化限制型VCSEL湿法刻蚀工艺进行了实验研究,制备出多环形电极结构VCSEL器件。实验中采用H3PO4系腐蚀液替代以往常用的H2SO4系腐蚀液,通过改变湿法刻蚀工艺的温度条件及腐蚀液的浓度配比,能够较精确的控制腐蚀深度,消除＂燕尾＂结构,最终确定808nm高功率VCSEL湿法腐蚀工艺的最佳温度条件及腐蚀液的最佳浓度配比。测试结果表明,采用这种湿法刻蚀工艺条件制备的808nm高功率VCSEL器件,室温下的阈值电流为430m A,微分量子效率为0.44W/A,最大输出功率达到0.42W,其光电性能远优于传统湿法刻蚀工艺制备的同种高功率VCSEL器件。     

硅的反应离子刻蚀工艺参数研究

对硅的反应离子刻蚀(R IE)工艺参数进行了研究.通过控制变量法,得出了刻蚀速率与射频功率、刻蚀气体压强和刻蚀气体流量之间的关系曲线.结果表明,随着射频功率的增加,刻蚀速率不断增加;刻蚀速率开始随刻蚀气体压强的增加而加快,压强超过一定值时,刻蚀速率反而减小;刻蚀速率在刻蚀气体流量较小时,随气体流量的增加而加快,在较大的气体流量下反而降低.通过比较不同条件下的刻蚀结果,得到了刻蚀硅的优化工艺条件.最后用DEKTAK 6M型台阶仪测出了优化工艺条件下的刻蚀深度和粗糙度.测试结果表明在优化工艺条件下刻蚀速率快,粗糙度低.     

硅中阶梯光栅的湿法刻蚀技术

建立了单晶硅中阶梯光栅湿法刻蚀全工艺过程,并对该工艺所涉及的光刻胶掩模制备、氧化层掩膜制备以及单晶硅湿法刻蚀等环节进行了研究。利用该工艺制作了口径为20mm×20mm的中阶梯光栅,其在入射波长532nm,Littrow方式入射时,-42级衍射效率大于70%。     

单晶硅波导基槽刻蚀工艺的研究

对埋藏式单晶硅波导基槽进行了反应离子刻蚀的研究，介绍了氟化物反应离子刻蚀机理，对CF4和SF6气体在不同工艺条件下的刻蚀速率及刻蚀效果进行了分析，总结出刻蚀优化工艺条件，解决了刻蚀中存在的工艺难题。试验表明，在CF4加O2的优化工艺条件下，其刻蚀具有良好的各各异性和较高的重复性，获得了良好的刻蚀效果。     

用SF6/O2气体ICP刻蚀硅深槽基片温度对刻蚀速率的影响

以SF6/O2为刻蚀气体用RIE刻蚀机刻蚀Si,当功率为500W,偏压为250V,气体流量45mL/min,压力分别为2.7Pa6、.7 Pa、11Pa时,基片温度的改变对其刻蚀速率的影响。实验结果表明:进行室温刻蚀(≥0℃)和低温刻蚀(≤0℃)时,其刻蚀机理不尽相同,当基片温度为0℃~80℃时,对刻蚀速率起关键作用的是各向同性的化学反应刻蚀。当基片温度为-120℃~0℃时,对刻蚀速率起关键作用的是各向异性的物理刻蚀,可以获得理想的尺寸和形貌。     

电子束刻蚀中邻近效应的修正

以拓展的三高斯邻近效应函数为基础,利用空间图形密度方法对电子刻蚀中的邻近效应进行修正,并对该方法的原理及实现步骤进行了较为详细的介绍．通过和传统的邻近函数为基础得到的修正结果相比,经过拓展后的邻近函数有着更好的修正效果．     

湿法烟气脱硝技术研究进展

主要介绍了国内外湿法烟气脱除NOx的研究进展,如碱液吸收法、酸吸收法、氧化吸收法、还原吸收法、生物法和络合吸收法等,分析了各种方法目前存在的优缺点,并针对我国国情对我国烟气湿法净化技术的发展方向提出了建议.     

多晶硅的ECR等离子体刻蚀

报道了用CF4作工作气体的ECR刻蚀poly-Si技术,研究了微波功率、气体流量、气压和射频偏置功率对刻蚀速率的影响,并对实验结果进行了讨论.实验中微波等离子体功率范围在100～500 W,CF4气体流量在10～50 cm3/min(标准状态下)范围,气压在0.25～2.5 Pa范围,射频偏置功率在0～300 W范围,对应的刻蚀速率为10.4～46.2 nm/min.     

亚临界湿蒸汽发生器研究与应用

我国稠油热力开发始自20世纪80年代,经过20余年的大规模开发,高品位油藏的储量动用程度已经相当高,已经投入开发的油田基本上进入了高轮次、高含水、较高采出程度的开发阶段,产量持续下降。虽然特、超稠油资源较为丰富,但由于注汽工程技术的限制,没有形成产油能力。为增加超、特稠油储量动用程度,研制、开发了亚临界湿蒸汽发生器,并取得了较好的使用效果。亚临界湿蒸汽发生器已在胜利油田滨南采油厂推广应用5台,运行工况良好,各项技术指标均达到了设计要求。亚临界湿蒸汽发生器的配套和应用,提高了我国特稠油、超稠油井的开采水平。亚临界湿蒸汽发生器的研制、开发和工业化生产、试验和推广应用,在增加超、特稠油产量方面具有广阔的应用前景。     

湿式多片制动器衬片压力分布模型及性能计算

在大型工程机械车辆中，湿式多片制动器正在逐步取代传统的干式制动器。针对湿式多片制动器的工作特性，分析了衬片压力均布模型的局限性，进而提出新的分布模型，并推导相应的性能参数计算公式，为国内开发设计湿式多片制动器提供了理论依据。     

Si／SiGe腐蚀停止技术的研究及其在SiGe／SiHBT工艺中的应用

对ＳｉＧｅ／Ｓｉ腐蚀停止技术进行了大量的实验研究，分析了腐蚀的化学机理，并在一定的腐蚀液浓度和温度下，获得了Ｓｉ和ＳｉＧｅ的腐蚀速率比大于３０的结果。该技术极宜在ＳｉＧｅ／ＳｉＨＢＴ制作中应用。     

湿天然气管道积液处理方案设计与分析

积液得到必要的处理是湿天然气集气管道日常运行管理中面临的重要任务之一。为了减少集气管道中积液带来的影响和危害,基于OLGA软件的清管工艺瞬态仿真方法,建立了积液在湿气管道中的发展过程预测模型,开展了湿气管道积液沉积以及发展规律分析,在此基础上进行了湿气管道积液处理方案设计和模拟仿真,对所设计积液处理方案的有效性进行了评估。指出在集气管道间增设分离装置可以明显降低集气管道中的积液量和延长管道积液发展直至稳定的持续时间,为减小管道清管频次以及优化末端处理装置容积提供参考;在同等输量以及管道末端压力约束不变条件下,管间增设分离装置可以有效降低管道起点的动力需求,有利于整体工艺流程的节能降耗。     

活性染料湿摩擦牢度提升剂的合成与应用

通过引入不同含量的聚醚三元醇制备具有不同分子内交联程度的有机硅改性季铵化阳离子水性聚氨酯,尝试其在活性染料湿摩擦牢度提升方面的应用。本文主要研究聚氨酯高分子交联度对其乳液粒径、湿摩擦色牢度提升力、固色织物柔软手感等主要应用性能的影响。结果表明：制备的水性聚氨酯可有效提升染色纺织品的湿摩擦色牢度,处理后纺织品的湿摩牢度可提高1～1．5级且对织物柔软性的影响较小。     

纯棉水刺非织造材料单向导湿整理工艺的优化

本研究采用含氟拒水整理剂（FG-910）对纯棉水刺非织造材料进行单面整理,使之具有亲疏水双侧结构,从而获得单向导湿功能。经分析可知,影响整理结果的有四个因子：整理液浓度、单位面积使用量、烘干温度和时间以及焙烘温度和时间。对这些因子进行分析,得出最佳整理方案为：整理液浓度40g/L,单位面积使用量为10g/m2,烘干条件为110℃×3min以及焙烘条件为160℃×2min。     

织物透气阻抗对热湿移动的影响

本文应用模拟实验装置,就丝织物的透气阻抗对热湿移动特性的影响作了研究。结果表明,透气阻抗对织物热湿移动有较大的影响。其影响程度决定于透气阻抗 R 值,R>0.25 kPa·s/m 时,对干热散失无影响;对湿热散失有较小的影响,R<0.25 kPa·s/m 时,对热湿移动有明显的影响。     

干氧SiO2的氢氟酸缓冲腐蚀研究

根据对掺三氯乙烯(TCE)干氧氧化的SiO2在不同配比氢氟酸缓冲腐蚀液(BHF)中的腐蚀特性的研究结果表明, 在HF wt%保持不变的条件下,腐蚀速率先随着NH4F wt%的增大而上升;NH4F大于15wt%～20wt%以后,腐蚀速率反而随之降低.值得注意的是,干氧SiO2同湿氧SiO2相比,在1wt% HF条件下,前者的腐蚀速率要比后者高,直到HF酸浓度大于3wt%时,前者的腐蚀速率才低于后者,这一现象可用NH 4 阻挡模型结合TCE在SiO2中引入浅电子陷阱的方式得到解释.